【技术实现步骤摘要】
形成硅氧化膜的方法及装置
本专利技术涉及在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面上形成硅氧化膜的方法及装置。
技术介绍
例如，在3D-NAND型非挥发性半导体装置的制造过程中，形成层叠有多层硅氧化膜(SiO2膜)和硅氮化膜(SiN膜)的层叠膜，在层叠方向形成记忆洞(memoryhole)(沟道孔，Channelhole)，通过CVD、ALD等在记忆洞内依次形成SiO2膜、SiN膜、SiO2膜，进而形成多晶硅膜，然后用SiO2膜填埋记忆洞的中央部，由此形成沟道部。然后，在层叠膜的层叠方向形成沟槽后，隔着该沟槽通过湿式蚀刻将SiN膜去除，在去除了SiN膜后的空间隔着TiN膜将作为栅电极的钨膜嵌入，用SiO2膜等嵌入沟槽内(参照例如专利文献1的0199～0210段、图17)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-117977号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题可是，近来半导体元件的设计规则越来越微细化，在形成有记忆洞的SiO2膜与SiN膜的层叠膜的表面通过CVD、ALD形成SiO2膜的情况下，要求形成薄且均匀的膜。但是，在SiO2膜与SiN膜的层叠膜的表面通过C...
【技术保护点】
1.一种形成硅氧化膜的方法，其为在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法，所述方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在所述硅氧化膜和所述硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及第3工序：接着，向所述被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将所述间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。
【技术特征摘要】
2017.10.31 JP 2017-2104351.一种形成硅氧化膜的方法，其为在硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面形成硅氧化膜的方法，所述方法具有：第1工序：形成在减压下的处理容器内配置有被处理体的状态，所述被处理体具有硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面；第2工序：在所述硅氧化膜和所述硅氮化膜露出的被处理面形成作为牺牲膜的间隔多晶硅膜；及第3工序：接着，向所述被处理体供给热能以及氧自由基及氢自由基，将所述间隔多晶硅膜置换为硅氧化膜。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第3工序中，将所述被处理体加热至800～900℃的范围的温度，并且供给氧气及氢气，由此生成氧自由基及氢自由基，利用所述氧自由基及所述氢自由基，将所述间隔多晶硅膜置换为所述硅氧化膜。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第2工序中，向所述处理容器内供给硅原料气体，通过CVD形成所述多晶硅膜。4.根据权利要求3所述的方法，其中，使用含氯硅烷系气体、硅烷系气体、或氨基硅烷系气体作为所述硅原料气体来进行所述第2工序。5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，在所述第3工序之后，还具有第4工序：在通过置换形成的所述硅氧化膜上形成膜厚调节用硅氧化膜。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第4工序中，通过交替供给硅原料气体和氧化物种的ALD形成所述膜厚调节用硅氧化膜。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第4工序中，将所述被处理体加热至700～750℃，并且使用通过供给氧气及氢气而生成的氧自由基及氢自由基作为氧化物种。8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第4工序中，使用臭氧气作为氧化物种。9.根据权利要求6～8中任一项所述的方法，其中，所述第4工序中，使用含氯硅烷系气体作为硅原料气体。10.根据权利要求1～9中任一项所述的方法，其中，硅氧化膜和硅氮化膜露出的被处理面是：在作为所述被处理体的形成3DNAND型非挥发性半导体装置的半导体晶圆中，在沿层叠方向形成于层叠膜的记忆洞中露出的所述层叠膜的表面，所述层叠膜是所述硅氧化膜与作为牺牲膜的所述硅氮化膜的层叠膜，形成于所述被处理面的硅氧化膜为氧化物屏蔽膜。11.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：高京硕，岛裕巳，木镰英司，铃木启介，菱屋晋吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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