【技术实现步骤摘要】
上部电极结构、等离子体处理装置及组装上部电极结构的方法
本专利技术的例示性实施方式涉及一种上部电极结构、等离子体处理装置及组装上部电极结构的方法。
技术介绍
专利文献1公开一种在等离子体处理装置的上部电极吸附电极板的结构。静电吸附部介于电极板和与电极板接触的板之间。静电吸附部为陶瓷制，经由夹具固定在板的下表面。专利文献1：日本特开2015-216261号公报
技术实现思路
本专利技术提供一种改善因自由基或气体产生的静电吸附部的损耗的技术。在一例示性实施方式中，提供一种等离子体处理装置的上部电极结构。上部电极结构具备电极板、气板、静电吸附部及屏蔽结构。电极板上形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔。在气板上，将处理气体供应至气体吐出孔的气体流路形成为在与气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸。静电吸附部介于电极板与气板之间且具有与气板的下表面接触的接触面和吸附电极板的上表面的吸附面。屏蔽结构屏蔽从气体吐出孔向电极板与气板之间移动的自由基或气体。专利技术效果根据一例示性实施方式，...
【技术保护点】
1.一种上部电极结构，其为等离子体处理装置的上部电极结构，其具备：/n电极板，形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔；/n气板，将处理气体供应至所述气体吐出孔的气体流路形成为在与所述气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸；/n静电吸附部，介于所述电极板与所述气板之间，且具有与所述气板的下表面接触的接触面和吸附所述电极板的上表面的吸附面；及/n屏蔽结构，屏蔽从所述气体吐出孔向所述电极板与所述气板之间移动的自由基或气体。/n
【技术特征摘要】
20190117 JP 2019-0060741.一种上部电极结构，其为等离子体处理装置的上部电极结构，其具备：
电极板，形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔；
气板，将处理气体供应至所述气体吐出孔的气体流路形成为在与所述气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸；
静电吸附部，介于所述电极板与所述气板之间，且具有与所述气板的下表面接触的接触面和吸附所述电极板的上表面的吸附面；及
屏蔽结构，屏蔽从所述气体吐出孔向所述电极板与所述气板之间移动的自由基或气体。
2.根据权利要求1所述的上部电极结构，其中，
所述屏蔽结构介于所述电极板与所述气板之间，且具有连接所述气体吐出孔的上端与所述气体流路的下端的连接部件。
3.根据权利要求2所述的上部电极结构，其中，
所述气板在其下表面具有与所述静电吸附部的接触面相向的第1区域和与所述气体吐出孔相向的第2区域，
关于所述连接部件，其上端与所述气板的下表面的所述第2区域连接，其下端与所述电极板的上表面连接，在其内部界定连通所述气体吐出孔与所述气体流路的流路。
4.根据权利要求2所述的上部电极结构，其中，
所述连接部件与所述气板及所述电极板中的任一个一体形成。
5.根据权利要求3所述的上部电极结构，其中，
所述连接部件具有与所述气板一体形成的上部件和与所述上部件接触且与所述电极板一体形成的下部件。
6.根据权利要求4或5所述的上部电极结构，其中，
所述气板在与所述电极板接触的接触部位具有钝化层。
7.根据权利要求2或3所述的上部电极结构，其中，
所述连接部件与所述电极板及所述气板分开形成。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的上部电极结构，其中，
所述静电吸附部包括具有弹性的由电介质构成的主体部和配置于所述主体部的内部的电极，且以所述主体部被压缩在所述电极板与所述气板之间的状态配置，
所述被压缩的所述主体部具有与所述连接部件相同的厚度。
9.根据权利要求1所述的上部电极结构，其中，
所述气板在其下表面具有与所述静电吸附部的接触面相向的第1区域和与所述气体吐出孔相向的第2区域，
通过所述第2区域和所述电极板的上表面界定间隙，
所述屏蔽结构具有能够减压的排气装置和与所述排气装置连接的排气流路，
所述排气流路形成于所述气板，其下端位于所述第2区域，
所述排气装置经由所述排气流路对所述间隙的空间进行减压。
10.根据权利要求1所述的上部电极结构，其中，
所述气板在其下表面具有与所述静电吸附部的接触面相向的第1区域和与所述气体吐出孔相向的第2区域，
通过所述第2区域和所述电极板的上表面形成间隙，
所述屏蔽结构具有屏蔽气体的气体供应源和与所述气体供...
【专利技术属性】
技术研发人员：玉虫元，永关一也，舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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