本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基...

本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。等离子体处理装置的零部件的表面包含于划分在腔室内所提供的内部空间的表面。在一实施方式的清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是由于第1气体所含有的第1化合物与第2气体所含...

本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。在一实施方式的清洁方法中，要清洁的零部件是配置于由等离子体处理装置的处理腔室提供的内部空间中的零部件。在清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是通过第1气体所含有的第1化...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供如下技术：在制造半导体装置时，在对作为层间绝缘膜的由SiOC膜形成的多孔质的低介电常数膜进行蚀刻时能够抑制低介电常数膜的损伤。对晶圆W进行以异氰酸酯和胺为原料、通过蒸镀聚合生成聚脲的成膜处理。由此...

本发明的晶片抓持机构(1)是能够在固定夹持部(20b)与可动夹持部(21b)之间抓持基片的装置，其中固定夹持部(20b)与晶片的缘部卡合，可动夹持部(21b)能够在致动器(22)的动作下相对于固定夹持部(20b)进退移动，该晶片抓持机构...

本发明的目的在于利用基片运送机构将基片精度优良地运送到处理单元中的基片的交接位置。当利用左右对称地配置有2个由驱动臂和从动机械臂构成的连杆机构的、所谓的蛙腿式的基片运送机构将作为基片的晶片运送到处理单元时，求取驱动臂的旋转角的测量值的移...

本发明提供基板处理方法及基板处理装置。课题在于抑制有机溶剂中所含有的金属杂质向基板的附着。实施方式的基板处理方法包括液体处理工序和干燥工序。液体处理工序中向基板供给处理液。干燥工序中使用有机溶剂对液体处理工序后的基板进行干燥。而且，实施...

本发明提供一种蚀刻方法，其包括第一蚀刻步骤和第二蚀刻步骤。第一蚀刻步骤中，对于形成有含硅膜且在该含硅膜的表面形成有光致抗蚀剂的、配置在处理容器内的被处理体，以光致抗蚀剂作为掩模来蚀刻含硅膜。第二蚀刻步骤中，向处理容器内供给含有氧和卤素的...

本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的...

本发明提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基...

本发明提供一种基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具备支承台。支承台提供基板载置区域。支承着遮板的旋转轴与支承台分开并沿着铅垂方向延伸。利用旋转轴绕中心轴线的旋转，遮板在支承台的上方的第1区域和远离支承台的第2区域之间移动。遮板具有管...

本实用新型提供一种基板处理装置。抑制微粒的产生，同时限制由处理空间的内压导致的盖体的移动。实施方式的基板处理装置是在高压环境下对基板进行处理的基板处理装置，其具备压力容器、盖体、以及锁定机构。压力容器具有开口。盖体封堵开口。锁定机构限制...

本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。在光刻步骤中，在适当的位置进行曝光处理。一种在步骤S10中在晶片的正面涂敷抗蚀剂液，在步骤S17中使晶片的正面上的被曝光了的抗蚀剂膜显影的晶片处理方法，其包括在步骤S14的曝光处...

本公开涉及热处理装置、热板冷却方法及计算机可读取的记录介质。课题是在更短时间内冷却热板。热板冷却方法包括以下工序：第一工序，获取表示热板的温度与冷却时间之间的关系的相关数据，该热板构成为对基板施加热，该冷却时间是在该温度下被热板加热了的...

本发明提供一种针对掩模选择性地蚀刻膜的方法。在一个实施方式的蚀刻方法中，交替地生成第一处理气体的等离子体和第二处理气体的等离子体。第一处理气体和第二处理气体各自包括含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体、和含氟...

本发明提供一种天线和等离子体成膜装置，目的在于高效地供给VHF的高频电力。天线具有：第一供电部，其供给VHF的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述VHF的高频电力，其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一...

本发明的技术问题为，在图案曝光后进行的使用LED的曝光处理装置中，避免由因LED的温度变化而发光状态改变所导致的处理中产生故障的情况。本发明的解决方案为，将从向壳体(10)内的送入晶片(W)时起至曝光后的晶片(W)的送出准备结束的时刻为...

本发明的基板处理系统具备具有第1气体流路的气体供给部。第1气体流路上连接有流量测定系统的第2气体流路。流量测定系统还具备连接于第2气体流路的第3气体流路以及分别测定第3气体流路中的压力及温度的压力传感器及温度传感器。一实施方式的方法中，...

本发明提供一种能够使多个托盘内的原料的消耗量之差减小的原料容器。一实施方式的原料容器具备壳体、托盘组件以及多个筒状构件。壳体提供载气的导入口、和开口，含有原料的蒸气的气体从该开口输出。托盘组件包括多个托盘。多个托盘叠置于壳体中。多个筒状...

本实用新型提供一种对使来自液体处理部内的排液导出的排放管路的维护频度的降低有效的基板处理装置。基板处理装置(1)具备：液体处理模块(4)，其对基板进行液处理；排放管路(20)，其从液体处理模块(4)导出排液；以及能量赋予部(30)，其对...