本发明提供一种可提高流体的加热效率的流体加热器、流体控制装置以及流体加热器的制造方法。流体加热器(20)具备：形成有流路(22c)的流路部件(22)、以及用于对流路部件(22)进行加热的加热器(25)，流路(22c)呈螺旋状，且沿着长度...

本发明的目的在于提供一种即使在这样的低温高压下的工艺中也能够从下方充分地对基板进行加热并保温的基板加热装置和使用了该基板加热装置的基板处理装置。该基板加热装置具有：基板支承构件，其能够将基板支承为大致水平；加热部件，其设置于所述基板支承...

本发明提供一种基板处理装置，在抑制了基板的翘曲的状态下进行基板处理。疏水化处理单元(U5)具备：热板(21c)，其载置作为处理对象的晶圆(W)；吸引部(70)，其经由形成于热板(21c)的多个第一贯通孔(211、212)向晶圆W的背面赋...

提供一种在通过利用马达的旋转驱动力使支承着被搬送体的支承部移动来搬送该被搬送体时能够可靠地检测搬送状态的异常的技术。搬送装置(F3)利用支承部(21)来支承并搬送被搬送体(W)，搬送装置(F3)构成为具备：驱动机构(3)，其包括马达(3...

本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括...

本实用新型提供一种基板处理装置。抑制输送时的基板处理装置的高度，且容易地设置输送后的基板处理装置。处理晶圆的基板处理装置具备：装置主体(2)，其对晶圆实施预定的处理；壳体(400)，其收容预定零部件，且相对于装置主体(2)的顶面(2a)...

本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部...

本发明提供一种成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置，能够减少压力计的更换频度。一个实施方式的成膜装置的清洗方法是具有处理容器和压力计的成膜装置的清洗方法，其中，该处理容器用于收容基板并且形成减压气氛来进行成膜处理，该压力计用于对处理...

本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基...

本发明提供一种成膜系统，在表面形成有图案的基片上形成有机膜，包括：对基片进行有机膜形成处理来在基片上形成有机膜的有机膜形成部；测量基片上的有机膜的膜厚的膜厚测量部；和对基片上的有机膜进行紫外线照射处理来除去该有机膜的表面的紫外线处理部。...

本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供...

本发明能够对基片均匀地供给干燥用流体。实施方式的基片干燥装置包括处理室和盖部。处理室具有用于送入送出基片的开口部。盖部能够开闭开口部。另外，盖部包括扩散室和整流部件。扩散室用于使干燥用流体扩散。另外，整流部件将在扩散室扩散的流动的干燥用...

本发明提供测定器和求出测定器的偏离量的方法。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器(171)、C/V转换电路(172)、A/D转换器(173)以及开关机构(190)。多个C/V转换电路(172)分别将多个传感器电极中的对应的传感...

[课题]提供一种蚀刻方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]一种蚀刻方法，其为在内部具有下部电极的处理容器内对基板进行蚀刻的方法，所述基板具有：由氧化硅膜形成的单层膜；和、将氧化硅膜与氮化硅...

本发明防止处理装置的部件结露。一个实施方式中的防结露方法为处理被处理体的处理装置中的防结露方法，包括第一测量步骤、第二测量步骤和第一控制步骤。在第一测量步骤中，测量露出在封闭空间内的处理装置的部件的第一表面温度。在第一测量步骤中，测量封...

本发明提供基板载置构造体和等离子体处理装置。使附着于基板的背面与载置台之间的沉积物减少。基板载置构造体(130)具备载置台(150)、聚焦环(131)以及支承构件(132)。聚焦环(131)包围供基板(W)载置的载置台(150)的载置面...

本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置，具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述...

本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体...

本发明提供能够以高精度进行接触位置的修正的位置修正方法。一个实施方式的位置修正方法，其用于修正具有悬臂型的探针的探针卡与具有电极垫的被检查体的相对位置，在隔着上述探针卡的中心相对的第一区域和第二区域的各者中，配置有以通过上述第一区域、上...

本发明提供测定器和用于检查聚焦环的系统的动作方法，能够掌握聚焦环的消耗量。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。基底基板呈圆盘状。多个传感器电极设置于基底基板。高频振荡器被设置为向多个传感器电极提供高频信号。运算部根...