联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术制造技术

技术编号:8490949 阅读:180 留言:0更新日期:2013-03-28 18:08
本发明专利技术关于一种可提升普遍使用的双结非晶硅与微晶硅叠层薄膜太阳能电池效率的新颖双结技术方法,其目的系藉由此技术将顶电池的电流密度提升,并可减薄顶电池的本徵层厚度,同时也减少了光衰现象,最大特点为所有工艺不需昂贵的气体使用,即可达成高效率低成本的大量生产目标。本发明专利技术为一种可取代现有的双结氢化非晶硅与微晶硅双结太阳能电池的氧化锌介反射层新颖发明专利技术,利用二氧化碳的等离子表面处理技术引进,形成低反射率的硅氧键结介反射层生成物,形成一全反射条件,而加强利用入射光,造成顶电池的电流密度提升,而达成高效率、低成本的硅薄膜太阳电池广泛应用的目标。

【技术实现步骤摘要】
联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术
本专利技术关于一种可提升普遍使用的双结非晶硅与微晶硅薄膜太阳能电池效率的新颖双结技术方法,其目的系将原本的顶电池藉由介反射层来提升电流密度,从而提升整体发电效率,所有工艺不需昂贵的气体使用,并可在线联机生成所需的反射层,即可达成高效率低成本的大量生产目标。
技术介绍
目前,业界关于硅薄膜太阳能电池的生产,皆专注于双结的氢化非晶硅与微晶硅叠层双结太阳电池使用,而双结的结构里,最技术性的即属于如何将顶电池与底电池搭配恰当,达到加成的效果,并藉由降低顶电池的厚度来减少光衰的现象,但降低了顶电池的厚度,将牺牲了所需的电流密度,故反射层的引入格外的重要,有些企业,利用离线方式,将顶电池完成后破真空搬至物理气相溅射或是金氧化学气相反应腔体来生成氧化锌反射层,但此方式不但造成膜层污染,也造成电流分流现象,在模组化过程需多一道激光划线处理,造成工艺的复杂性与成本增加,故本专利技术即在提供一可联机生成介反射层的低成本、高效率的技术
技术实现思路
本专利技术为一种可取代现有的双结氢化非晶硅与微晶硅叠层双结太阳电池中的氧化锌反射层的新颖专利技术,利用于顶电池完成后引入本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术为一种可取代现有的双结氢化非晶硅与氢化微晶硅氧化锌介反射层的新颖专利技术,利用二氧化碳的等离子处理技术引进,形成一低折射率的硅氧键结生成物,可加强利用入射光,而增强了顶电池的电流密度,同时亦可减少顶电池的本徵层厚度,进而减少光衰现象,达成高效率、低成本的硅薄膜太阳能电池生产目标,流程为先在透明导电前电极薄膜上依序利用等离子增强式化学气相沉积设备沉积氢化P型非晶硅薄膜、氢化本征层非晶硅薄膜、氢化N型微晶硅薄膜,接着再依序沉积氢化P型微晶硅薄膜、氢化本征层非晶硅薄膜、氢化N型非晶硅薄膜,最后沉积金属氧化物反射层和金属背导电层薄膜,而本专利技术中的关键是在顶电池制备后,引入二氧化碳并经由流...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑佳仁刘幼海刘吉人
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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