在一个示例性实施方案中，本文中描述了一种用于蚀刻氧化物的ALE处理。在一个实施方案中，氧化物是硅氧化物。ALE改性步骤包括基于四氟化碳(CF

本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1...

本发明提供滤波装置和等离子体处理装置，能够调整期望的频率的阻抗。一个实施方式的滤波装置具备多个线圈、多个电容器、多个配线、以及壳体。多个线圈以彼此同轴的方式设置。多个配线分别与多个线圈的一端电连接。多个电容器分别连接在多个线圈的另一端与...

本发明提供一种载置台和等离子体处理装置。提供使载置台的弯曲刚性提高、并且使载置台相对于支承构件的拆装容易性提高的技术。一种载置台，其载置基板，具有静电卡盘和载置所述静电卡盘的静电卡盘载置板，该静电卡盘具有基板的载置面，所述静电卡盘和所述...

本发明实施方式的基片处理装置包括承载器载置部(11)、基片载置部、第一输送装置(13)、多个处理部、第二输送装置(17)和控制部(18)。承载器载置部(11)载置收纳多个基片的承载器(C)。基片载置部能够载置多个基片。第一输送装置(13...

向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)...

一种清洁晶圆(CW)，其通过载置于卡盘顶部(21)，来对卡盘顶部(21)的表面进行清洁，该卡盘顶部(21)在表面具有气体供给口和气体排出口，用于载置基板，该清洁晶圆(CW)具有：主体(61)，其呈板状；以及吸排气路径(62、63、64、...

实施方式的基片处理装置(1)包括干燥处理部(17)、排出通路(L2)、获取部(75)和检测部(19C)。干燥处理部(17)使表面被液体润湿了的状态的基片与超临界流体接触，将液体置换为超临界流体来进行基片的干燥处理。排出通路(L2)设置在...

一个方式的晶圆检查装置具有：测试器，其用于对形成于晶圆的半导体器件施加电信号；探测器，其用于使所述半导体器件与所述测试器电连接；测试器控制部，其用于控制所述测试器的动作；以及探测器控制部，其用于控制所述探测器的动作，其中，在对所述测试器...

本发明提供辅助电极用的接触孔的数量最优化的有机EL显示器。本发明的一个方式的涂敷装置包括基片保持部、排出单元和移动机构。排出单元包括多个在第一方向排列地设置有多个喷嘴的喷头。移动机构使排出单元和基片保持部沿与第一方向交叉的第二方向相对地...

本发明提供一种能够提高处理容器内的温度稳定性的技术。本发明的一个方式的热处理装置包括竖长的处理容器和以包围上述处理容器的方式设置的加热装置，上述加热装置包括：具有顶面且下端开口的圆筒体形状的第一隔热部件；沿周向设置于上述第一隔热部件的内...

本公开涉及一种被设计成使线宽粗糙度和线边缘粗糙度最小化的关键尺寸修整方法。提供了在一个或更多个加工层的堆叠上具有图案化层的衬底。加工层包括至少一个图案化层和一个蚀刻目标层。在将图案转移到蚀刻目标层之后，可以实现图案化层的CD与蚀刻目标层...

本发明提供一种等离子体处理装置的应用方法。一个实施方式的等离子体处理装置中的气体供给系统包括第一～第三机构。第一机构的多个整合部构成为对来自一个以上的气源的气体进行选择并输出所选择的气体。第二机构构成为对来自多个整合部的多个气体进行分配...

公开了用于对形成在衬底上的层的等离子体辅助表面改性的处理进行监测和控制的方法。该方法包括：使表面改性气体流入等离子体处理系统的等离子体处理室中；在等离子体处理室中点燃等离子体以开始对形成在衬底上的层的表面改性处理；以及在对该层的表面改性...

在检查装置中进行多个连接器的自我诊断，所述检查装置具备：载置台，其用于载置基板；装设部，其用于装设使探针与形成于基板的多个器件接触的探针卡；测试器，其经由装设于装设部的探针卡对形成于所述基板的多个器件提供电信号，来检查器件的电气特性；以...

本发明在目标温度有改变时能够在短时间内将处理液的温度调节为改变后的目标温度。温度调节单元(143)将抗蚀剂液的温度调节为抗蚀剂液目标温度后供给到对晶片释放出抗蚀剂液的喷嘴，其包括：主体部(160)，其形成有抗蚀剂液的流路(160a)，并...

本发明提供一种能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、分隔壁部和液供给部。基片处理部对基片实施液处理。分隔壁部将从能够送入基片的送入送出口至基片处理部为止的第一空间与第一空间以外的第...

本发明提供一种使质量管理变得容易的处理液供给装置和处理液供给方法。一种向用于对晶圆涂布抗蚀液来进行规定的处理的抗蚀剂涂布装置供给抗蚀液的抗蚀液供给装置，作为抗蚀液的供给目的地的抗蚀剂涂布装置为多个，所述处理液供给装置具有由多个所述液处理...

本发明提供一种能够缩短半导体制造装置的组装工期的技术。本发明的一个方式的半导体制造装置的组装装置是包括在下端具有开口的反应管的半导体制造装置的组装装置，其包括：主体；升降装置，其安装在上述主体，用于保持上述反应管并使其升降；对上述反应管...

本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置...