【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和载置台的制造方法
本专利技术涉及等离子体处理装置和载置台的制造方法。
技术介绍
以往以来，已知一种使用等离子体对晶圆等被处理体进行蚀刻处理等的等离子体处理装置(例如参照专利文献1)。该等离子体处理装置例如在能够构成真空空间的处理容器内具有用于保持被处理体的载置台，该载置台兼作电极。在载置台形成有用于向置于载置台的被处理体的背面与载置台的上表面之间供给传热气体的通孔(贯通孔)。专利文献1：日本特开2000-195935号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题另外，近年来，等离子体处理装置使为了进行等离子体处理而向载置台施加的高频电力成为高电压。在使向载置台施加的高频电力成为高电压的情况下，有时高频电力的能量集中于用于供给传热气体的通孔而发生异常放电。当用于供给传热气体的通孔发生异常放电时，可能会成为使通过等离子体处理装置进行处理的被处理体的质量变差而成品率下降的原因。针对上述课题，在一个方面，本专利技术的目的在于提供一种防止在传热气体的通孔中发生异常放电的埋入构件。用于解决问题的方案为了解决上述课题，根据一个方式，提供一种等离子体处理装置，其具备：载...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件以及配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件与所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
【技术特征摘要】
2018.02.26 JP 2018-0323641.一种等离子体处理装置，具备：载置台，其具有板状构件和基台，所述板状构件具有用于载置被处理体的载置面以及与所述载置面相对的背面，并且在所述板状构件形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔，所述基台具有用于支承所述板状构件的支承面，并且在所述基台形成有与所述第一通孔连通的第二通孔；以及埋入构件，其配置在所述第一通孔和所述第二通孔的内部，其中，所述埋入构件具有配置于所述第一通孔的第一埋入构件以及配置于所述第二通孔的第二埋入构件，所述第一埋入构件与所述第二埋入构件不相互固定，所述第一埋入构件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一埋入构件和所述第二埋入构件形成为，使传热气体路径通过所述第一通孔和所述第二通孔的内部。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第二埋入构件的上端部的周缘形成有凹部。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一埋入构件的厚度为所述板状构件的厚度以下。5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，千叶谅，永山晃，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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