基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。本发明专利技术在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制在载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕。

Substrate loading platform, substrate processing device and manufacturing method of substrate loading platform

【技术实现步骤摘要】
基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法
本专利技术涉及基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种静电吸盘，其在基材上具有由氧化铝热喷涂膜形成的第1绝缘层和第2绝缘层，在第2绝缘层上形成有由具有与基材的线膨胀系数之差的绝对值在规定值以下的线膨胀系数的陶瓷热喷涂膜形成的第3绝缘层。作为陶瓷热喷涂膜的材质，在基材为铝的情况下，能够使用例如YF3、MgO、2MgO·SiO2等。利用专利文献1公开的静电吸盘和具有该静电吸盘的基片处理装置，能够抑制绝缘层的裂缝的产生。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4994121号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供在平板显示器(FlatPanelDisplay，以下称为“FPD”)的制造过程中对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕的基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式提供一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其中：包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。专利技术效果依照本专利技术，能够提供在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕的基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。附图说明图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。图2是表示第1实施方式的基片载置台的一例的截面图。图3是表示第2实施方式的基片载置台的一例的截面图。图4是表示第3实施方式的基片载置台的一例的截面图。图5是表示第4实施方式的基片载置台的一例的截面图。图6是表示第5实施方式的基片载置台的一例的截面图。图7是表示第6实施方式的基片载置台的一例的截面图。附图标记说明10处理容器60基片载置台63基材66静电吸盘67覆盖层67a载置面100基片处理装置G基片。具体实施方式以下，参照附图，说明本专利技术的实施方式的基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的构成要素，存在标注相同的附图标记而省略重复的说明的情况。[实施方式的基片处理装置]首先，参照图1，说明本专利技术的实施方式的基片处理装置的一例。此处，图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。图1所示的基片处理装置100是对FPD用的俯视时呈矩形的基片G(以下简称为“基片”)执行各种基片处理方法的感应耦合型等离子体(InductiveCoupledPlasma：ICP)处理装置。作为基片的材料，主要使用玻璃，也能够根据用途的不同而使用透明的合成树脂等。此处，基片处理包括蚀刻处理、使用了CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，能够例示出液晶显示器(LiquidCrystalDisplay：LCD)、电致发光(ElectroLuminescence：EL)、等离子体显示器面板(PlasmaDisplayPanel；PDP)等。基片除了在其表面图案化有电路的方式之外，也包括支承基片。另外，FPD用基片的平面尺寸随着一代代的发展而大规模化，由基片处理装置100处理的基片G的平面尺寸例如至少包括从第6代的1500mm×1800mm程度的尺寸至第10代的2800mm×3000mm程度的尺寸。另外，基片G的厚度为0.5mm至数mm程度。图1所示的基片处理装置100包括长方体状的箱型的处理容器10、配置在处理容器10内用于载置基片G的俯视时呈矩形的外形的基片载置台60，和控制部90。此外，以下对多个实施方式的基片载置台进行详细说明。处理容器10由电介质板11划分为上下2个空间，上侧空间成为形成天线室的天线室12，下方空间成为形成处理室的腔室13。在处理容器10中，在成为腔室13与天线室12的边界的位置，矩形环状的支承框14以向处理容器10的内侧突出设置的方式配置，在支承框14载置着电介质板11。处理容器10由接地线13c接地。处理容器10由铝等金属形成，电介质板11由氧化铝(Al2O3)等陶瓷、石英形成。在腔室13的侧壁13a开设有用于对腔室13送入送出基片G的送入送出口13b。送入送出口13b利用闸阀20而成为可开闭的。腔室13与内置输送机构的输送室(均未图示)相邻，对闸阀20进行开闭控制，利用输送机构经由送入送出口13b而能够进行基片G的送入送出。另外，在腔室13的底部开设有多个排气口13d，排气口13d与气体排气管51连接，气体排气管51经开闭阀52与排气装置53连接。由气体排气管51、开闭阀52和排气装置53形成气体排气部50。排气装置53具有涡轮分子泵等真空泵，在处理中能够将腔室13内抽真空至规定的真空度。此外，在腔室13的适当位置设置压力计(未图示)，使得能够将压力计的监测信息发送到控制部90。在电介质板11的下表面，设置有用于支承电介质板11的支承梁，支承梁兼作为喷淋头30。喷淋头30由铝等金属形成，可以实施过阳极氧化的表面处理。在喷淋头30内形成有在水平方向延伸设置的气体流路31，气体流路31与气体排出孔32连通，该气体排出孔32向下方延伸设置而面对处于喷淋头30下方的处理空间S。与气体流路31连通的气体供给管41从电介质板11的上侧向下侧延伸地连接着喷淋头30的上表面，气体供给管41气密地贯通处理容器10的顶板，与处理气体供给源44连接。在气体供给管41的中途位置设置有开闭阀42和质量流量控制器那样的流量控制器43。由气体供给管41、开闭阀42、流量控制器43和处理气体供给源44形成处理气体供给部40。此外，气体供给管41在中途分支，各分支管与开闭阀、流量控制器以及和处理气体种类相应的处理气体供给源连通(未图示)。在等离子体处理中，从处理气体供给部40供给的处理气体经由气体供给管41被供给到喷淋头30，经由气体排出孔32被排出到处理空间S。在天线容器12内配置有高频天线15。高频天线15通过将由铜、铝等良导电性的金属形成的天线导线15a卷绕成环状或者旋涡状而形成。例如，可以将环状的天线导线15a配置多重。天线导线15a的端子与向天线容器12的上方延伸设置的供电部件16连接，供电部件16的上端与供电线17连接，供电线17经进行阻抗匹配的匹配器18与高频电源19连接。通过对高频天线15从高频电源19施加例如13.56MHz的高频电力，而在腔室13内形成感应电场。利用该感应电场，将从喷淋头30供给到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其特征在于：/n包括基材和形成于所述基材的基材上表面的静电吸盘，/n在所述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置所述基片的覆盖层，/n所述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，/n所述覆盖层之中载置所述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。/n

【技术特征摘要】
20181204 JP 2018-2276221.一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其特征在于：
包括基材和形成于所述基材的基材上表面的静电吸盘，
在所述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置所述基片的覆盖层，
所述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，
所述覆盖层之中载置所述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。


2.如权利要求1所述的基片载置台，其特征在于：
所述静电吸盘上表面包括周边区域和比所述周边区域向下方凹陷的中央区域，
所述覆盖层在所述中央区域形成为中央层，所述中央层的全部区域具有所述表面粗糙度。


3.如权利要求2所述的基片载置台，其特征在于：
在所述周边区域与所述中央层之间具有槽。


4.如权利要求1所述的基片载置台，其特征在于：
所述静电吸盘上表面是平坦的，
所述覆盖层包括具有所述表面粗糙度的中央层和处于所述中央层的外周且表面平滑的外周层，
所述覆盖层形成在平坦的所述静电吸盘上表面。


5.如权利要求4所述的基片载置台，其特征在于：
在所述中央层与所述外周层之间具有槽。


6.如权利要求4或5所述的基片载置台，其特征在于：
在所述静电吸盘的周围配置有由绝缘材料形成的矩形部件，
所述覆盖层在所述上表面沿水平方向延伸，并且在所述静电吸盘与所述矩形部件之间沿铅垂方向延伸。


7.如权利要求1至6中任一项所述的基片载置台，其特征在于：
所述覆盖层是连续的层。


8.如权利要求2至6中任一项所述的基片载置台，其特征在于：
所述中央层由隔开间隔而断续的多个凸部形成。


9.如权利要求2至6中任一项所述的基片载置台，其特征在于：
所述中央层由在基部连续的多个凸部形成。


10.如权利要求1至9中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：南雅人，佐佐木芳彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP