液供给装置和液供给方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供液供给装置和液供给方法。液供给装置对处理液释放部供给处理液，该处理液释放部向被处理体释放处理液，该液供给装置包括：与处理液释放部连接的供给管路；插入于供给管路的过滤处理液以除去异物的过滤器；和控制部，其构成为能够判断向过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为处理液的状态不良时，输出限制向过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液供给装置和液供给方法
(关联申请的相互参照)本申请基于2017年12月12日在日本提出的特愿2017-237555号，和2018年12月4日在日本提出的特愿2018-227332号主张优先权，将其内容引用到此文中。本专利技术涉及液供给装置和液供给方法。
技术介绍
在专利文献1中，公开了一种液处理装置，其包括：贮存处理液的处理液容器；向被处理基片释放处理液的释放嘴；将处理液容器与释放嘴连接的供给管路；和插入于供给管路的过滤处理液的过滤器。该装置中，将通过过滤器的处理液的一部分从释放嘴释放，使剩余的处理液返回过滤器的一次侧的供给管路，与来自处理液容器的处理液合在一起，进行处理液的释放和用过滤器实施的过滤。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国2014-140029号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的技术能够供给适于制造微小的半导体器件的清洁度的处理液。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式是一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，该液供给装置包括：与上述处理液释放部连接的供给管路；插入于上述供给管路的过滤上述处理液以除去异物的过滤器；和控制部，其构成为能够判断向上述过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为上述处理液的状态不良时，输出限制向上述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。专利技术效果依照本专利技术，能够供给适于制造微小的半导体器件的清洁度的处理液。附图说明图1是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的平面图。图2是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的正面图。图3是表示本实施方式的基片处理系统的结构的概要的背面图。图4是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的纵截面图。图5是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的横截面图。图6是表示第1实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。图7表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。图8表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对泵的补充工序的说明图。图9表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是释放工序的说明图。图10表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是泵排放(pumpvent)工序的说明图。图11表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是泵排放工序的另一说明图。图12表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是泵排放工序的另一说明图。图13表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是过滤器排放(filtervent)工序的另一说明图。图14是表示第2实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。图15是表示第3实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。图16表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。图17表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。图18表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。图19是表示第4实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。图20表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。图21表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。图22表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。图23表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一说明图。图24是表示第5实施方式的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。图25是表示确认试验3的试验结果的图。图26是表示第6实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。图27表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是外部配管管路的启用工序的说明图。图28表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是启用结束判断工序的说明图。图29表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的说明图。图30表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的释放工序的说明图。图31表示用于说明液供给装置的结构的概要的配管系统，是对缓冲箱的补充工序的另一例的说明图。图32是表示第7实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。图33是表示第8实施方式的液供给装置的结构的概要的说明图。具体实施方式在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，为了在作为被处理体的半导体晶片(以下称为“晶片”。)上形成防反射膜、抗蚀剂膜等涂敷膜，使用抗蚀剂液等涂敷液。此外，在光刻工序中，作为对晶片的处理液，不仅使用用于形成涂敷膜的涂敷液，还使用显影液、清洗液等。另外，处理液例如贮存于液供给源，从该液供给源由液供给装置被供给至释放嘴，从该释放嘴被释放到晶片上。有时在该处理液中含有异物(颗粒)。此外，即使在原本的处理液中不存在颗粒，当颗粒附着于液供给装置的泵、阀、配管时，在供给的处理液中也会混入颗粒。因此，在连接液供给装置的液供给源和释放嘴的供给管插入过滤器，用该过滤器过滤处理液以除去颗粒。关于上述液供给装置，在专利文献1中，如上所述，公开了使用过滤器过滤而除去了颗粒的处理液返回供给管路中的过滤器的一次侧的部分的装置。但是，对半导体器件要求更进一步的微小化，要从处理液除去的颗粒的尺寸也非常小。此外，晶片上的颗粒的检测灵敏度变得越来越高。例如，变得能够检测20nm以下的微小颗粒。而且，为了实现进一步的微小化，开始使用一直以来没有使用过的新种类的涂敷液，预想在一直以来的涂敷液中无法预料到的颗粒会导致问题。考虑到这样的背景，本专利技术的专利技术人锐意研究，结果发现，即使是由过滤器过滤后的处理液，只要在液供给装置内滞留，就含有异物。特别是发现了像专利文献1记载的那样，使由过滤器过滤后的涂敷液返回供给管路的一次侧时，从喷嘴释放的涂敷液所包含的微小的颗粒的数量随着操作时间的经过而增加。因此，在具有使由过滤器过滤后的涂敷液返回供给管路的一次侧(液供给源侧)的结构的液供给装置中，涂敷液的进一步清洁化存在改善的余地。此外，考虑到所述背景，本专利技术的专利技术人锐意研究，结果发现以下情况。作为处理液，供给包括含有聚合物的聚合物液的抗蚀剂液等涂敷液时，在液供给源使用涂敷液瓶。该涂敷液瓶，即使由其制造者保证了品质，在该瓶内的涂敷液中也含有微小的颗粒。发现像这样使对于微小的半导体器件的制造而言清洁度不足的涂敷液在液供给装置内流通时，可能影响该装置内的清洁度。当液供给装置内的清洁度变差时，从该液供给装置供给的处理液的清洁度也变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，所述液供给装置的特征在于，包括：/n与所述处理液释放部连接的供给管路；/n插入于所述供给管路的过滤所述处理液以除去异物的过滤器；和/n控制部，其构成为能够判断向所述过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为所述处理液的状态不良时，输出限制向所述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171212 JP 2017-237555;20181204 JP 2018-2273321.一种对处理液释放部供给处理液的液供给装置，该处理液释放部对被处理体释放处理液，所述液供给装置的特征在于，包括：
与所述处理液释放部连接的供给管路；
插入于所述供给管路的过滤所述处理液以除去异物的过滤器；和
控制部，其构成为能够判断向所述过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为所述处理液的状态不良时，输出限制向所述过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。


2.如权利要求1所述的液供给装置，其特征在于：
所述处理液是用于在被处理体上形成涂敷膜的涂敷液，
该液供给装置包括：
返回管路，其将所述供给管路中的所述过滤器的二次侧的部分和所述供给管路中的所述过滤器的一次侧的部分连接；和
排液管路，其从该返回管路上的分支点分支，去往与所述供给管路不同的地方，
所述控制部构成为，能够：
输出将被所述过滤器过滤后的涂敷液送出到所述返回管路的控制信号，
作为所述判断，进行所述返回管路内的涂敷液的状态的判断，
当判断为所述返回管路内的涂敷液的状态良好时，输出使所述返回管路内的涂敷液返回所述供给管路中的所述过滤器的一次侧的部分的控制信号，
当判断为所述返回管路内的涂敷液的状态不良时，输出将所述返回管路内的涂敷液从所述排液管路排液的控制信号。


3.如权利要求2所述的液供给装置，其特征在于：
检测所述涂敷液所含的异物的异物检测部插入于所述返回管路中的比所述分支点靠上游侧的位置，
所述控制部构成为，能够基于所述异物检测部的检测结果，进行所述返回管路内的涂敷液的状态的判断。


4.如权利要求2所述的液供给装置，其特征在于：
所述控制部构成为，能够：
输出控制信号，以使得从所述处理液释放部定期地进行虚释放，
基于是否经过了根据所述虚释放的间隔所决定的期间，来进行所述返回管路内的涂敷液的状态的判断。


5.如权利要求2所述的液供给装置，其特征在于：
检测所述涂敷液所含的异物的其他异物检测部插入于所述供给管路中的所述过滤器的一次侧和二次侧这两者，
所述控制部构成为，能够基于所述其他异物检测部的检测结果，来进行所述过滤器的状态的判断。


6.如权利要求1所述的液供给装置，其特征在于：
所述处理液是用于在被处理体上形成涂敷膜的涂敷液，
所述供给管路的与所述处理液释放部相反的一侧的端部，与贮存有所述涂敷液的供给源连接，
该液供给装置包括：
从位于所述供给管路上的所述过滤器的一次侧的分支点分支的排液管路；和
异物检测部，其插入于所述供给管路中的所述分支点的上游侧，检测该供给管路内的涂敷液所含的异物，
所述控制部构成为，能够：
作为所述判断，基于所述异物检测部的检测结果来进行所述供给源的状态的判断，
仅在判断为所述供给源的状态良好时，输出向所述过滤器的一次侧供给所述供给源内的涂敷液的控制信号。


7.如权利要求6所述的液供给装置，其特征在于：
具有将所述供给管路中的所述异物检测部的一次侧和二次侧连接的循环管路，
所述控制部输出使通过所述异物检测部的所述涂敷液经由所述循环管路返回所述供给管路中的所述异物检测部的一次侧的控制信号，
所述控制部基于所述异物检测部的多次检测结果，来进行所述供给源的状态的判断。


8.如权利要求6所述的液供给装置，其特征在于：
检测所述涂敷液所含的异物的其他异物检测部插入于所述供给管路中的所述过滤器的一次侧和二次侧这两者，
所述控制部基于所述其他异物检测部的检测结果，来进行所述过滤器的状态的判断。


9.如权利要求1所述的液供给装置，其特征在于：
所述供给管路的与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤亮一郎，林圣人，志手英男，井手裕幸，龟田洋介，户塚诚也，舞田集，佐藤尊三，荒木洋史，吉原健太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP