本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够不损坏成膜的均匀性而抑制粒子的产生。一种使用了具有原料气体供给部和清洗气体供给部的成膜装置的成膜方法，该成膜方法包括以下工序：不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而从所述原料气体供给部向基板供给原料气...

本发明提供一种基板内的器件用的检查系统。一实施方式的检查系统具有检查模块、对准模块、支承机构以及固定机构。检查模块具有多个测试器，提供多个检查室。多个测试器分别能够收容于多个检查室。对准模块具有对准器。对准器设置于对准空间内。对准器相对...

本发明提供一种在使形成有集成电路芯片的半导体晶圆的背面侧(另一面侧)的厚度减小的工序之前在表面侧(一面侧)形成保护膜时能够实现保护膜的平坦化的技术。本发明的半导体基板的处理装置具备将剥离用的固化剂(11)涂布于晶圆(W)的表面侧的模块(...

本发明提供向基板供给精确浓度的处理液的基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置具备：罐(102)；循环管线(104)；处理部(16)，其经由分支管线(112)连接于循环管线，用于使用在循环管线中流动的处理液来对基板实施液处理；处理...

本发明能够有效地清洗附着在排气管的附着物。基片处理装置(10)包括：内管(51)，其构成为能够将因基片处理而产生的废气有选择地排出到作为外部配管的酸性药液用配管(150)或者碱性药液用配管(160)的任一者；和液体供给部(60)，其从外...

本发明提供等离子体处理装置和载置台的制造方法。所提供的等离子体处理装置具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件中形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，...

本发明提供一种对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置。提供一种能够在单晶硅或单晶锗或单晶硅锗上大致完全地对非晶质的硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的技术。具备如下工序：第1工序，在该第1工序中，准备具有单晶硅或单晶锗或单晶硅锗作为被处理面的...

本发明涉及膜形成方法和基板处理装置。[课题]提供能形成具有良好的表面粗糙度的膜的膜形成方法。[解决方案]一实施方式的膜形成方法具备如下工序：有机物去除工序，向基底供给含氢气体和含氧气体，将有机物去除，所述有机物附着于在前述基底的表面产生...

本发明提供一种能够高精度地检测在流路部流动的异物的技术。装置包括：流路部(15A～15K)，其构成要被供给到被处理体W的流体流动的流路(17A～17K)；激光照射部(51)，其用于以光路与流路部(15A～15K)中的流体的流动方向交叉的...

本发明提供一种处理方法。一实施方式的处理方法中，被加工物的第1氮化区域被蚀刻。第1氮化区域设置于硅制的第1凸部上。被加工物还具有第2凸部、第2氮化区域及有机区域。第2凸部为硅制，第2氮化区域含硅及氮，并设置于第2凸部上。有机区域覆盖第1...

本发明提供一种气体分配装置和处理装置。在较小的空间中使气体分支，并且，缩小分支后的气体的流量之差。1个实施方式中的气体分配装置(20)具备多个供给管(21)、分支部(22)、配管(15)以及缓冲部(30)。各供给管(21)与多个处理腔室...

本发明提供一种基板输送装置和基板处理系统。将收容晶圆的许多FOUP配置于较小的空间。LM(16)连接有多个收容多个晶圆的FOUP(40)，从各FOUP(40)输出向多个PM中的任一个PM输送的晶圆。LM(16)具备壳体、多个连接单元(2...

本发明能够不降低生产性而除去在旋涂时产生的抗蚀剂液的异物。抗蚀剂涂敷装置(32)包括：保持晶片(W)并使其旋转的旋转吸盘(121)；对由旋转吸盘(121)保持的晶片(W)涂敷涂敷液的涂敷液供给喷嘴(154)；包围被旋转吸盘(121)保持...

本发明能够降低在对载置于载置台的表面的被处理体进行去热时每个部位的偏差。一实施方式的冷却系统包括：使制冷剂在载置台的载置面下循环，设置于载置台内的经由载置面利用制冷剂进行热交换的热交换部；和与热交换部连接的冷却单元，热交换部包括：用于贮...

本发明提供一种相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域的蚀刻方法。一实施方式的蚀刻方法中，相对于含有硅和/或锗的第二区域，有选择地蚀刻含有硅和氮的第一区域。在该蚀刻方法中，使用氢等离子体，对包含第一区域的表面的第一区域的至...

本发明提供一种基板处理装置、流量控制方法以及记录介质。对从各分割区域供给的处理气体的流量进行控制，使得基板的测定点的关键尺寸满足规定条件。上部电极以与晶圆相向的方式配置于处理容器内，并被设为能够按将与晶圆(W)相向的相向面进行分割而形成...

提供一种基板处理装置。可靠地进行需要区域的气氛调整，同时削减气氛调整用气体使用量。基板处理装置具备：处理单元，其对基板实施处理；输送空间，其在容器输入输出部与处理单元间输送基板；基板输送机构，其在输送空间内容器输入输出部与处理单元间输送...

本发明提供液处理装置和液处理装置的示教方法，在使进行液处理用的喷嘴的卡合部与喷嘴搬送体的被卡合部卡合来搬送喷嘴的液处理装置中，能够容易且准确地设定用于形成卡合的被卡合部的位置。装置构成为，具备：摄像部，其设置于喷嘴搬送体，以分别检测喷嘴...

本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利...