本发明提供一种高精度地管理探针卡的寿命的探针卡管理系统和探针卡管理方法。所述探针卡管理系统具备检查装置和多个管理装置。各个检查装置具有摄像机、检查部以及发送部。检查部根据由摄像机拍摄到的探针的针尖的图像来测定各探针的针尖的状态，基于测定...

一个例示性实施方式所涉及的基板支撑器具备基座、静电卡盘及粘合剂。粘合剂设置于基座的上表面与静电卡盘的下表面之间。基座、粘合剂及静电卡盘提供用于向静电卡盘与基板之间供给导热气体的供给路。在基座的上表面划分形成有一个以上的槽。一个以上的槽在...

本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。提供能够提高基板处理的面内均匀性的技术。本公开的基板处理装置具备载置部、供给部、阻挡部以及移动机构。载置部载置基板。供给部对载置于载置部的基板供给处理液。阻挡部包围载置于载置部的基板，阻止供给至基...

本公开涉及一种蚀刻处理方法和基板处理装置，控制将被蚀刻膜同时蚀刻为掩模的不同的图案时的CD。蚀刻处理方法是对在被蚀刻膜上形成有掩模的基板进行蚀刻的处理方法，所述掩模具有第一开口的凹部和第二开口的凹部的图案，所述蚀刻处理方法包括：第一蚀刻...

本发明提供等离子体处理装置以及等离子体处理方法，在向上部电极的中心部分供给高频电力时，对于处理气体的供给来说，也自中央均匀地供给处理气体。该等离子体处理装置具有：上部电极；供电棒；气体扩散板，其具有多个喷出孔；以及气体导入构件，其具有在...

在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的腔室内设置有基板支承器。基板支承器具有下部电极及静电卡盘。匹配电路在电源与下部电极之间连接。第1电路径将匹配电路与下部电极彼此连接。不同于下部电极的第2电路径以从匹配电路向聚焦环供给电力的方式设...

本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。在等离子体处理装置的控制方法中，所述等离子体处理装置包括：在腔室内对基片保持部施加高频电力的高频电源；设置在所述基片保持部与所述高频电源之间的匹配器；和利用高频电力从气体生成等离子体的等离子体生...

本发明提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至5...

本发明涉及发光监视方法、基板处理方法和基板处理装置。[课题]提供：产生SiF

本发明提供一种在对基板进行加热处理的热处理装置中，提高基板的热处理的面内均匀性的技术。本发明的热处理装置包括：将载置的基板加热至第1温度的热板；具有支承上述基板的支承部，在上述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基...

本发明的处理液供给系统(1)包括处理液供给装置(10)和控制装置(100)，其中处理液供给装置(10)包括：收纳承载器(70)的承载器收纳部(12)；收纳从承载器(70)取出的处理液瓶(80)的瓶收纳部(13)；从处理液瓶(80)对基片...

本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。...

本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置、计算方法和记录介质。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通...

本发明提供一种即使使用高腐蚀性的处理气体也能够抑制腐蚀的喷头和气体处理装置。一种喷头，其在对基板实施气体处理的气体处理装置中向配置基板的腔室内供给腐蚀性的处理气体，具备：基座构件；喷淋板，其具有喷出处理气体的多个气体喷出孔；以及气体扩散...

本发明提供插拔机构以及块构件的更换方法。不污染连接端子就能够以短时间执行具有连接端子的块构件的拆装的技术。一形态的插拔机构是相对于框架件插拔具有多个连接端子的一个或多个块构件的插拔机构，该框架件设置于具有多个第1端子的第1构件与具有多个...

本公开涉及一种检查装置、维护方法和记录有程序的记录介质。检查装置具有：显示设备，其显示用于操作检查装置的画面；维护控制设备，其进行用于维护与检查室相关联的机构的维护处理；显示控制设备，其使显示设备显示接受用于进行维护处理的操作的维护画面...

本发明涉及一种试验用晶圆及其制造方法。提供能够模拟实际器件的发热的试验用晶圆及其制造方法。试验用晶圆用于模拟晶圆上的器件的发热，该试验用晶圆具有硅晶圆以及与硅晶圆的表面接合的硅加热器。

本发明提供一种红外线摄像机的校正方法和红外线摄像机的校正系统，能够提高红外线摄像机的温度的检测精度，包括取得工序、校正值计算工序、插补曲线确定工序、和保存工序。在取得工序中，载置基板的载置台被设定为多个不同的温度，在各温度下由红外线摄像...

本发明提供一种在使用含金属抗蚀剂膜来形成掩模图案时，抑制金属成分在图案底部残留的技术。预先在抗蚀剂膜(104)的下层形成可显影的防反射膜(103)。进而，在对晶片(W)进行了曝光、显影处理之后，对晶片(W)供给TMAH，去除与抗蚀剂膜(...