【技术实现步骤摘要】
试验用晶圆及其制造方法
本专利技术涉及一种试验用晶圆及其制造方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，在半导体晶圆(下面，简称为晶圆。)上形成大量的具有规定的电路图案的器件(IC芯片)。对所形成的器件进行电特性等的检查，并区分为良品和次品。例如在各器件被分割前的晶圆的状态下使用检查装置来进行器件的检查。器件的检查装置具备具有大量的针状的探针的探针卡、用于载置晶圆的载置台以及试验仪(参照专利文献1)。该检查装置使探针卡的各探针接触与器件的电极对应地设置的电极焊盘、焊料凸块(bump)，将来自器件的信号传递至试验仪来检查器件的电特性。另外，关于专利文献1的检查装置，在检查器件的电特性时，为了重现该器件的安装环境，通过载置台内的制冷剂流路、加热器来控制载置台的温度。近来，在IC中，导向为高速化、高集成化，因此，在晶圆上形成的器件的发热量增大，其吸热方法成为重要的技术。在器件的检查装置中，在验证吸热方法的基础上，如何能够模拟器件的实际的发热状况成为重要的技术。现有技术文献专利文献专...
【技术保护点】
1.一种试验用晶圆，用于模拟晶圆上的器件的发热，/n该试验用晶圆具有：/n硅晶圆；以及/n硅加热器，其与所述硅晶圆的表面接合。/n
【技术特征摘要】
20181129 JP 2018-2239591.一种试验用晶圆，用于模拟晶圆上的器件的发热，
该试验用晶圆具有：
硅晶圆；以及
硅加热器，其与所述硅晶圆的表面接合。
2.根据权利要求1所述的试验用晶圆，其特征在于，
所述试验用晶圆被用作治具用晶圆，用于载置于进行晶圆的检查的检查装置的载物台来验证所述载物台的吸热特性。
3.根据权利要求2所述的试验用晶圆，其特征在于，
还具有温度监视元件，该温度监视元件与所述硅晶圆的表面接合。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的试验用晶圆，其特征在于，
所述硅加热器通过掺杂杂质来被控制了电阻率。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：河西繁，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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