基板处理装置和该装置中的外部空气漏入部位确定方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和该装置中的外部空气漏入部位确定方法，有利于外部空气漏入部位的确定。基板处理装置具有：采样配管，其在装载区域内从针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位设定的多个采样端口延伸设置；氧浓度计，其与采样配管连通；多联式的自动开闭阀，其位于与各个采样端口对应的位置；吹扫机构，其向装载区域内吹扫非活性气体；以及控制器，其中，控制器针对全部的采样端口执行将多个自动开闭阀中的一个打开且将其它多个自动开闭阀关闭的切换控制，从氧浓度计接收与在各切换控制后打开的自动开闭阀对应的采样端口的氧浓度测量信号，并将浓度测量值和浓度阈值进行比较。

Base plate treatment device and determination method of external air leakage part in the device

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和该装置中的外部空气漏入部位确定方法
本专利技术涉及一种基板处理装置和基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种具有反应容器、氧浓度计、用于向氧浓度计引导反应容器的气氛的浓度检测配管以及用于将浓度检测配管切断的浓度检测配管用气阀的固体制造装置。该固体制造装置还具有用于向氧浓度计引导氮气的氮气导入配管、用于将氮气导入配管切断的氮气导入配管用气阀以及用于控制各气阀的开闭的控制部。在检测反应容器的氧浓度的情况下，将浓度检测配管用气阀设为开状态，将氮气导入配管用气阀设定为闭状态。另一方面，在不检测反应容器的氧浓度的情况下，将浓度检测配管用气阀设为闭状态，将氮气导入配管用气阀设定为开状态。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平10-321636号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种有利于确定外部空气漏入部位的基板处理装置和基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法。用于解决问题的方案本公开的一个方式的基板处理装置至少具有热处理区域和装载区域，该热处理区域具备对基板进行热处理的热处理炉，在该装载区域与所述热处理炉之间进行所述基板的搬出搬入，所述基板处理装置还具有：采样配管，其在所述装载区域内从多个采样端口延伸设置，所述多个采样端口是针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位而设定的；氧浓度计，其与所述采样配管连通；多联式的自动开闭阀，其位于所述采样配管的中途且与各个所述采样端口对应的位置；吹扫机构，其向所述装载区域内吹扫非活性气体来将所述装载区域内设为非活性气体气氛；以及控制器，其中，所述控制器保存氧浓度的浓度阈值，所述控制器针对全部的所述采样端口执行将多个所述自动开闭阀中的一个所述自动开闭阀打开且将其它所述自动开闭阀关闭的切换控制，从所述氧浓度计接收与在各切换控制后打开的所述自动开闭阀对应的所述采样端口的氧浓度测量信号，所述控制器将全部的所述采样端口处的浓度测量值与所述浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述浓度阈值的氧浓度的所述采样端口。专利技术的效果根据本公开，能够在基板处理装置中确定外部空气漏入部位。附图说明图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的一例的图。图2是第一实施方式所涉及的基板处理装置的功能框图。图3是示出控制器的硬件结构的一例的图。图4是示出控制器的功能结构的一例的图。图5是实施方式所涉及的基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法的一例的流程图。图6是示出控制器的控制序列的一例的图。图7是第二实施方式所涉及的基板处理装置的功能框图。具体实施方式下面，参照附图来说明本公开的实施方式所涉及的基板处理装置和基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法。此外，在本说明书和附图中，有时对实质上相同的结构要素标注相同的附图标记，由此省略重复的说明。[第一实施方式]<基板处理装置>首先，参照图1至图4来说明本公开的第一实施方式所涉及的基板处理装置的一例。在此，图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的一例的图，图2是第一实施方式所涉及的基板处理装置的功能框图。另外，图3是示出控制器的硬件结构的一例的图，图4是示出控制器的功能结构的一例的图。如图1所示，基板处理装置100具有热处理区域20和装载区域10，在该装载区域10与热处理炉21(也称作工艺管道)之间进行晶圆的搬出和搬入。在装载区域10内并列地配设有多个采样配管30，在各个采样配管的中途设置有多联式的自动开闭阀40，各采样配管30与一台氧浓度计50连通。并且，在装载区域10的外侧具有控制器60，该控制器60控制自动开闭阀40、氧浓度计50。在此，“多联式的自动开闭阀40”是指以下的自动开闭阀组：具有多个自动开闭阀40，使利用控制器60进行的各自动开闭阀40的打开和关闭以相互关联的方式被执行。热处理区域20在内部具备用双点划线表示的热处理炉21，该热处理炉21对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行热处理。图示例的热处理炉21为纵型的热处理炉，对晶圆进行例如扩散处理、氧化处理、CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)处理等各种热处理。装载区域10和热处理区域20均为壳体，该壳体是形成壁、顶部的面材安装于形成轮廓的框架结构(未图示)而构成的，装载区域10的顶部兼用作热处理区域20的底部，将双方的区域划分开。框架结构例如通过截面弯曲形成为曲柄形的框架构件彼此溶接等而形成，顶部、壁由不锈钢板等形成，通过焊接或螺栓而与框架结构接合。在装载区域10，从承载件(未图示)内向石英制的晶圆舟(未图示)进行晶圆的移交、利用作为升降机构的舟电梯(未图示)相对于热处理炉21进行晶圆舟的搬出和搬入。在装载区域10，在四个侧面中的一个侧面(前表面)，以自动开闭自如的方式安装有FIMS(Front-openingInterfaceMechanicalStandard：前开口接口机械标准)门16。另外，在装载区域10的另一个侧面即与FIMS门16相向的侧面(背面)，经由铰链以开闭自如的方式安装有维护门14。另外，在装载区域10的另一个侧面即与FIMS门16及维护门14正交的侧面，经由铰链以开闭自如的方式安装有侧门15。在侧门15的内侧安装有FFU(FilterFunUnit：风机过滤单元，未图示)，在侧门15的下方位置安装有吹扫机构12。吹扫机构12具有气体配管12a、开闭阀12b(非活性气体进气阀的一例)、非活性气体供给源(未图示)、气体供给源(未图示)以及MFC(MassFlowController：质量流量控制器，未图示)。吹扫机构12是为了将装载区域10内例如设为氮(N2)气体气氛(非活性气体气氛、非氧气氛)而向装载区域10内导入N2气体的机构。此外，作为非活性气体，也能够应用氦(He)气、氩(Ar)气之类的稀有气体，但在图示例的基板处理装置100中应用N2气体。在FIMS门16的上方安装有排气机构13。排气机构13具有排气配管13a(排气阀的一例)、开闭阀13b以及风扇等吸引机(未图示)。经由吹扫机构12导入至装载区域10内的N2气体首先被引导至FFU，在FFU中被净化后经由内置于FFU中的鼓风扇而被导入装载区域10内。利用吹扫机构12以比常压高的压力向装载区域10内供给N2气体，由此能够维持装载区域10内的低氧浓度气氛。在维护门14的侧方(在图1中为右侧)的下方位置安装有空气进气机构11，该空气进气机构11用于向已被设为非活性气体气氛的装载区域10内导入大气来将装载区域10内设为大气压气氛。空气进气机构11具有空气配管11a和开闭阀11b。在将装载区域10内从正压的N2气体气氛设为大气压气氛时，使排气机构13工作来对装载区域10内的N2气体进行排气，之后通过使空气进气机构11工作来使装载区域10内向大气开放。例如在对装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，至少具有热处理区域和装载区域，该热处理区域具备对基板进行热处理的热处理炉，在该装载区域与所述热处理炉之间进行所述基板的搬入和搬出，所述基板处理装置还具有：/n采样配管，其在所述装载区域内从多个采样端口延伸设置，所述多个采样端口是针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位而设定的；/n氧浓度计，其与所述采样配管连通；/n多联式的自动开闭阀，其位于所述采样配管的中途且与各个所述采样端口对应的位置；/n吹扫机构，其向所述装载区域内吹扫非活性气体来将所述装载区域内设为非活性气体气氛；以及/n控制器，/n其中，所述控制器保存氧浓度的浓度阈值，/n所述控制器针对全部的所述采样端口执行将多个所述自动开闭阀中的一个所述自动开闭阀打开且将其它所述自动开闭阀关闭的切换控制，从所述氧浓度计接收与在各切换控制后打开的所述自动开闭阀对应的所述采样端口的氧浓度测量信号，/n所述控制器将全部的所述采样端口处的浓度测量值与所述浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述浓度阈值的氧浓度的所述采样端口。/n

【技术特征摘要】
20180821 JP 2018-1550361.一种基板处理装置，至少具有热处理区域和装载区域，该热处理区域具备对基板进行热处理的热处理炉，在该装载区域与所述热处理炉之间进行所述基板的搬入和搬出，所述基板处理装置还具有：
采样配管，其在所述装载区域内从多个采样端口延伸设置，所述多个采样端口是针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位而设定的；
氧浓度计，其与所述采样配管连通；
多联式的自动开闭阀，其位于所述采样配管的中途且与各个所述采样端口对应的位置；
吹扫机构，其向所述装载区域内吹扫非活性气体来将所述装载区域内设为非活性气体气氛；以及
控制器，
其中，所述控制器保存氧浓度的浓度阈值，
所述控制器针对全部的所述采样端口执行将多个所述自动开闭阀中的一个所述自动开闭阀打开且将其它所述自动开闭阀关闭的切换控制，从所述氧浓度计接收与在各切换控制后打开的所述自动开闭阀对应的所述采样端口的氧浓度测量信号，
所述控制器将全部的所述采样端口处的浓度测量值与所述浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述浓度阈值的氧浓度的所述采样端口。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有所述采样端口所固有的所述采样配管延伸设置到一台所述氧浓度计的并联型配管。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有将全部的所述采样端口连结的一根所述采样配管延伸设置到一台所述氧浓度计的串联型配管。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述氧浓度计是吸引式的氧浓度计。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制器告知具有超过所述阈值的氧浓度的所述采样端口。


6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述外部空气可能漏入部位具有密封构件，
所述控制器将浓度相对于氧浓度的初始值增加的阈值设为增加后浓度阈值，进一步将所述增加后浓度阈值保存为所述密封构件的维护基准，
所述控制器将随时保存的各个所述采样端口处的浓度测量值与所述增加后浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述增加后浓度阈值的浓度测量值的所述采样端口。


7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：马场则夫，长谷川孝祐，苏祎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP