基板处理装置、基板处理方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。提供能够削减由虚拟分配等废弃的处理液并且在基板处理时稳定地供给处理液的技术。本公开的一技术方案提供的基板处理装置包括喷嘴、待机部、供给路径、排出路径、循环路径以及气体介质截止机构。喷嘴向基板喷出处理液。待机部具有开口部，该待机部使喷嘴贯穿于开口部而待机。供给路径向喷嘴供给处理液。排出路径自待机部排出处理液。循环路径通过喷嘴、待机部、供给路径以及排出路径相连而形成。气体介质截止机构设于循环路径，用于将循环路径的内部与基板的周围之间切断。

Substrate processing device, substrate processing method and storage medium

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
公开的实施方式涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
技术介绍
以往，在对半导体晶圆(以下也称作晶圆)等基板进行液体处理的基板处理装置中公知有这样一种技术：在不对基板进行液体处理的情况下，使喷出处理液的喷嘴在待机部待机，而对处理液进行虚拟分配。该虚拟分配是为了稳定地向基板上供给处理液等而进行的(参照专利文献1)。专利文献1：日本特开平10－74725号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够削减由虚拟分配等废弃的处理液并且在基板处理时稳定地供给处理液的技术。用于解决问题的方案本公开的一技术方案提供的基板处理装置包括喷嘴、待机部、供给路径、排出路径、循环路径以及气体介质截止机构。喷嘴向基板喷出处理液。待机部具有开口部，该待机部使所述喷嘴贯穿于所述开口部而待机。供给路径向所述喷嘴供给所述处理液。排出路径自所述待机部排出所述处理液。循环路径通过所述喷嘴、所述待机部、所述供给路径以及所述排出路径相连而形成。气体介质截止机构设于所述循环路径，用于将所述循环路径的内部与所述基板的周围之间切断。专利技术的效果根据本公开，能够削减由虚拟分配等废弃的处理液并且在基板处理时稳定地供给处理液。附图说明图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概略结构的示意图。图2是表示处理单元的具体的结构例的示意图。图3是表示实施方式所涉及的处理液供给部、供给路径以及排出路径的结构的图。图4是用于对实施方式所涉及的处理液的流动进行说明的图(1)。图5是用于对实施方式所涉及的处理液的流动进行说明的图(2)。图6是表示实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的结构的图。图7是图6的A－A线剖视图。图8是用于说明实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的动作的图(1)。图9是用于说明实施方式的变形例1所涉及的气体介质截止机构的动作的图(2)。图10是表示实施方式的变形例2所涉及的气体介质截止机构的结构的图。图11是表示实施方式的变形例3所涉及的气体介质截止机构的结构的图。图12是表示实施方式的变形例4所涉及的气体介质截止机构的结构的图。图13是表示实施方式的变形例5所涉及的气体介质截止机构的结构的图(1)。图14是表示实施方式的变形例5所涉及的气体介质截止机构的结构的图(2)。图15是表示实施方式的变形例6所涉及的气体介质截止机构的结构的图(1)。图16是表示实施方式的变形例6所涉及的气体介质截止机构的结构的图(2)。图17是表示实施方式所涉及的排出路径的详细结构的图。图18是表示实施方式所涉及的控制阀的行为模式的具体例的时序图。图19是表示实施方式的变形例7所涉及的排出路径的详细结构的图。图20是表示实施方式的变形例7所涉及的控制阀的行为模式的具体例的时序图。图21是表示实施方式的变形例8所涉及的排出路径的详细结构的图。图22是表示实施方式的变形例9所涉及的排出路径的详细结构的图。具体实施方式以下，参照附图，详细地说明本申请公开的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质的实施方式。另外，本公开并不限定于以下所示的实施方式。而且，需要注意的是，附图为示意性的附图，各要素的尺寸的关系、各要素的比例等存在与现实不同的情况。此外，还存在附图相互之间包含互相的尺寸的关系、比例不同的部分的情况。以往，在对半导体晶圆(以下也称作晶圆)等基板进行液体处理的基板处理装置中，公知有这样一种技术：在不对基板进行液体处理的情况下，使喷出处理液的喷嘴在待机部待机，而对处理液进行虚拟分配。该虚拟分配是为了向基板上稳定地供给处理液等而进行的。而且，在使喷嘴于待机部待机的状态下，通过连接向该喷嘴供给处理液的供给路径和自待机部排出处理液的排出路径而形成循环路径，能够使进行了虚拟分配的处理液在基板处理装置内循环。另一方面，在使用不同种类的处理液进行液体处理的情况下，若循环路径内的处理液与对基板进行处理的处理液不同，则经由气体介质(日文：雰囲気)使不同种类的处理液彼此反应，而存在生成杂质等的情况。而且，由于该杂质，可能导致基板、处理液被污染。于是，期待通过削减由虚拟分配等废弃的处理液并抑制循环路径内的气体介质与基板的周围的气体介质混杂，从而在基板处理时稳定地供给处理液。＜基板处理系统的概要＞首先，参照图1，对实施方式所涉及的基板处理系统1的概略结构进行说明。图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概略结构的图。另外，基板处理系统1为基板处理装置的一个例子。以下，为了明确位置关系，限定互相正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻设置。输入输出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有以水平状态收纳多个基板的多个载体C，所述基板在实施方式中为半导体晶圆W(以下称为晶圆W)。输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13包括保持晶圆W的晶圆保持机构。而且，基板输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在载体C与交接部14之间进行晶圆W的输送。处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17包括保持晶圆W的晶圆保持机构。而且，基板输送装置17能够向水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。处理单元16对利用基板输送装置17输送的晶圆W进行规定的基板处理。而且，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19储存有对基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行储存于存储部19的程序从而控制基板处理系统1的动作。另外，该程序是存储到由计算机能够读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为由计算机能够读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)以及存储卡等。在上述这样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶圆W，将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出，并向处理单元16输入。在利用处理单元16对输入到处理单元16的晶圆W进行了处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出，并载置于交接部14。然后，利用基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其中，/n该基板处理装置包括：/n喷嘴，其向基板喷出处理液；/n待机部，其具有开口部，该待机部使所述喷嘴贯穿于所述开口部而待机；/n供给路径，其向所述喷嘴供给所述处理液；/n排出路径，其自所述待机部排出所述处理液；/n循环路径，其通过所述喷嘴、所述待机部、所述供给路径以及所述排出路径相连而形成；以及/n气体介质截止机构，其设于所述循环路径，用于将所述循环路径的内部与所述基板的周围之间切断。/n

【技术特征摘要】
20180830 JP 2018-1618451.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
喷嘴，其向基板喷出处理液；
待机部，其具有开口部，该待机部使所述喷嘴贯穿于所述开口部而待机；
供给路径，其向所述喷嘴供给所述处理液；
排出路径，其自所述待机部排出所述处理液；
循环路径，其通过所述喷嘴、所述待机部、所述供给路径以及所述排出路径相连而形成；以及
气体介质截止机构，其设于所述循环路径，用于将所述循环路径的内部与所述基板的周围之间切断。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述排出路径具有截止阀，该截止阀用于切断所述处理液的自所述待机部向所述排出路径的流入，
所述气体介质截止机构为所述截止阀。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述气体介质截止机构为开闭所述开口部的闸门。


4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述气体介质截止机构由所述开口部以及与所述开口部邻接的气体抽吸部和气体喷出部构成。


5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述气体介质截止机构为用于将所述喷嘴与所述待机部之间密封的密封机构。


6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括罐，该罐设于所述待机部的下方，与所述供给路径和所述排出路径连接，储存所述处理液。


7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村史洋，小宫洋司，绪方信博，大塚贵久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP