本发明在对用于沿圆形的基片的周缘部供给涂敷液来形成环状的涂敷膜的装置进行设定时，能够减轻操作者的负担。本发明构成一种装置，其包括：对基片进行送入送出的送入送出部；周缘涂敷单元，其基于用于控制由涂敷膜覆盖的状态的处理参数，沿该基片的周缘部...

本实用新型提供一种使质量管理变得容易的处理液供给装置。一种向用于对晶圆涂布抗蚀液来进行规定的处理的抗蚀剂涂布装置供给抗蚀液的抗蚀液供给装置，作为抗蚀液的供给目的地的抗蚀剂涂布装置为多个，所述处理液供给装置具有由多个所述液处理装置共享的送...

一种基板清洗装置，具备：第1吸附保持部，其吸附基板背面的不与中央部重叠的区域并保持为水平；第2吸附保持部，其吸附基板背面的中央部并保持为水平；第1清洗部件及第2清洗部件，其设置为相互在横方向分离；回转机构，其设置于第1清洗部件及第2清洗...

本发明提供一种提高热处理时的基片温度的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、第一热处理部、第二热处理部和排气机构。输送机构平流地输送基片。第一热处理部对被平流地输送来的基片进行热处理。第二热处理部与第一热处理部连续地设置，对...

本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置，适当地判定是否发生了与基板的温度有关的异常的技术。基板处理方法包括以下步骤：测定施加于部件的电压的变化和流过该部件的电流，所述部件设置在对晶圆进行处理的基板处理装置；参照将多个电阻值与多个温度建立对...

本实用新型提供一种基板清洗系统，其能够抑制图案的坍塌以及基底膜的侵蚀，并且能够除去附着于基板的微粒，具有：第1处理部，其包括保持基板的第1保持部和第1供给部，第1供给部设置于第1保持部的上方，向基板供给包含挥发成分的用来在基板的主面整体...

一种基板清洗装置，用于基板的表面的清洗，具备：基板保持部，其将基板保持为水平并使其能够旋转；旋转机构，其与基板保持部连接，用于使基板保持部旋转；清洗机构，其设置于基板保持部的上方，通过液体喷嘴对基板的表面供给液体进行清洗；液体供给机构，...

本实用新型的目的在于提供一种液体处理装置，其包括：保持机构；旋转机构；药液供给机构；排液杯；排液配管，其设置在排液杯的底部，并将由排液杯挡住的处理后的药液排出；回收机构，其设置在排液配管，并将从排液杯排出的处理后的药液回收以供再次利用；...

用于在等离子体处理室中进行原位蚀刻监测的装置、系统和方法。该装置包括连续波宽带光源；照射系统，其被配置成利用具有固定偏振方向的入射光束照射基板上的区域，来自宽带光源的入射光束由光闸进行调制；收集系统，其被配置成收集从所照射的基板上的区域...

一个实施方式的晶圆检查装置具有沿高度方向和横向排列的多个检查部，在包括沿横向排列的多个检查部的循环区域的长度方向的两端部配设有使所述循环区域内的空气循环的一对空气循环单元。

本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。...

本发明提供一种检查装置、减压干燥装置和减压干燥装置的控制方法，能够在早期检测基板中涂敷有有机材料的涂敷区域的干燥状态。一种实施方式的检查装置包括拍摄部和干燥状态检测部。拍摄部对基板中涂敷有有机材料的涂敷区域进行拍摄。干燥状态检测部基于由...

本发明涉及半导体装置的制造方法和基板处理装置。本发明提供一种能确保层间绝缘膜的机械强度的技术。本公开的一方式的半导体装置的制造方法包括如下工序：填埋工序、氧化膜形成工序和脱离工序。填埋工序中，以具有脲键的聚合物填埋形成于基板上的孔隙。氧...

本发明提供一种方法，其能够不封闭膜的开口，而面内均匀地形成保护侧壁面不受对膜进行蚀刻的化学种的影响的保护区域。在例示的实施方式的对膜进行蚀刻的方法中，在膜上形成前体的单分子层。膜具有用于形成开口的侧壁面和底面。利用化学种对膜进行蚀刻，该...

本发明涉及一种模型生成装置、模型生成方法以及记录介质，谋求与预定实施的等离子体处理对应的工艺条件。在等离子体处理装置中，以多种模式改变至少包括载置台温度及载置台的载置面的各区域的温度的等离子体处理的处理参数，获取部将每个模式的温度稳定的...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制由于生成等离子体而导致的等离子体生成部的损伤。等离子体处理装置包括具有等离子体电极的等离子体生成部，能够对收纳在处理容器内的基片进行等离子体处理，上述等离子体生成部的至少与所述等离子...

本实用新型提供一种基板处理装置，其在使用处理液对基板进行液体处理后，通过供给挥发性处理液来进行干燥处理，其中，对基板进行加热的基板加热单元在用处理液进行处理的过程中开始向基板的背面供给加热的处理液，由此在供给挥发性处理液之前开始基板的加...

本实用新型提供一种基板处理装置，包括：基板旋转机构；处理液喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方；置换液喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方；以及惰性气体喷出部，其设置在上述基板旋转机构的上方。

本实用新型提供一种基板处理系统，对形成有被处理膜的基板进行规定处理，并在该基板上的被处理膜形成规定的图案，其包括：测量装置、涂敷显影处理装置，其设置在上述测量装置的下游侧、蚀刻处理装置，其设置在上述涂敷显影处理装置的下游侧、以及控制装置。