本发明抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。等离子体处理方法包括：从高频电源供给高频的步骤；从一个以上的直流电源对下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加直流电压的步骤中，将直流电压周期性地施加到下部电极...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电。等离子体处理装置包括：载置台，其载置作为等离子体处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；直流电源，其交替地产生施加到载置台的正直流电压和负...

本发明提供一种使刷的管理变得容易的技术。本发明的一个方式的基片处理装置包括处理部、信息保持部和信息获取部。处理部进行使用刷的基片处理。信息保持部设置在处理部，并保持关于刷的信息。信息获取部获取从信息保持部读出的上述信息。

本发明提供气体供给管的清洁方法和处理系统。气体供给管的清洁方法包括覆膜形成工序和去除工序。在覆膜形成工序中，向气体供给管内供给含有第一化合物的第一气体和含有第二化合物的第二气体，将气体供给管的温度控制为第一温度，由此通过第一化合物与第二...

本发明提供在对基板供给相互反应而成为膜物质的成膜气体、形成由膜物质构成的膜的成膜装置中，生产率高、且提高在基板形成的膜的膜厚的面内均匀性和面间均匀性的技术。在处理容器内设置使基板绕旋转轴公转的旋转台，构成为进行载置于旋转台的加热。另外，...

本发明提供一种在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片的技术。载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起，在该载置台载置基片时，由吸引孔对与载置与上述载置台的基片的、位于上述突起的上方的区域不同的区域进行了吸引的状态下，将基片吸附在载置台...

本发明提供一种能够减少附着于上部电极的沉积物的量或者从上部电极除去沉积物的等离子体处理方法。在一实施方式的等离子体处理方法中，将电容耦合型等离子体处理装置的上部电极冷却。在等离子体处理装置的腔室内，设置有包含下部电极的支承台。上部电极设...

本发明提供一种能够提高第一区域相对于第二区域的蚀刻的选择性的方法。一实施方式的方法相对于基片的第二区域选择性地蚀刻基片的第一区域，其中，该第二区域由与第一区域的材料不同的材料形成。在该方法中，在基片上形成沉积膜。沉积膜利用从第一气体生成...

本发明提供一种能够将电容耦合型的等离子体处理装置的上部电极冷却并且使该上部电极的温度在短时间上升的温度控制方法。一实施方式的温度控制方法包括冷却上部电极的步骤和使上部电极的温度上升的步骤。在上部电极内形成有具有入口和出口的流路。上部电极...

包括以构成阶梯形状的方式对在绝缘层上形成有布线层的配对层进行层叠，向构成所述阶梯形状的台阶部分的露出的所述布线层的上表面供给催化剂溶液以选择性地进行催化剂处理的步骤；以及对进行了该催化剂处理的所述布线层的上表面进行无电解镀覆，使金属层选...

检查装置具备：卡盘顶部(20)，其用于保持晶圆(W)；探针卡(18)，其与卡盘顶部(20)上的晶圆(W)相对设置，在与晶圆(W)相对的相对面具有多个触针(18a)；弹性框架(23)，其支承探针卡(18)的与晶圆(W)相反的面；波纹管(3...

检查系统(100)具有：多个探测器部(10)，所述多个探测器部(10)使探针卡的探针与在载置台上的基板形成的器件接触；以及测试器，其经由探针卡向基板上的多个器件提供电信号，来检查器件的电气特性，其中，多个探测器部(10)以各探测器部(1...

检查装置(100)具有：探测器(200)，其具有用于保持形成有多个器件的基板(W)的载置台(26)、将基板(W)搬送到载置台(26)的搬送部(22)以及使多个探针(25a)与基板(W)上的多个器件的电极接触的探针卡(25)；测试器(30...

本发明提供静电卡盘、基板处理装置以及基板保持方法，在具有翘曲的基板被支承台保持的情况下提高基板与静电卡盘的密合性。一个实施方式所涉及的静电卡盘具备用于产生对基板进行吸附的静电力的多个电极以及用于载置基板的表面，多个电极的各个电极配置于沿...

本发明提供一种生成等离子体的方法，能够快速抑制高频电力的反射。在一个实施方式的方法中，从高频电源经由匹配器向电极供给高频电力，以在腔室中生成等离子体。在供给高频电力的期间，根据反映腔室内的等离子体的产生的一个以上的参数来判定在腔室内是否...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够减少调制高频电力的反射。在一个实施方式的等离子体处理装置中，高频电源构成为输出以以下方式生成的调制高频电力，第一期间的电力水平比与第一期间交替的第二期间的电力水平高。匹配器构成为将第一期间内的监视期间...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够使多个加热器与多个线圈之间的配线长度短。在一个实施方式的等离子体处理装置中，高频电源经由供电体而与支承台的下部电极连接。供电体在腔室的外侧被导体管包围。在支承台的静电卡盘内置多个加热器。在多个加热器与...

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制伴随利用含金属覆膜而产生的金属污染。基板处理装置具备：成膜部，其构成为在基板的表面形成含有金属的覆膜；覆膜清洗部，其构成为对基板的周缘部的覆膜进行清洗；以及控制部。控制...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复...

本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质。该等离子体处理装置获取计测晶片(W)的状态而得的状态信息，根据由状态信息表示的晶片(W)的状态，控制等离子体处理，以使在晶片(W)的上部形成的等离子体鞘的界面的高度与在聚焦环(...