本发明涉及基片状态判断装置及方法、基片处理装置和模型生成装置。本发明的一个方式的基片状态判断装置包括：拍摄载置于载置台的基片的拍摄部；学习部，其使用在上述基片的图像添加了表示基片的状态的信息而得的训练数据进行机械学习，来生成基片状态判断...

本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括预处理线、涂敷线、显影线和清洗线。预处理线对基片进行预处理。涂敷线配置在预处理线的下方，在进行了预处理的基片上涂敷光致抗蚀剂液。显影线对涂敷了光致抗蚀剂液的基片进...

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。提供能够削减由虚拟分配等废弃的处理液并且在基板处理时稳定地供给处理液的技术。本公开的一技术方案提供的基板处理装置包括喷嘴、待机部、供给路径、排出路径、循环路径以及气体介质截止机构。喷嘴向...

本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括涂敷线、第一输送部、热处理线和第二输送部。涂敷线在基片上涂敷处理液。第一输送部将基片输送到涂敷线。热处理线与涂敷线并排配置，对涂敷了处理液的基片进行热处理。第二输...

本公开涉及成膜装置和成膜方法。在对多个基板进行成膜处理时，抑制基板间的膜厚的变动。本公开的成膜装置具备：载置部，其用于在真空容器内载置基板并且对该基板进行加热；喷淋头，其具备与载置部相向的相向部以及在该相向部进行开口所形成的多个气体喷出...

包括以下工序：第一工序，对与测试器并联连接的多个器件同时输入规定的模式的检查信号来开始规定的模式的检查；第二工序，在规定的模式中判定是否包括不合格的器件；第三工序，在第二工序中判定为包括不合格的器件的情况下，针对多个器件的各器件依次执行...

本发明涉及升降装置、半导体制造装置的组装装置及其组装方法，能够减轻在组装半导体制造装置时操作者的负担。本发明的一个方式的升降装置包括：在上下方向延伸的轴部；能够沿上述轴部升降的第一升降部；使上述第一升降部升降的第一驱动部；能够在比上述第...

本公开涉及基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质，提供一种能够高精度地进行处理液内的特定的成分的浓度变更的技术。基板液处理装置具有贮存处理液的处理槽、对处理槽供给处理液的处理液供给部、从处理槽排出处理液的处理液排出部和控制处理液供给部...

一种基板搬送模块和基板搬送方法。本公开的模块具备：设置于壳体的侧壁的第一基板搬送口和第二基板搬送口；载入埠，其将由容器主体和盖体构成并且用于保存基板的搬送容器的所述容器主体，以使在所述容器主体开口的基板取出口的口缘部与第一基板搬送口的口...

本发明提供一种基板处理装置和该装置中的外部空气漏入部位确定方法，有利于外部空气漏入部位的确定。基板处理装置具有：采样配管，其在装载区域内从针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位设定的多个采样端口延伸设置；氧浓度计，其与采...

本发明提供处理条件修正方法和基片处理系统，在摄像装置少的基片处理系统中能够不损害生产率地对处理条件进行适当修正。处理条件修正方法包括：监视用拍摄步骤，在一连串处理开始前和结束后拍摄各基片；装置确定步骤，基于监视用拍摄步骤的拍摄结果和处理...

本发明提高一种阀装置、处理装置、以及控制方法，缩短随着清洁而产生的处理装置的停止期间。阀装置具备多个阀、壳体、热扩散部、加热部、供给部、以及控制部。多个阀控制向处理容器供给的多个处理气体的流通。壳体形成供处理气体流通的多个第1流路。热扩...

本发明的实施方式的基片输送装置包括保持部(80)和供给部(81)。保持部(80)保持在正面(Wa)形成有图案的基片。供给部(81)将使保持于保持部(80)的基片的正面(Wa)局部地成为低氧状态的非活性气体(G)供给到基片的正面(Wa)。

本发明提供一种在使用超临界状态的处理流体使基片干燥的基片处理装置中，抑制因附着于处理流体的供给管线的颗粒喷出到处理空间而污染产品基片的技术。本发明的基片处理装置的颗粒除去方法包括：升压工序、流通工序和颗粒除去工序。升压工序在第二开闭阀和...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制微粒向基板的下表面附着的技术。本公开的基板处理装置包括旋转板、多个固定支承部、多个可动支承部以及多个提升销。旋转板能够旋转。多个固定支承部固定地设于旋转板上，沿着旋转板的周向呈圆弧状...

本发明提供一种显影方法，用于进行显影，其包括：将曝光后的基板水平地保持在基板保持部上的步骤；从显影液喷嘴向基板的一部分供给显影液形成积液的步骤；使基板旋转的步骤；使上述显影液喷嘴移动，以使得进行旋转的上述基板上的显影液的供给位置沿着该基...

本发明提供气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从...

本公开涉及成膜装置和成膜方法，在向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜时，抑制成膜气体绕到载置部的下方并附着于载置部。在从与处理容器内的载置部相向的成膜气体供给部向载置于载置部的基板供给成膜气体来对基板进行成膜的成膜装置中，以...

本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子...

选择性地蚀刻氮化硅膜的方法具有以下的工序：第一工序，将具有氮化硅膜的被处理基板配置在处理空间中；第二工序，向处理空间导入包含H和F的气体；以及第三工序，选择性地向处理空间导入非活性气体的自由基。