处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及处理装置。提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：多个加工模块，其相连地配置；以及装载模块，其用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块进行处理的基板，所述多个加工模块均具有：热处理单元，其包含收容多张基板并进行热处理的处理容器；以及气体供给单元，其配置于所述热处理单元的一侧面，并向所述处理容器内供给气体。

【技术实现步骤摘要】
处理装置
本公开涉及一种处理装置。
技术介绍
公知有一种在处理容器的背面、侧面配置了气体供给箱的处理装置(例如参照专利文献1～3)。专利文献1：日本特开2001-156009号公报专利文献2：日本特开2002-170781号公报专利文献3：日本特开2003-31562号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。用于解决问题的方案本公开的一技术方案的处理装置包括：多个加工模块，其相连地配置；以及装载模块，其用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块进行处理的基板，所述多个加工模块均具有：热处理单元，其包含收容多张基板并进行热处理的处理容器；以及气体供给单元，其配置于所述热处理单元的一侧面，并向所述处理容器内供给气体。专利技术的效果根据本公开，能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积。附图说明图1是示出第1实施方式的处理装置的结构例的立体图(1)。图2是示出第1实施方式的处理装置的结构例的立体图(2)。图3是示出第1实施方式的处理装置的结构例的立体图(3)。图4是图1至图3的处理装置的侧视图。图5是示出第1实施方式的处理装置的另一结构例的图。图6是示出第2实施方式的处理装置的结构例的立体图。图7是示出第2实施方式的处理装置的另一结构例的立体图。具体实施方式以下，一边参照附图，一边对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所附的全部附图中，对相同或相对应的构件或零部件标注相同或相对应的附图标记，并省略重复的说明。[第1实施方式]对第1实施方式的处理装置进行说明。图1至图3是示出第1实施方式的处理装置的结构例的立体图，其分别是从不同方向观察处理装置时的图。图4是图1至图3的处理装置的侧视图。以下以处理装置的左右方向为X方向，前后方向为Y方向，高度方向为Z方向来进行说明。如图1至图4所示，处理装置1具有装载模块20和处理模块30。装载模块20的内部处于例如大气气氛下。装载模块20为将收纳有作为基板的一例的半导体晶圆(以下称为“晶圆W”)的载体C在处理装置1内的后述的要素之间输送、从外部向处理装置1内送入、或从处理装置1向外部送出的区域。载体C也可以是例如FOUP(Front-OpeningUnifiedPod：前开式晶圆传送盒)。装载模块20具有第1输送部21和位于第1输送部21的后方的第2输送部26。在第1输送部21作为一例设有左右两个装载口22。装载口22是在将载体C向处理装置1送入时接收载体C的送入用的载置台。装载口22设于壳体的壁所开放的位置，能够从外部访问处理装置1。在第1输送部21设有用于保管载体C的1个或多个储存柜(未图示)。在第2输送部26配置有FIMS(Front-openingInterfaceMechanicalStandard：前开口接口机械标准)口(未图示)。FIMS口以例如上下排列的方式设有两个。FIMS口是在将载体C内的晶圆W相对于处理模块30内的后述的热处理炉411送入以及送出时用于保持载体C的保持台。FIMS口在前后方向上移动自如。此外，与第1输送部21同样地，在第2输送部26也设有用于保管载体C的1个或多个储存柜(未图示)。在第1输送部21和第2输送部26之间设有载体输送机构(未图示)，该载体输送机构在装载口22、储存柜以及FIMS口之间输送载体C。处理模块30是从载体C取出晶圆W而对晶圆W进行各种处理的模块。为了防止在晶圆W形成氧化膜，将处理模块30的内部设为非活性气体气氛，例如氮气气氛。处理模块30具有晶圆输送模块50和4个加工模块40。加工模块40在前后方向上相连地配置。各加工模块40具有：热处理单元41、装载单元42、气体供给单元43、排气管道44、RCU(readcopyupdate：读拷贝更新)单元45、分支管道46、控制单元47以及底板盒48。热处理单元41是收容多张(例如25张～150张)晶圆W并进行预定的热处理的单元。热处理单元41具有热处理炉411。热处理炉411具有处理容器412和加热器413。处理容器412收容作为基板保持件的一例的晶圆舟414。晶圆舟414具有由例如石英形成的圆筒形状，用于以多层的方式保持多张晶圆W。在处理容器412设有气体导入口412a和排气口412b。气体导入口412a是将气体向处理容器412内导入的口。气体导入口412a优选配置在气体供给单元43那一侧。由此，能够缩短气体供给单元43和气体导入口412a之间的配管长度。因此，得到以下效果：配管构件、配管加热器的使用量的减少，配管加热器的消耗电力的减少，维护时的吹扫范围的减少，杂质向处理容器412内的混入风险的减少等。此外，优选气体导入口412a设置的位置在多个加工模块40中是同样的。由此，能够使气体供给单元43和气体导入口412a之间的配管长度在多个加工模块40中一致，而能够减小因机械误差所产生的处理的偏差。排气口412b是将处理容器412内的气体排出的口。优选排气口412b配置在排气管道44那一侧。由此，气体导入口412a和排气口412b隔着处理容器412相对配置，因此能够简化处理容器412内的气体的流动。此外，由于能够将气体导入口412a和排气口412b设于彼此分离开的位置，因此对于在处理容器412设置多个气体导入口412a的情况能够确保足够的安装位置。此外，优选排气口412b设置的位置在多个加工模块40中是同样的。由此，能够在多个加工模块40中使排气传导性一致，而能够减小因机械误差所产生的处理的偏差。加热器413设于处理容器412的周围，具有例如圆筒形状。加热器413用于加热在处理容器412内收容的晶圆W。在处理容器412的下方设有闸门415。闸门415是在从热处理炉411送出晶圆舟414到送入下一晶圆舟414的期间、在热处理炉411的下端用作盖的门。装载单元42设于热处理单元41的下方，借助底板盒48设置于地板F。在装载单元42，晶圆舟414借助保温筒416载置于盖体417之上。晶圆舟414由石英、碳化硅等耐热材料形成，以在上下方向上具有预定的间隔的方式将晶圆W保持为大致水平。盖体417支承于升降机构(未图示)，利用升降机构将晶圆舟414相对于处理容器412送入或送出。此外，装载单元42在热处理单元41也作为使处理后的晶圆W冷却的空间发挥功能。气体供给单元43以自地板F分离开的方式配置于热处理单元41的侧面。气体供给单元43配置为在俯视时与例如晶圆输送模块50重叠，气体供给单元43包含用于向处理容器412内供给预定的流量的处理气体、吹扫气体的压力调整器、质量流量控制器、阀等。排气管道44隔着热处理单元41与气体供给单元43相对配置。排气管道44包含将处理容器412内与真空泵(未图示)连接的排气配管、用于加热排气配管的配管加热器等。...

【技术保护点】
1.一种处理装置，其中，/n该处理装置包括：/n多个加工模块，其相连地配置；以及/n装载模块，其用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块进行处理的基板，/n所述多个加工模块均具有：热处理单元，其包含收容多张基板并进行热处理的处理容器；以及气体供给单元，其配置于所述热处理单元的一侧面，并向所述处理容器内供给气体。/n

【技术特征摘要】
20190110 JP 2019-002945;20191018 JP 2019-1914621.一种处理装置，其中，
该处理装置包括：
多个加工模块，其相连地配置；以及
装载模块，其用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块进行处理的基板，
所述多个加工模块均具有：热处理单元，其包含收容多张基板并进行热处理的处理容器；以及气体供给单元，其配置于所述热处理单元的一侧面，并向所述处理容器内供给气体。


2.根据权利要求1所述的处理装置，其中，
所述气体供给单元以自地板分离开的方式配置。


3.根据权利要求1或2所述的处理装置，其中，
所述热处理单元具有配置于所述气体供给单元那一侧且用于向所述处理容器内导入气体的气体导入口。


4.根据权利要求1～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：门部雅人，名须川信也，似鸟弘弥，菊池一行，金子裕史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP