基片处理方法技术

本发明专利技术涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

Substrate processing method

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法
本专利技术涉及一种基片处理方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种技术，其使处理气体与晶片上的自然氧化膜反应而形成了反应层后，通过加热晶片使反应层升华来除去(蚀刻)自然氧化膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-165954号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。用于解决问题的技术手段本专利技术的一方式的基片处理方包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。专利技术效果依照本专利技术，能够将形成于基片的图案控制为所希望的状态。附图说明图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一例的图。图2是表示实施方式的加热装置的概略结构的一例的图。图3是表示形成有氧化膜的晶片的一例的图。图4是说明实施方式的除去氧化膜的基片处理的流程的一例的图。图5是说明实施方式的除去氧化膜的基片处理的流程的另一例的图。图6是说明实施方式的除去氧化膜的基片处理的流程的另一例的图。图7是说明实施方式的CR处理的流程的一例的图。图8是表示实施方式的由CR处理产生的蚀刻量的一例的图。图9是表示实施方式的基片处理的流程的一例的流程图。图10是表示实施方式的由晶片温度的变化而产生的蚀刻量的变化的一例的图。图11是说明实施方式的线状的图案的LWR、LER的改善的图。图12是表示实施方式的图案的形状的变化的一例的图。图13是表示实施方式的图案的形状的变化的另一例的图。图14是表示实施方式的图案的形状的变化的另一例的图。图15是表示实施方式的将膜作为掩模使用的蚀刻的一例的图。图16是表示实施方式的将膜作为保护膜使用的蚀刻的一例的图。图17是表示实施方式的基片处理的流程的另一例的流程图。图18A是表示实施方式的成为阻碍因素的膜的一例的图。图18B是表示实施方式的成为阻碍因素的膜的另一例的图。图19是说明实施方式的由CR处理产生的图案的形状的变化的一例的图。图20是说明实施方式的由成膜处理和CR处理产生的图案的形状的变化的一例的图。图21是表示实施方式的由成膜处理和CR处理产生的图案的变化的一例的图。图22是表示实施方式的图案的高度、宽度的变化的一例的图。图23是说明实施方式的由成膜处理和CR处理产生的图案的形状的变化的一例的图。图24是表示实施方式的由成膜处理和CR处理产生的图案的变化的一例的图。图25是表示实施方式的图案的高度、宽度的变化的一例的图。图26是表示实施方式的载置台的载置面的区域分割的一例的图。图27是用于说明实施方式的被处理体的温度与成膜量的关系的一例的图。附图标记说明10Si层11SiO2膜12SiN膜14自然氧化膜51碳膜52膜100等离子体处理装置200加热装置P图案W晶片。具体实施方式以下，参照附图，对本申请公开的基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，并不限于由本实施方式公开的基片处理方法。[装置结构]对本实施方式的基片处理中使用的装置的一例进行说明。以下，以使用等离子体处理装置和加热装置来执行本实施方式的基片处理的情况为例进行说明。首先，对本实施方式的等离子体处理装置的结构的一例进行说明。图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一例的图。在本实施方式中，以等离子体处理装置100为感应耦合等离子体(ICP)型的等离子体处理装置的情况为例进行说明。等离子体处理装置100包括金属制(例如铝制)的形成为筒状的处理室(腔室)102。在处理室102的底部设置有用于载置半导体晶片(以下也称为“晶片”)W的载置台110。载置台110由铝等形成为圆柱状。在载置台110设置有加热器111。加热器111与加热器电源112连接，利用从加热器电源112供给的电力来发热。载置台110通过加热器111来控制晶片W的温度。此外，虽然未图示，能够在载置台110设置利用静电力吸附保持晶片W的静电吸盘、制冷剂流路等温度调节机构等所需要的功能装置。等离子体处理装置100被用作蚀刻装置时，对载置台110施加用于将离子引入晶片W的高频偏置电力。由例如石英玻璃、陶瓷等构成的板状的电介质104以与载置台110相对的方式设置于在处理室102的顶部。具体而言，电介质104形成为例如圆板状，以封闭形成于处理室102的顶部的开口的方式气密地安装。处理室102与供给晶片W的处理中使用的各种气体的气体供给部120连接。在处理室102的侧壁部形成有气体导入口121。气体导入口121经由气体供给配管122与气体供给部120连接。气体供给部120分别经由气体供给通路与晶片W的处理中使用的各种气体的气体供给源连接。各气体供给通路根据基片处理的处理步骤而适当分支，设置有开闭阀、流量控制器。气体供给部120通过控制设置于各气体供给通路的开闭阀、流量控制器，来控制各种气体的流量。气体供给部120根据基片处理的处理步骤将各种气体供给到气体导入口121。供给到气体导入口121的各种气体，从气体导入口121被供给到处理室102内。另外，在图1中，以气体供给部120构成为能够从处理室102的侧壁部供给气体的情况为例，不过并不限于此。例如也可以构成为从处理室102的顶部供给气体。在该情况下，例如也可以为在电介质104的中央部形成气体导入口，以从电介质104的中央部供给气体。在处理室102的底部，经由排气管132连接有用于排出处理室102内的气氛的排气部130。排气部130例如由真空泵构成，将处理室102内减压至规定的压力。在处理室102的侧壁部形成有晶片送入送出口134。在晶片送入送出口134设置有闸阀136。例如，在送入晶片W时，打开闸阀136，利用未图示的输送臂等输送机构将晶片W载置到处理室102内的载置台110上，关闭闸阀136进行晶片W的处理。在处理室102的顶部，在电介质104的上侧面(外侧面)配置有平面状的高频天线140和覆盖高频天线140的屏蔽部件160。高频天线140设置有天线元件142。天线元件142形成为由例如铜、铝、不锈钢等导体构成的螺旋线圈状。天线元件142与高频电源150连接。高频电源150对生成等离子体的天线元件142以规定的功率供给规定频率的高频(例如40MHz)。此外，从高频电源150输出的高频不限于上述的频率，也可以为例如13.56MHz、27MHz、40MHz、60MHz等各种频率的高频。当高频电源150对天线元件142供给高频时，在处理室102内形成感应磁场。利用所形成的感应磁场，激发被导入到处理室10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：/n提供具有图案的处理对象的基片的步骤；/n在所述基片上形成膜的步骤；/n利用等离子体在所述基片的表层形成反应层的步骤；和/n对所述基片施加能量来除去所述反应层的步骤。/n

【技术特征摘要】
20181130 JP 2018-225461;20190426 JP 2019-0868121.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
提供具有图案的处理对象的基片的步骤；
在所述基片上形成膜的步骤；
利用等离子体在所述基片的表层形成反应层的步骤；和
对所述基片施加能量来除去所述反应层的步骤。


2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述形成膜的步骤中，在所述基片上形成含硅膜。


3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述形成膜的步骤中，在所述基片的第一区域有选择地形成含硅膜，
在除去所述反应层的所述步骤中，通过除去所述反应层来除去形成于所述基片的第一区域以外的第二区域中的含硅膜。


4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述基片在设置于硅层上的SiO2膜形成有到达该硅层的图案，SiO2膜的上表面和图案的侧面由SiN膜覆盖，在图案的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜沼隆幸，久松亨，石川慎也，木原嘉英，本田昌伸，户村幕树，熊仓翔，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP