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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
基板处理系统和基板处理方法技术方案
基板处理系统,其具备:紫外线照射部,其用于对保护基板的保护带照射紫外线;安装部,其借助粘着带将所述基板安装于框架,该粘着带以所述基板为基准设于与紫外线照射后的所述保护带相反的一侧;以及剥离部,其自借助所述粘着带安装于所述框架的所述基板剥...
绝缘膜的成膜方法、基板处理装置和基板处理系统制造方法及图纸
[课题]提供一种技术,其在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时,可以得到良好的膜质。[解决方案]将包含聚硅氮烷的涂布液涂布于晶圆W,在使涂布液的溶剂挥发后且进行固化工序前,在氮气气氛中对前述涂布膜照射紫外线。因此,使在聚硅氮烷中预先...
基板处理方法技术
基板处理方法具有:加工工序,自基板的与粘贴有保护带的第1主表面相反的一侧的第2主表面侧对所述基板进行加工;以及输送工序,将能够利用静电吸附力进行吸附的静电支承件安装于在加工工序中进行了加工的基板并进行输送。以将静电支承件安装于施加了加工...
半导体制造装置的设置方法和设置系统以及存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种通过在地板面上排列多个区块而构成的半导体制造装置(100)的设置方法,其包括:输送步骤,将第2区块(3)输送到以第1区块(2)为基准的规定区域中;移动装置安装步骤,将多个移动装置(300)安装在第2区块(3)的规定部位;面...
电压施加装置和输出电压波形的形成方法制造方法及图纸
在对形成于基片上的多个被检查器件检查电特性的检测器中,对被检查器件施加电压的电压施加装置,其在被赋予规定的设定条件时,设定作为过渡电压设定参数的过渡阶梯数、阶梯时间、阶梯电压,以能够形成适合于规定的设定条件的、具有多个过渡阶梯的阶梯状的...
温度控制系统和温度控制方法技术方案
本发明涉及温度控制系统和温度控制方法。温度控制系统包括:使载热体在形成于部件的流路中循环的第一泵;第二泵;温度调节单元;第一流路;第二流路;设置于第一流路的第一阀;设置于第二流路的第二阀;第一旁通流路,其在比第一阀和第二阀靠温度调节单元...
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c),在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载...
安装状态提示装置和安装状态提示方法制造方法及图纸
本发明提供一种安装状态提示装置和安装状态提示方法。安装状态提示装置包括数据库、获取部、第一确定部、比较部和输出部。数据库对于处理装置所包含的多个部件,分别保存该部件的安装位置和朝向的信息。获取部获取由3D扫描仪取得的表示处理装置的外观的...
等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中,包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行,在第二期间内第一高频功率被供...
静电卡盘的再生方法和静电卡盘技术
本发明提供能够减少加工量的静电卡盘的再生方法和静电卡盘。一种静电卡盘的再生方法,该静电卡盘的再生方法包括以下工序:提供具有凹部和自所述凹部的底面突出的凸部的所述静电卡盘;形成第1掩模,该第1掩模覆盖除所述凸部以外的所述凹部;借助所述第1...
内壁和基板处理装置制造方法及图纸
在基板处理装置中被使用、且与载置基板的载置台的外周空开间隔地包围该载置台的圆筒形状的内壁在下端形成有多个狭缝,在该内壁的内侧面形成有多个自其上端延伸到下端且与该狭缝连通的槽。
干燥装置及基板处理装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种干燥装置,其使用干燥蒸气可以将被处理体良好干燥。根据本实用新型的干燥装置,在处理槽内部设置气体喷出口,并且连通连结有干燥蒸气供给机构,所述干燥蒸气供给机构将使药液气化所得的干燥蒸气与载流气体一起从所述气体喷出口向被处理...
基片冷却装置和基片冷却方法制造方法及图纸
本发明提供一种对加热处理后的基片进行冷却的基片冷却装置和基片冷却方法。所述基片冷却装置包括:具有冷却机构的冷却载置部;和支承部件,其能够直接接受加热处理后的基片,并支承接受到的该基片,使其在所述冷却载置部之上升降。由此,能够抑制因加热处...
基板处理系统技术方案
本发明提供将多个基板搬运至载置部的基板处理系统。该基板处理系统具备:第1室,具有载置多个基板的载置部;第2室,具有载置多个基板的载置部;第1搬运装置,具有多个沿长度方向上保持多个基板的叶片,将载置于上述第1室的载置部的多个基板保持在相同...
等离子体处理装置和控制方法制造方法及图纸
本发明提供等离子体处理装置和控制方法。等离子体处理装置包括:处理容器;在处理容器内载置被处理体的电极;对处理容器内供给等离子体的等离子体生成源;对电极供给偏置功率的偏置电源;配置在被处理体的周缘的周边环;对周边环供给直流电压的直流电源;...
基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法。在该基板支承组件中,能够以抑制支承台与聚焦环之间的阻抗的变化的方式调整聚焦环的铅垂方向的位置。例示的实施方式的基板支承组件具备支承台和一个以上的压电元件。支承台具有下部...
涂布显影装置和涂布显影方法制造方法及图纸
本发明提供一种在多个基板之间进行均匀性高的处理的涂布显影装置和涂布显影方法。该涂布显影装置构成为具备:处理块,其具备上下地层叠并且彼此划分开的多个基板搬送区域;处理模块,其分别设置于多个基板搬送区域;搬送机构,其分别设置于多个基板搬送区...
热处理装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种热处理装置。该热处理装置包括:处理容器,其包括在铅垂方向延伸的圆筒状的反应管;基片保持件,其在所述反应管的内部在铅垂方向隔开间隔地保持多个基片;加热器,其从所述反应管的径向外侧加热所述反应管的内部;配置在所述加热器的正...
真空处理装置、喷淋头、以及螺丝刀制造方法及图纸
本实用新型提供一种使组装装置之际的作业工时削减的真空处理装置、喷淋头、以及螺丝刀。在真空气氛的环境下对被处理体进行处理的真空处理装置具备容器、第1构件、第2构件以及螺钉。容器供被处理体输入,其内部控制成真空气氛。第1构件和第2构件设置于...
基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸
本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。该基片处理装置包括:输送至少一个作为处理对象的基片的输送装置;输送控制部,其使输送装置进行输送基片的正常输送和以比正常输送高的定位精度输送基片的高精度输送;预热控制部,其根据需要使输送装置...
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