提供一种载置台，其是用于载置被实施等离子体处理的基板的载置台，其中，该载置台具有：静电卡盘，其吸附被配置于所述基板的周边的边缘环和该基板；和供给孔，其用于向所述静电卡盘与所述边缘环之间供给热介质，在所述边缘环和所述载置台中的至少任一者设...

一个实施方式所涉及的等离子体处理装置具备腔室、基板支承台、高频电源以及控制部。基板支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源向下部电极供给偏置高频电力。在基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环。控制部使用偏置高频电力的电力水平与通过向...

本发明的一例示性实施方式所涉及的静电卡盘具有第1区域及第2区域。第1区域具有第1上表面。第1区域构成为保持载置于第1上表面上的基板。第2区域具有第2上表面。第2区域以包围第1区域的方式沿周向延伸。第2区域构成为支撑搭载于第2上表面上的聚...

一种流量测量方法具备以下步骤：测量填充在第一流路和第二流路中的气体的第一压力；在测量出所述第一压力后，且在经由流量控制器向所述第一流路和所述第二流路供给气体后，测量填充在所述第一流路和所述第二流路中的气体的第二压力及温度；在所述第一流路...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，该基板处理装置能够防止在从基板表面去除干燥液时发生图案破损。所述基板处理装置包括：基板保持部，其保持基板；干燥液供给部，其对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；温度调整部，其使基...

本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。

本发明涉及一种基板处理装置和搬送位置校正方法，针对载置台高精度地搬送基板。基板处理装置具备：搬送机构，其具有保持基板的第一拾取器，用于搬送基板；检测机构，其检测由搬送机构搬送来的基板的位置；载置台，其设置于处理腔室内，用于载置基板；升降...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置减少使收纳有基板的基板处理容器暂时待机的保管部所占的地面专有面积。对基板进行处理的基板处理装置具有：保管部，其设置于所述基板处理装置的最上部，载置用于收纳基板的基板收纳容器；搬入搬...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。能够更可靠地抑制微粒的产生。基板处理装置具有：基板保持旋转部，其保持基板并使其旋转；处理液供给喷嘴，其向利用所述基板保持旋转部保持的基板的周缘部供给处理液；以及气体供给喷嘴，其设于俯视时比所述周缘部...

本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。例示的实施方式的含硅膜的蚀刻方法，包括在等离子体处理装置的腔室主体内准备被加工物的工序。被加工物具有含硅膜和掩模。掩模设置于含硅膜上。在掩模形成有开口。蚀刻方法还包括蚀刻含硅膜的工序。在进行蚀刻的工...

本发明提供滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置。减小针对电性构件设置的滤波器单元的频率特性的偏差。等离子体处理装置中的滤波器单元的调整方法包括第一测定工序和调整工序。在第一测定工序中，测定多个滤波器单元中的作为基准的滤波器单元的频率特...

本发明提供一种能够检查流量控制器的控制功能的流量控制器的检查方法。一种检查方法，其为进行流体的流量控制的流量控制器的检查方法，其中，流量控制器具备：第1压力检测器，检测作为流体压力的第1压力；及隔膜阀，设置于第1压力检测器的下游且具有隔...

本发明提供一种能够检查流量控制器的控制功能的流量控制器的检查方法。进行流体的流量控制的流量控制器的检查方法包括：基准记录步骤，根据在基准测定步骤中测定的基准数据，生成及记录将第1压力、设定流量或第2压力及压电元件的控制值建立关联的三维数...

蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境下对蚀刻对象进行蚀刻的步骤。对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包含在该蚀刻对象含有氮化硅SiN时，在氢H和氟F存在的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤，且包含在该蚀刻对象含有硅Si时，在存在氮N...

实施方式的基片处理装置包括处理单元(16)、控制部(18)和测量部(102)。处理单元包括：能够保持基片并使其旋转的保持部(31)；释放处理液的喷嘴(41)；和对喷嘴供给处理液的导电性的配管部(44)。控制部对处理单元执行通过从喷嘴对由...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质，能够减少功率使用量。例示的实施方式的基片处理装置包括：收纳作为处理对象的基片的处理室；在处理室内支承并加热基片的热板；从处理室内排出气体的排气部；测量热板的温度的第一温度测量部；测量处理室...

本发明提供一种能够降低测试成本的技术。本公开的一个方案的中间连接部件设置在具有多个第一端子的第一部件与具有多个第二端子的第二部件之间，用于将所述第一端子与所述第二端子电连接，包括：组合件，其具有用于将所述第一端子与所述第二端子电连接的连...

本发明提供基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法。该基板处理装置能够使内管与基板之间的距离接近。该基板处理装置具有：圆筒形状的反应管，其在下端具有开口；盖体，其能够打开关闭该反应管的所述开口；基板保持件，其能够载置于该盖体，能够在...

本实用新型涉及热处理装置。提供能将基板保持件稳定地保持在保温台且能抑制热量从保温台的上方向保温台的下方散失的技术。热处理装置具备处理容器，其包括沿铅垂方向延伸的圆筒状的反应管；基板保持件，其在反应管的内部沿铅垂方向隔开间隔地保持多个基板...

例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、高频电源部和修正信号生成部。高频电源部在第一期间输出脉冲状的高频电功率。高频电源部在第一区间之后的一个以上的第二期间输出合成高频电功率。修正信号生成部生成相对于第一期间的反射波监测信号以反相振荡...