本发明能够防止处理装置的部件结露并且抑制低露点气体的消耗量。处理装置包括第一温度测量部、供给管和控制部。第一温度测量部测量在处理装置的第一封闭空间内露出的第一部件的表面温度。供给管向第一封闭空间内供给低露点气体。控制部控制低露点气体的流...

本发明涉及钨膜的成膜方法及控制装置。本发明的课题是提供能够在沟槽或孔的内部不产生空隙地成膜为钨膜的技术。基于本公开的一个方式的钨膜的成膜方法是在贯穿部成膜为钨膜的成膜方法，所述贯穿部设置在形成于基底表面的膜上以使基底的表面露出，所述钨膜...

一实施方式所涉及的温度调节方法为通过制冷剂调节载置被处理体的载置台的温度的温度调节方法。该方法具备使载置台的温度上升的工序。该使载置台的温度上升的工序具备：通过打开将从设置于载置台的热交换部排出且经压缩后的制冷剂冷凝并供给到热交换部的冷...

本发明提供流量控制方法、温度控制方法以及处理装置。所述流量控制方法用于在系统中控制流向流路的流体的流量，所述系统具有：所述流路，其形成于构件；第一配管，其与所述流路的一端连接；第二配管，其与所述流路的另一端连接；第三配管，其在与所述流路...

本发明提供一种能够减少在接合后的基板中产生的边缘空隙的接合系统和接合方法。基于本公开的一个方式的接合系统具备表面改性装置、表面亲水化装置、以及接合装置。表面改性装置利用等离子体对第一基板的接合面和第二基板的接合面进行改性。表面亲水化装置...

本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够缩短装置的停机时间。基板处理装置(10)具备：处理单元(16)，其对晶圆(W)进行处理；罐(102、202)，其贮存处理液；处理液供给部(103、203)，其将罐内的处理液供给至处理...

本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在...

一实施方式所涉及的温度调节系统调节载置台的温度。在使载置台的温度上升时，该温度调节系统的控制部向载置台输入热量，并且打开分流阀的同时调节分流阀的开度以使载置台的温度达到高于第1温度的第2温度。热交换部设置在载置台内且进行基于制冷剂的热交...

本发明提供一种能够在利用热电偶测量线状加热器的温度之际抑制线状加热器的输出的偏差的热电偶固定治具。将热电偶固定于线状加热器的热电偶固定治具具有以夹着线状加热器的方式设置的第1构件和第2构件，第2构件具有夹持热电偶的温度检测部的第1夹持部...

本实用新型提供一种热处理装置，其能够根据基板的不同要求规格而选择不同的冷却手段，并且能够高精度地进行处理。该热处理装置用于对基板进行热处理，其特征在于，具有：加热板，其用于对载置的基板进行加热；盖，限定加热板上方的空间；冷却板，其具有驱...

本实用新型提供一种能够抑制因热处理产生的升华物附着于晶圆并使热处理的基板的面内均匀性良好的热处理模组及半导体制造装置。该热处理装置具有：壳体，其包括俯视呈方形的壳体基端部和俯视呈圆弧状的壳体顶端部；基板载置台，其设于所述壳体内，具有对载...

提供一种能够确认在用于收纳基板的盒中是否恰当地装设有盖的基板收纳处理装置、基板收纳处理方法以及记录介质。基板收纳处理装置具备：载置部，其用于配置盒，所述盒具有以相对于开口部可装卸的方式装设于开口部的盖；盖装卸机构，其进行盖相对于被配置在...

一实施方式的基板处理系统具备基板处理装置及测定装置。基板处理装置具有气体供给部。气体供给部具有流量控制器及次级阀。次级阀连接于流量控制器的次级侧。若从基板处理系统的第1控制部经由配线输出电压，则次级阀打开。测定装置根据来自第1控制部的指...

本发明在蚀刻中抑制产生侧凹并且抑制产生堵塞物。本发明提供一种能够在处理容器内蚀刻基片上的有机膜的蚀刻方法，其包括：将上述基片的温度控制为﹣35℃以下的步骤；和将含氧气体供给到上述处理容器内的步骤。

等离子体处理装置包括：处理容器；载波组生成部，其生成由分别具有彼此不同的频率的多个载波构成的载波组，其中上述频率属于以规定的中心频率为中心的规定的频带；和使用载波组在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部。

本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始...

本发明提供一种硼系膜的成膜方法和成膜装置，能够得到具有适合作为硬掩膜的特性的硼系膜。一种硼系膜的成膜方法，用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜，包括以下工序：第一工序，将基板搬入到成膜装置的腔室内，该成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的...

一个实施方式中的基片处理装置(10)和处理系统(100)对具有磁性层的基片(W)进行单片式处理，包括：支承基片的支承部(PP)；加热由支承部支承的基片的加热部(HT)；冷却由支承部支承的基片的冷却部(CR)；用于产生磁场的磁铁部(2)；...

一种基板处理系统，其具备热处理装置等作为处理基板的处理装置，在该处理装置设置有用于输送晶圆的输送区域，在该基板处理系统中，具备声波辐射装置，该声波辐射装置辐射声波，防止输送区域内的浮游微粒向基板附着。声波辐射装置设置于例如输送区域的与热...

本实用新型提供一种强力地清洗基板的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备：保持部，其保持基板；第一清洗体，其通过向被保持于所述保持部的所述基板的上表面和下表面中的一个面喷出流体或者与所述一个面接触来清洗所述一个面；第一移动机构，...