能够在基板的凹部内形成金属布线层，且不会在基板表面残留异物镀层。金属布线层形成方法具有：在设置于基板(2)的凹部(3)的底面(3a)的钨或钨合金(4)上形成作为保护层的第一镀层(7)的工序；对基板(2)的表面(2a)上的异物镀层(7a)...

本发明涉及半导体装置的制造方法及基板处理装置。本发明提供如下技术：在制造半导体装置的制造工序中，在基板上形成用于保护被保护层免受对该基板进行的处理的保护材料、并在处理后去除该保护材料时，能够防止半导体装置的品质下降。将聚合用的原料供给至...

本发明提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理...

本发明提供一种喷嘴待机装置。在喷嘴收纳部中，将溶剂吸入喷嘴的前端部以形成溶剂的液层时，能够节省向喷嘴收纳部供给的溶剂。使喷嘴在喷嘴收纳部待机，从溶剂出液口以第一流量供给溶剂，以封闭喷嘴的出口的方式形成液膜后，以比第一流量少的第二流量供给...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给...

[课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，在使用牺牲膜来制造半导体装置时，可以容易地调节牺牲膜的形状、膜量，且有助于工序的简化。将聚合用的原料供给至基板的表面，形成由具有脲键的聚合物(聚脲膜8)构成的牺牲膜。作为成膜方法的一个例子，可以使用异...

本实用新型提供一种可使输送精度提高的输送系统和基板处理系统。一实施方式的输送系统是一种被处理体的输送系统，其具备用于保持并输送被处理体的叉以及作为被处理体的输送目的地或输送源的载置台，所述叉具有与所述被处理体的背面接触来保持所述被处理体...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理...

一种处理装置以及具有扩散路径的构件，其目的在于在处理室中消除气体排出的偏差。提供一种处理装置，具有：反应容器，其用于使气体流入并通过处理室进行规定的处理；以及具有扩散路径的构件，其在所述反应容器的侧壁或者底壁的形成有所述扩散路径的部分与...

本实用新型提供一种能够准确地测量研磨载荷、对晶圆进行期望的加工的加工装置。其具有：多个卡盘，其用于保持基板；以及至少1个加工轴；在所述加工装置中，所述加工轴包括：加工部，其对所述基板进行加工；电动机，其使所述加工部旋转；电动机保持部，其...

本发明提供液滴排出装置、液滴排出方法、程序和计算机存储介质。向工件排出功能液的液滴(D)以进行描绘的液滴排出装置包括：向工件排出液滴(D)的液滴排出头；载置介质(51)，其作为承接来自液滴排出头的检查排出物的检查用载置媒介；罩体(34)...

本发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供在串行地执行多个工艺的情况下能够灵活地设定执行工艺的顺序、执行工艺的定时等工艺的执行方式的技术。一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法具备包括主工艺和第一～第M副工艺并串行地执行多个工艺...

本发明提供等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和聚焦环的升降控制程序。第一载置台(2)用于载置作为等离子体处理对象的晶片(W)。升降机构(120)使载置于晶片(W)周围的聚焦环(5)升降。获取部获取通过测定晶片(W)的状态而得的状态信...

本发明涉及一种等离子体处理装置和检测电路。等离子体处理装置(10)包括腔室(17)、高频电源(14)、匹配电路(15)、信号同步处理部(20)和控制量计算部(12)。匹配电路(15)使腔室(17)内的等离子体与高频电源(14)之间的阻抗...

本发明提供一种显影处理装置、显影处理方法以及存储介质。显影处理装置具备：旋转保持部，其保持晶圆并且使该晶圆旋转；显影液供给部，其具有喷嘴，所述喷嘴包括与晶圆的表面相向的液体接触面和在该液体接触面开口的喷出口；以及控制器，其中，控制器执行...

本实用新型提供一种能防止其他加工区域中使用了的液体侵入各加工区域并将各加工区域的液体分开排出的加工装置。其具有：多个卡盘，其用于保持基板；多个加工轴，其安装有磨削构件；加工台，其保持多个所述卡盘，使该卡盘在搬入所述基板的搬入位置与配置有...

本实用新型提供一种能够提供一种防止液体流向加工台的内部或者是飞溅到加工装置外部、良好地回收液体的加工装置，其具有：多个卡盘，其用于保持基板；多个加工轴；其安装有加工工具；加工台，其保持多个所述卡盘，使该卡盘在搬入所述基板的搬入位置与配置...

一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底以及形成在所述衬底上的场效应晶体管的栅极区。所述栅极区包括具有纵向轴线的垂直堆叠的纳米线，所述纵向轴线平行于所述衬底的工作表面延伸。垂直堆叠的纳米线的给定堆叠包括垂直对准的至少两根纳米线，其中p型纳...