硅膜的成膜方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。

Silicon film forming method and substrate processing device

【技术实现步骤摘要】
硅膜的成膜方法和基板处理装置
本专利技术涉及一种硅膜的成膜方法和基板处理装置。
技术介绍
以往公知有如下方法：向基底供给氨基硅烷系气体而形成晶种层，向晶种层供给不含有氨基的硅烷系气体而形成硅膜，从而实现硅膜的薄膜化(参照例如专利文献1)。另外，公知有如下方法：在将非晶硅膜形成到基底之上之后，使用Cl2气体来对非晶硅膜进行干蚀刻而使膜厚减少，从而实现非晶硅膜的薄膜化和表面的平滑化(参照例如专利文献2)。在该方法中，能够形成表面平滑性优异、不具有针孔的薄膜硅。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-127694号公报专利文献2：日本特开2013-26513号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述的方法中，难以应对进一步的薄膜化的要求而使硅膜薄膜化。因此，在本专利技术的一形态中，目的在于提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法。用于解决问题的方案为了达成上述目的，本专利技术的一技术方案的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅膜的成膜方法，其具有如下工序；成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。

【技术特征摘要】
2018.03.05 JP 2018-0387191.一种硅膜的成膜方法，其具有如下工序；成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。2.根据权利要求1所述的硅膜的成膜方法，其中，在所述成膜工序中，对不产生针孔的膜厚的硅膜进行成膜。3.根据权利要求1或2所述的硅膜的成膜方法，其中，所述成膜工序具有如下步骤：晶种层形成步骤，在该晶种层形成步骤中，向所述基底供给氨基硅烷系气体而在所述基底的表面形成晶种层；以及硅膜成膜步骤，在该硅膜成膜步骤中，向所述晶种层供给不含有氨基的硅烷系气体而在所述晶种层之上对硅膜进行成膜。4.根据权利要求3所述的硅膜的成膜方法，其中，在所述晶种层形成步骤与所述硅膜成膜步骤之间具有第2硅膜成膜步骤，在该第2硅膜成膜步骤中，向所述晶种层供给比在所述硅膜成膜步骤中所使用的所述硅烷系气体高阶的硅烷系气体。5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田充弘，宫原达也，藤田圭介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP