本文中的技术包括蚀刻方法，该蚀刻方法逐渐地蚀刻材料层，类似于原子层蚀刻(ALE)的单层蚀刻，但不必需包括ALE的自限制、单层作用。这样的技术可以认为是准原子层蚀刻(Q‑ALE)。本文中的技术有益于例如在软掩模打开期间的精确蚀刻应用。本文...

本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及存储介质。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。测量部测量等离子体没有点火的未点火状态和在等离子体点火之后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力...

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置具有构成基片载置台(130)的载置面的静电吸盘(132)的绝缘层(145)，其中，该基片载置台(130)用于载置作为等离子体处理的对象的基片。绝缘层(145)包括氧化铝、氧化钇和硅化合物。...

本发明提供一种能够正确地进行检查的基片检查方法。晶片检查装置(10)包括：用于载置形成有半导体器件的晶片(W)的吸盘顶部(20)；和在该吸盘顶部(20)的上方与吸盘顶部(20)相对地配置的探测卡(18)，探测卡(18)具有向晶片(W)突...

实施方式所涉及的基板处理方法包括液处理工序、第一置换工序、防水化工序、第二置换工序以及干燥工序。在液处理工序中，对基板供给含有水分的处理液。在第一置换工序中，对液处理工序后的基板供给第一温度的有机溶剂来置换处理液。在防水化工序中，对第一...

在使用供给到被处理基板的处理液而对该被处理基板进行电解处理之际所利用的电解处理夹具具有：平板状的基体；和直接电极，其设置于该基体的表面，用于与处理液接触而在该直接电极与被处理基板之间施加电压，电解处理夹具中的被处理基板侧的表面具有凹凸形状。

本发明提供一种能够防止氟混入膜中的清洁方法和成膜方法。一个实施方式的清洁方法是一种执行成膜处理的成膜装置的清洁方法，在成膜处理中，在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜，所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，在...

本发明提供一种基板处理装置的清洗装置和清洗方法，将狭小的处理室的内部清洁得干净。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置具备喷嘴和扫描机构。喷嘴朝向用于处理基板的处理室的内壁面喷出气体。扫描机构使喷嘴在处理室内沿内壁面进行扫描。

本公开说明能够抑制棉状块的产生的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质。基板处理装置具备：旋转保持部，其保持基板，使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以规定的转速旋转；处理液供给部，其构成为从位于表面侧的处理液喷嘴向...

本发明提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置，基片处理装置(1)包括：保持晶片(W)并使该晶片旋转的旋转保持部(30)，上述晶片在表面(Wa)具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照...

本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括供给流路、排气流路、循环路径、排气切换阀和控制部。供给流路向处理室供给清洁气体。排气流路使从处理室排出的排出气体流到外部。循环路径使在排气流路流动的排出气体返...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。基板处理装置具备：至少一个液膜形成部，其在基板形成干燥防止用的液体的液膜；至少一个干燥处理部，其使形成有液膜的基板干燥；以及搬送机构，其从液膜形成部取出形成有液膜的基板，搬送到干燥处...

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支...

提供一种为了控制多个气体并执行处理而改进的气体供给系统。气体供给系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接，且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁...

本发明提供一种蚀刻的方法。被加工物包括由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域。第二区域以提供凹部的方式延伸，并在凹部的下侧设有底部区域。第一区域被设置成覆盖第二区域。在蚀刻方法中，在被加工物上形成碳氟化合物的沉积物，稀有气体原子...

本发明所要解决的课题在于：避免由于从含金属掩模飞散的金属引起的蚀刻停止。解决课题的方法在于：等离子体蚀刻方法包括：保护膜形成工序，其利用第一处理气体，对形成于蚀刻对象膜上的具有规定的开口图案的含金属膜形成保护膜；和蚀刻工序，其将形成有保...

本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备腔室(11)、气体供给源(44)、天线(54)以及多个保持部(55)。腔室(11)在内部具有空间，利用在空间内生成的等离子体对被搬入到空间内的半导体晶圆(W)进行处理。气体供给...

本发明提供一种检查系统的调节方法，在检查系统(100)出货前进行规定的调节，检查系统由对被检查体进行检查的多个检查模块(10)和用于将被检查体搬运到多个检查模块的搬运模块(20)组装而构成，利用上述搬运模块将被检查体搬运到上述各检查模块...

本发明提供形成硅氧化膜的方法及装置。在硅氧化膜及硅氮化膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的硅氧化膜。在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧...

本发明提供一种能够防止发生结露的基板检查装置。晶圆检查装置(10)具备：弹簧框(22)，其保持探针卡(18)；卡盘顶部(20)，其与探针卡(18)相向且载置晶圆(W)；以及干燥气体室(38)，其与用于配置弹簧框(22)、卡盘顶部(20)...