处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理装置。提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。本公开的一方案的处理装置包括：处理部，其包含：多个加工模块，其在第1室相连地配置；以及装载模块，其配置于所述第1室，用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块处理的基板；以及多个泵单元，其在与所述第1室相邻的第2室，与所述多个加工模块一一对应地配置，所述多个泵单元的设置面积为所述处理部的设置面积以下。

【技术实现步骤摘要】
处理装置
本公开涉及一种处理装置。
技术介绍
已知有一种处理系统，通过与洁净室等隔离地设置工具箱、泵箱，从而谋求洁净度较高的室的有效利用，而能够降低处理成本(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开平10-97962号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。用于解决问题的方案本公开的一技术方案的处理装置包括：处理部，其包含：多个加工模块，其在第1室相连地配置；以及装载模块，其配置于所述第1室，用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块处理的基板；以及多个泵单元，其在与所述第1室相邻的第2室，与所述多个加工模块一一对应地配置，所述多个泵单元的设置面积为所述处理部的设置面积以下。专利技术的效果根据本公开，能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积。附图说明图1是表示第1实施方式的处理装置的结构例的立体图。图2是图1的处理装置的侧视图。图3是图1的处理装置的俯视图(1)。图4是图1的处理装置的俯视图(2)。图5是用于说明图1的处理装置的加工模块的概略图。图6是表示第2实施方式的处理装置的结构例的立体图。图7是图6的处理装置的侧视图。图8是图6的处理装置的俯视图。具体实施方式以下，一边参照所附的附图，一边对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所附的全部附图中，对相同或对应的构件或零部件标注相同或对应的参照附图标记，并省略重复的说明。[第1实施方式]说明第1实施方式的处理装置。图1是表示第1实施方式的处理装置的结构例的立体图。图2是图1的处理装置的侧视图。图3以及图4是图1的处理装置的俯视图，图3是在第1室设置的处理部的俯视图，图4是在第1室的下层的第2室设置的排气单元的俯视图。另外，图3的区域M为用于维护的区域、用于送入载体C的区域等。此外，图4的区域M为用于维护泵单元61、连接配管631等的区域。以下将处理装置的左右方向设为X方向、前后方向设为Y方向、高度方向设为Z方向来进行说明。在图1至图4中，示出了相邻地配置两个处理装置的情况，但处理装置也可以单独地配置一个，也可以配置三个以上。以下以一侧的处理装置为例进行说明。另外，对于另一侧的处理装置，可以与一侧的处理装置1是同样的结构。如图1至图4所示，处理装置1包括处理部10、排气部60。处理部10设于第1室R1。第1室R1为例如洁净室。处理部10具有装载模块20、处理模块30。装载模块20设置于第1室R1的地板F1。装载模块20的内部处于例如大气气氛下。装载模块20为将收纳有作为基板的一例的半导体晶圆(以下称为“晶圆W”)的载体C在处理装置1内的后述的要素之间输送、从外部向处理装置1内送入、从处理装置1向外部送出的区域。载体C可以为例如FOUP(Front-OpeningUnifiedPod：前开式晶圆传送盒)。装载模块20具有第1输送部21、位于第1输送部21的后方的第2输送部26。作为一例，在第1输送部21设有左右两个装载口22。装载口22为在将载体C向处理装置1送入时接收载体C的送入用的载置台。装载口22设于壳体的壁开放了的位置，而能够从外部到达处理部10。在第2输送部26配置有FIMS(Front-openingInterfaceMechanicalStandard：前开口接口机械标准)口27。FIMS口27例如以上下排列的方式设有两个。FIMS口27为在将载体C内的晶圆W相对于处理模块30内的后述的热处理炉411送入以及送出时用于保持载体C的保持台。FIMS口27在前后方向上移动自如。此外，在第2输送部26设有用于保管载体C的一个或多个储存柜28。在第1输送部21和第2输送部26之间设有载体输送机构(未图示)，该载体输送机构在装载口22、储存柜以及FIMS口27之间输送载体C。处理模块30为从载体C取出晶圆W并对晶圆W进行各种处理的模块。为了防止在晶圆W形成氧化膜，将处理模块30的内部设为非活性气体气氛，例如氮气气氛。处理模块30具有晶圆输送模块50和四个加工模块40。加工模块40在前后方向上相连地配置。图5是用于说明图1的处理装置1的加工模块40的概略图，是从后方侧观察图1的处理部10时得到的图。如图5所示，各加工模块40具有：热处理单元41、装载单元42、气体供给单元43、排气管道44、RCU(readcopyupdate：读拷贝更新)单元45、分支管道46、控制单元47以及底板盒48。热处理单元41为收容多张(例如50～150张)晶圆W并进行预定的热处理的单元。热处理单元41具有热处理炉411。热处理炉411具有处理容器412和加热器413。处理容器412收容晶圆舟414。晶圆舟414具有由例如石英形成的圆筒形状，用于以多层的方式保持多张晶圆W。加热器413设于处理容器412的周围，具有例如圆筒形状。加热器413用于加热在处理容器412内收纳的晶圆W。在处理容器412的下方设有闸门415。闸门415为在从热处理炉411送出晶圆舟414到送入下一晶圆舟414的期间、在热处理炉411的下端用作盖的门。装载单元42设于热处理单元41的下方，借助底板盒48设置于第1室R1的地板F1。在装载单元42，晶圆舟414借助保温筒416载置于盖体417之上。晶圆舟414由石英、碳化硅等耐热材料形成，以在上下方向上具有预定的间隔的方式将晶圆W保持为大致水平。盖体417支承于升降机构(未图示)，利用升降机构将晶圆舟414相对于处理容器412送入或送出。此外，装载单元42在热处理单元41中也作为使处理后的晶圆W冷却的空间发挥功能。气体供给单元43以自地板F1分离开的方式配置于热处理单元41的侧面。气体供给单元43包含用于向处理容器412内供给预定的流量的处理气体、吹扫气体的压力调整器、质量流量控制器、阀等。排气管道44隔着热处理单元41与气体供给单元43相对配置。排气管道44包含将处理容器412内与后述的真空泵连接的排气配管、用于加热排气配管的配管加热器等。RCU单元45配置于热处理单元41的顶部。RCU单元45为生成向分支管道46供给的制冷剂的单元，其包含热交换器、鼓风器、阀、配管等。分支管道46设于热处理单元41的侧面，例如隔着热处理单元41与气体供给单元43相对的位置。分支管道46使自RCU单元45送入的制冷剂分流，并将该制冷剂向处理容器412和加热器413之间的空间供给。由此，能够在短时间内冷却处理容器412。控制单元47配置于热处理单元41的顶部。控制单元47包含用于控制加工模块40的各部分的工作的控制设备等。控制设备控制例如气体供给单元43的工作而调整向处理容器412内供给的处理气体、吹扫气体的流量。晶圆输送模块50对于多个加工模块40共通地设有一个。晶圆输送模块50以横跨多个加工模块40的一侧的侧面的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理装置，其中，/n该处理装置包括：/n处理部，其包含：多个加工模块，其在第1室相连地配置；以及装载模块，其配置于所述第1室，用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块处理的基板；以及/n多个泵单元，其在与所述第1室相邻的第2室，与所述多个加工模块一一对应地配置，/n所述多个泵单元的设置面积为所述处理部的设置面积以下。/n

【技术特征摘要】
20190110 JP 2019-0029441.一种处理装置，其中，
该处理装置包括：
处理部，其包含：多个加工模块，其在第1室相连地配置；以及装载模块，其配置于所述第1室，用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块处理的基板；以及
多个泵单元，其在与所述第1室相邻的第2室，与所述多个加工模块一一对应地配置，
所述多个泵单元的设置面积为所述处理部的设置面积以下。


2.根据权利要求1所述的处理装置，其中，
所述第2室位于所述第1室的下方。


3.根据权利要求1或2所述的处理装置，其中，
所述多个泵单元在与所述多个加工模块的排列方向相同的方向上排列地配置。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的处理装置，其中，
该处理装置包括多个排气处理装置，该多个排气处理装置在所述第2室与所述多个泵单元一一对应地配置，
所述多个泵单元和所述多个排气处理装置的合计的设置面积为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：门部雅人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP