磨削基板的磨削装置具有：基板保持部，其保持基板；和环状的磨削部，其与保持到所述基板保持部的基板的至少中心部以及周缘部抵接，并磨削该基板，所述基板保持部和所述磨削部分别设置有多个，多个所述磨削部中的、至少一个磨削部的直径与其他磨削部的直径...

本发明提供能够抑制有机绝缘膜的表面粗糙的蚀刻方法和半导体器件的制造方法。该蚀刻方法的特征在于：通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，上述蚀...

本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装...

本文公开了一种基于半导体晶片的局部畸变的确定的全局晶片畸变的改善。在本文中，畸变为平面外畸变(OPD)或平面内畸变(IPD)。对于这种畸变的参考平面基于假定平坦的半导体晶片的表面共享的平面。提交本摘要时应理解，其将不用于解释或限定权利要...

本公开的方面提供半导体器件和制造所述半导体器件的方法。所述半导体器件包括电力轨道，所述电力轨道形成于隔离沟槽中。所述电力轨道被介电质盖层覆盖，所述介电质盖层将所述电力轨道与所述介电质盖层上的导电图案结构隔离。此外，在所述介电质盖层中选择...

本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，提供一种能够减少处理液的废弃量的技术。基板处理装置具有：处理室，在该处理室中利用处理液来对基板进行处理；喷嘴，其在前端部具有所述处理液的喷出口；喷嘴槽，在该喷嘴槽的内部形成有收容室，该收容室用于...

使正面粘贴有保护带的基板薄化的基板处理方法具有测量所述保护带的厚度的带厚度测量工序和在带厚度测量工序之后使用磨削部对保持于基板保持部的基板的背面进行磨削的磨削工序。

本发明提供蚀刻方法，抑制因在布线层的蚀刻中使用的气体引起的半导体层的特性恶化。蚀刻方法包括供给工序、第一蚀刻工序、停止工序以及第二蚀刻工序。在供给工序中，为了形成半导体元件而向收容有被处理基板的腔室内供给还原性气体和含氯气体，被处理基板...

本发明提供载置台装置、处理装置和载置台装置的操作方法，相比于现有技术能够抑制由剩余电荷导致的基片的偏移和破损。上述载置台装置包括：静电吸盘，其正面形成有能够与基片的背面电接触的导电膜；迂回至上述静电吸盘的背面的导电部件，该导电部件与上述...

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在对基板的表面照射处理用的光的基板处理中能够有效地提高基板的表面内的光的照射量的均匀性。基板处理装置(1)具备：光照射部(30)，其向晶圆(W)的表面(Wa)的比处理对象区域(TA)小的...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：基板保持部，其以使基板的形成有凹凸图案的面朝上的方式保持基板；液供给单元，其通过从被基板保持部保持的基板的上方对该基板供给处理液来形成覆盖凹凸图案的凹部的液膜；加热单元，其具有...

本发明提供一种能够抑制覆盖凹凸图案的液膜干燥时凹凸图案崩溃的技术。本发明的基片处理装置包括：以基片的形成有凹凸图案的面向上的方式保持上述基片的基片保持部；通过对被上述基片保持部保持的上述基片供给处理液，在上述凹凸图案的凹部形成液膜的液体...

本发明提供一种能够改善局部最小线宽均匀性(LCDU)的技术。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一工序、第二工序和蚀刻工序。等离子体处理装置在第一工序中，在形成有具有规定图案的多个开口部的处理对象形成第一膜。等离子体处理装置在第...

本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优...

本发明能够减轻等离子体处理中对图案造成的损伤。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括开口部形成步骤、第一膜形成步骤、第二膜形成步骤和蚀刻步骤。等离子体处理装置在开口部形成步骤中，对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施...

本发明提供一种检查装置和检查装置的清洁化方法。在不使检查装置大型化的情况下提高其清洁度。一种进行被检査体的检查的检查装置，具备：检查部，其对所述被检査体进行电气特性的检查；气流源，其设置于所述检查部的内部，用于产生冷却该检查部的内部的气...

本申请设计形成具有(200)晶体织构的氮化钛膜的方法，描述了基底加工方法，其用于形成可以用于超导金属化或功函数调整应用的氮化钛材料。所述基底处理方法包括：通过气相沉积在基底上沉积至少一个单层的第一氮化钛膜，以及用等离子体激发的含氢气体处...

本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤。成膜方法包括：第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF

本公开的课题是提供在嵌入的最后阶段不产生接缝的氮化硅膜的成膜方法及成膜装置。本发明的氮化硅膜的成膜方法具备如下工序：在基板的表面形成的凹陷内，通过ALD从底面及侧面慢慢地嵌入氮化硅膜，以使前述凹陷内的中央部的间隙变窄的方式使薄膜从侧面向...