【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及蚀刻方法
本专利技术的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及蚀刻方法。
技术介绍
在对基板的等离子体蚀刻中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、静电卡盘及下部电极。静电卡盘及下部电极设置于腔室内。静电卡盘设置于下部电极上。静电卡盘支承载置于其上的聚焦环。静电卡盘支承配置于由聚焦环包围的区域内的基板。在等离子体处理装置中进行蚀刻时，气体供给至腔室内。并且，高频电力供给至下部电极。等离子体由腔室内的气体形成。基板被来自等离子体的离子、自由基之类的化学物种蚀刻。当执行等离子体蚀刻时，聚焦环被消耗，且聚焦环的厚度减小。当聚焦环的厚度减小时，在聚焦环上方的等离子体鞘(以下，称为“鞘”)的上端的位置变低。在聚焦环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置与基板上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置应相等。因此，在日本特开2007-258417号公报及日本特开2010-283028号公报中记载有能够调节处于聚焦环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置的等离子体处理装置。这些文献中所记载的等离子体处理装置构成为将直流电压施...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其具备：/n腔室；/n基板支承器，具有下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘，并构成为在所述腔室内支承载置于其上的基板；/n鞘调节器，构成为调节在配置成包围所述基板的边缘的边缘环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置；/n高频电源，构成为产生为了从所述腔室内的气体生成等离子体而被供给的高频电力；/n偏置电源，构成为产生偏置电力，该偏置电力设定为在由低于所述高频电力的第1频率的第2频率规定的周期内使载置于所述静电卡盘上的基板的电位变动，并与所述下部电极电连接；及/n控制部，构成为控制所述鞘调节器及所述高频电源，/n所述控制部进行如下控制：/n控制所述高频电...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190109 JP 2019-001662;20191129 JP 2019-2170481.一种等离子体处理装置，其具备：
腔室；
基板支承器，具有下部电极及设置于该下部电极上的静电卡盘，并构成为在所述腔室内支承载置于其上的基板；
鞘调节器，构成为调节在配置成包围所述基板的边缘的边缘环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置；
高频电源，构成为产生为了从所述腔室内的气体生成等离子体而被供给的高频电力；
偏置电源，构成为产生偏置电力，该偏置电力设定为在由低于所述高频电力的第1频率的第2频率规定的周期内使载置于所述静电卡盘上的基板的电位变动，并与所述下部电极电连接；及
控制部，构成为控制所述鞘调节器及所述高频电源，
所述控制部进行如下控制：
控制所述高频电源，以使在载置于所述静电卡盘上的所述基板的电位高于所述周期内的该电位的平均值的该周期内的第1期间内的至少一部分期间供给所述高频电力，在载置于所述静电卡盘上的所述基板的电位低于所述平均值的所述周期内的第2期间内使所述高频电力的功率电平比所述第1期间内的所述高频电力的功率电平减少；
控制所述鞘调节器，以使在所述第1期间及所述第2期间调节所述鞘的上端在所述铅垂方向上的所述位置。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述控制部控制所述高频电源，以使在所述第2期间停止所述高频电力的供给。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述鞘调节器构成为为了调节所述鞘的上端在所述铅垂方向上的所述位置而对所述边缘环施加电压。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述鞘调节器构成为为了调节所述鞘的上端在所述铅垂方向上的所述位置而使所述边缘环向上方移动。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述偏置电源构成为将具有所述第2频率的高频偏置电力作为所述偏置电力供给至所述下部电极。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1期间是从所述偏置电源输出的所述高频偏置电力具有正电位的期间，
所述第2期间是从所述偏置电源输出的所述高频偏置电力具有负电位的期间。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述偏置电源构成为以由所述第2频率规定的周期将脉冲状的直流电压作为所述偏置电力施加到所述下部电极。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1期间是所述脉冲状的直流电压未施加到所述下部电极的期间，
所述第2期间是具有负极性的所述脉冲状的直流电压施加到所述下部电极的期间。
技术研发人员：舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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