东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 本发明涉及配线固定构造和处理装置。能将配线以窄间距配置并固定于金属构件或电介质构件之上。配线固定构造具备:具有金属面的金属构件;配线,其是将多个导体板隔开预定间隔且相互平行配置而成的,该导体板具有沿板厚方向贯穿的贯通孔;第1绝缘构件,具...
  • 本发明提供一种金属膜的形成方法和成膜装置,能够对基板上形成的金属膜的膜厚的面内分布进行控制。本公开的一个方式的金属膜的形成方法包括以下工序:向用于收容基板的处理容器内供给含有金属原料气体和等离子体激励气体的第一气体以及含有还原气体和等离...
  • 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置,能够精密控制半导体基板的图案。本发明的基板处理装置包括:处理装置,其具有腔室;以及控制器,其具有存储器、以及与该存储器连接的处理器。其中,存储器存储用于对处理器进行控制而对处理装置的处理进行控制的、...
  • 本发明提供一种以高灵敏度检测基片与载置台剥离的技术。在真空容器内具有用于载置基片的载置台,在设置于载置台的电介质层内彼此隔开间隔地形成第一静电吸附电极和第二静电吸附电极。第一静电吸附电极静电吸附载置于载置台的基片的周缘部,第二静电吸附电...
  • 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的...
  • 本发明提供一种有利于真空处理装置的小型化和简单化有利的技术。在真空处理装置的处理容器内中,在彼此相邻的位置,第一输送空间和第二输送空间在水平方向延伸设置,并且,沿上述延伸设置方向在第一输送空间与第二输送空间之间形成中间壁部。在第一输送空...
  • 本发明提供一种能够提高显影的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、显影液槽和供给嘴。输送机构平流地输送在表面形成有被曝光了的光致抗蚀剂膜的基片。显影液槽将由输送机构输送的基片浸渍在显影液中。供给嘴将显影液供给到被从显影液槽内...
  • 本发明提供不论基片的大小如何都能够在进行等离子体处理时高精度地检测出基片与载置台的局部剥离的技术。本发明的等离子体处理装置中,对静电吸附电极施加直流电压,将玻璃基片静电吸附于载置台,根据直流电压的变化来检测出玻璃基片与载置台的剥离,该等...
  • 本发明涉及一种涂布膜形成方法和涂布膜形成装置。提供一种使形成于在表面具有具备高度差的图案的基板的表面整体的涂布膜的表面平坦化的技术。涂布膜形成方法的特征在于,包括以下的工序:涂布膜形成工序,向在表面具有具备高度差的图案的基板的该表面整体...
  • 本发明提供一种成膜装置,能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备:能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内,在下部电极载置被处理基板。在处理容...
  • 本实用新型提供一种基板处理装置,其能够减少对杯体进行抽吸的排气装置的负担,并有效地防止供给到基板的处理液从基板飞散后再次附着于基板的情况。该基板处理装置中,环状的覆盖部件(5)覆盖基板保持部(3)所保持的基板(W)的上表面的边缘部,比该...
  • 一种液体处理装置,其包含:液体处理部,其具有多个,对被处理体供给处理液并对被处理体进行液体处理;共通排气通路,其与多个液体处理部分别连接,将多个液体处理部内的环境气体排出;个别排气通路,其将各个液体处理部与共通排气通路连接;开闭机构,其...
  • 本实用新型提供一种能够提供一种防止液体流向加工台的内部或者是飞溅到加工装置外部、良好地回收液体的加工装置,其具有:多个卡盘,其用于保持基板;多个加工轴;其安装有加工工具;加工台,其保持多个所述卡盘,使该卡盘在搬入所述基板的搬入位置与配置...
  • 本发明提供一种在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时、进行面内均匀性较高的处理的基板载置台和基板处理装置。一种基板载置台,其是于在处理容器内对基板进行处理之际载置所述基板并对该基板进行调温的基板载置台,其具有:第1板,其包括隔着间隙而隔开的...
  • 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻的蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的蚀刻方法具备如下工序:在腔室内设置基板的工序,该基板具有硅氧化物系材料和其它材料...
  • 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中,提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法,其包括:通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤;和在不存在第一膜的区域通过原子层...
  • 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法,重复进行原料气体吸附工序和氮化工序,且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部...
  • 一种有机EL显示器的制造方法,其包括光学部件形成步骤,该光学部件形成步骤在预先形成有有机发光二极管的基片上涂敷包含液晶分子和溶剂的光学膜用涂敷液并使其干燥,来形成液晶分子已取向的光学膜。
  • 涂敷处理装置(10)包括:保持基片并使其在水平的一个方向移动的基片移动部(12、13);长条状的涂敷喷嘴(14),其在与基片移动部的移动方向正交的方向延伸,对基片移动部所保持的基片排出涂敷液;使涂敷喷嘴在涂敷喷嘴的延伸方向移动的涂敷喷嘴...
  • 本发明提供一种容易地测量基片温度的技术,实施方式的基片处理装置包括热处理部和温度测量部。热处理部对被平流地输送的基片进行热处理。温度测量部具有测量基片的温度的辐射温度计,并且能够相对于热处理部拆装。另外,温度测量部包括能够相对于上述热处...