蚀刻方法和半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供能够抑制有机绝缘膜的表面粗糙的蚀刻方法和半导体器件的制造方法。该蚀刻方法的特征在于：通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，上述蚀刻方法包括：第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过上述开口来蚀刻上述层叠结构；和第二步骤，其利用等离子体，通过上述开口对上述层叠结构进行蚀刻，其中上述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。

Etching method and semiconductor device manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和半导体器件的制造方法
本专利技术涉及蚀刻方法和半导体器件的制造方法。
技术介绍
已知一种将有机绝缘膜作为掩模进行蚀刻的技术。专利文献1中公开了一种将有机绝缘膜作为掩模，通过干蚀刻在保护膜绘制图案的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-51421号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在一个方面，本专利技术提供一种抑制有机绝缘膜的表面粗糙的蚀刻方法和半导体器件的制造方法。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述技术问题，依照一个方式，能够提供一种蚀刻方法，其特征在于：通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，上述蚀刻方法包括：第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过上述开口来蚀刻上述层叠结构；和第二步骤，其利用等离子体，通过上述开口对上述层叠结构进行蚀刻，其中上述等离子体是利用由CF系气体和稀有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其特征在于：/n通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，/n所述蚀刻方法包括：/n第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过所述开口来蚀刻所述层叠结构；和/n第二步骤，其利用等离子体，通过所述开口对所述层叠结构进行蚀刻，其中所述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。/n

【技术特征摘要】
20180806 JP 2018-1478911.一种蚀刻方法，其特征在于：
通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，
所述蚀刻方法包括：
第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过所述开口来蚀刻所述层叠结构；和
第二步骤，其利用等离子体，通过所述开口对所述层叠结构进行蚀刻，其中所述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。


2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述层叠结构的最上层和最下层是所述氮化硅膜，
所述层叠结构在所述最上层与所述最下层之间具有至少1层所述氧化硅膜，
最上层的所述氮化硅膜由所述第一步骤蚀刻，
至少1层所述氧化硅膜由所述第二步骤蚀刻。


3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述第一步骤中的CF系气体相对于含有氧原子的气体之比为2至5，
所述第二步骤中的CF系气体相对于稀有气体之比或者CHF系气体相对于稀有气体之比为1至5。


4.如权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述第一处理气体的CF系气体是CF4气体，
所述第一处理气体的含有氧原子的气体是O2气体或者O3气体，
所述第二处理气体的CF系气体是CF4气体、C4F8气体、C5F8气体中的任意者，
所述第二处理气体的CHF系气体是CHF3气体、CH2F2气体、CH3F气体中的任意者，
所述第二处理气体的稀有气体是Ar气体或者Xe气体。


5.如权利要求1至4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
由所述第一步骤和所述第二步骤贯通了所述层叠结构后，不除去所述有机绝缘膜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：饗场康，神户乔史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP