本实用新型提供一种加工装置，该加工装置具有卡盘，其用于保持基板；加工台，其保持所述卡盘；以及加工轴，所述加工轴包括：用于对基板加工的加工工具、用于驱动加工轴的电动机、用于保持电动机的电动机保持部、以及使电动机保持部升降的升降机构；所述加...

本发明的一个实施方式的硬掩模是在含硅膜上形成的等离子蚀刻用的硬掩模。该硬掩模包含钨和硅、且为非晶膜。硬掩模表面中的钨浓度与硅浓度之比可以处于以钨浓度35at.％与硅浓度65at.％规定的比与以钨浓度50at.％与硅浓度50at.％规定的...

本实用新型提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面...

本发明提供一种支承组件和支承组件的组装方法。以简易的结构抑制异常放电，同时实现向聚焦环的电压施加。在一技术方案中，提供支承组件。支承组件具备静电卡盘、下部电极、至少1个导电构件、以及绝缘构件。下部电极具有：卡盘支承面，其支承静电卡盘；和...

本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口...

本文中的技术使用在套准要求放宽多至3倍的情况下能够进行单个鳍片切割(切割其他鳍片之外的单个鳍片)的基于自对准的工艺。实施方案可以通过形成使用多种不同材料的鳍片来实现该益处。例如，鳍片阵列可以包括构成每个鳍片的材料的类型交替的平行鳍片。选...

提供一种能够准确地进行检查的基板检查装置。晶圆检查装置(10)具备：卡盘顶部(20)，其用于载置形成有半导体器件的晶圆(W)；探针卡(18)，其具有朝向晶圆(W)突出的多个接触探针(28)；弹簧框(23)，其保持探针卡(18)；筒状的伸...

本发明提供了保护膜形成方法。该方法中，在基板的表面上形成的相邻的凹陷形状之间的平坦表面区域上沉积有机金属化合物或有机半金属化合物的氧化物膜。然后，通过蚀刻除去沉积在平坦表面区域上的氧化物膜的侧部。

本实用新型提供基板液处理装置。防止从内槽内的处理液表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备：内槽，其能积存处理液并具有上部开口；外槽，其设置于内槽的外侧并供处理液从内槽流入；第1盖体，其能在覆盖内槽的上部...

本实用新型提供一种基板处理装置，该基板处理装置提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸处理液供给部供给在基板处...

本实用新型提供一种能防止因磨削液飞溅、液雾飞散而造成加工装置周边湿度过大的加工装置。该加工装置具有：卡盘，其用于保持基板；加工轴，其安装有磨削构件；加工台，其保持所述卡盘，使该卡盘在搬入所述基板的搬入位置与配置有所述加工轴的加工位置之间...

本发明的一实施方式的微波输出装置中，从方向性耦合器输出自微波产生部传播至输出部的行进波的一部分。在第1测定部中，利用二极管检波产生与行进波的一部分的功率对应的模拟信号，将该模拟信号转换为数字值。并且，选择与对微波输出装置中被指定的微波的...

本文中的技术包括使基底图案化的方法，所述方法通过使用多种不同材料使用基于自对准的工艺将通孔对准至奇和偶沟槽。本文中的方法使通孔图案分解或分离成间隔物侧通孔和芯轴侧通孔，然后分别顺序到达间隔物侧和芯轴侧。利用这样的技术，显著提高了通孔向栅...

本发明提供求出偏离量的方法和校准搬送位置数据的方法，能够以高精度求出测定器的偏离量。测定器具有基底基板、多个传感器电极、高频振荡器以及运算部。多个传感器电极以从多个传感器电极到聚焦环的内周面的最短距离的和(A)为固定的值的方式配置。方法...

本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置。本发明的课题是对基板进行薄且均匀的蚀刻。蚀刻方法是在作为蚀刻对象的基板S上将含有CFx的直链型的分子进行成膜。蚀刻方法是对成膜有分子的基板S照射活化CFx的活化气体。

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括形成工序和干燥工序。形成工序中，在基片的表面形成有机溶剂的液膜。干燥工序中，在使形成有液膜的基片的周围的气体密度大于空气的气体密度的状态下，加热基片以使基片干燥。本发明能够...

本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。

本发明提供一种基板载置台，能够抑制电弧放电和微粒的产生。一个实施方式的基板载置台被使用于在处理容器内对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该基板载置台具有：基板载置部，其被加工成镜面，用于载置所述基板；边缘部，其位于所述基板载置部的...

本发明提供基片处理装置和涂敷单元的参数的调整方法以及存储介质，通过自动调整涂敷单元的参数，使参数的调整作业变得容易。在由涂敷单元对调整用的半导体晶片进行处理后，利用半导体晶片运送机构将该半导体晶片运送至拍摄单元，拍摄该半导体晶片的外端面...

本发明提供一种蚀刻方法和使用该蚀刻方法的凹部图案的嵌入方法，能够控制形成于基板的表面的凹部图案的深度方向上的蚀刻量。所述蚀刻方法用于在处理室内将形成于基板的表面的凹部图案内的膜蚀刻成V字状的截面形状，该蚀刻方法包括以下工序：将所述处理室...