本发明提供一种蚀刻方法，能够保护对含硅膜的蚀刻的耐性优异的掩模。一个实施方式的蚀刻方法在腔室主体内配置被加工物的状态下执行。蚀刻方法包括：在被加工物上形成钨膜的步骤；和对被加工物的含硅膜进行蚀刻的步骤。形成钨膜的步骤包括：向被加工物供给...

本发明提供一种抑制通过蚀刻而形成的槽的关键尺寸的扩大的蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括搬送工序、改性工序、去除工序以及蚀刻工序。在搬送工序中，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内并载置在载置台上。在改性工序中，利用被供...

本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜...

本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使...

本发明提供一种具有制冷剂用的流路的部件，其包括：形成有上述流路的基座；和设置在上述流路内的能够升降可能或旋转的突起状部件。由此，不进行设计变更，就能够进行用于实现基片温度的均匀性的修正。

本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所...

本发明提供一种等离子体探测装置，其包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中，其中，上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台；与上述天线部连接的电极；和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部，...

本发明提供一种检查在累加法中利用的流量测量系统是否处于适合于准确求取气体流量的状态的方法。一个实施方式的方法涉及在基板处理系统中使用的检查流量测量系统的方法。流量测量系统提供基于累加法的流量的计算中使用的气体流路。由基板处理系统的气体供...

本公开涉及成膜方法以及成膜装置。在使用包含有机金属化合物的气体对基板进行成膜时，防止基板的背面被金属污染。实施以下工序：预涂工序，向没有被搬入基板(W)的状态的处理容器(11)内供给包含硅的第一气体，利用由硅构成的膜来覆盖包括用于载置基...

一种涂敷处理装置和涂敷液捕集构件。提供如下技术：在使供给有高粘度的涂敷液的基板旋转而进行涂敷处理时，对涂敷处理中飞散的涂敷液进行捕集而去除，并且抑制生产率的降低。在使晶圆旋转而涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷装置中，在沿着杯体的周向设置的排气路...

一实施方式所涉及的方法(MT)提供一种在有机膜等的加工中能够进行图案形状的控制的技术。成为一实施方式的方法(MT)的应用对象的晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)及掩模(ALM)，有机膜(OL)由第1区域(VL1)与第2区域(...

提供一种能够改善基板的面内的加热处理的均匀性的技术。在将作为基板的晶圆(W)载置于热板(23)来进行加热处理时，利用检测模块(11)来检测晶圆(W)的变形，所述热板(23)具备沿周向设定的多个加热控制区域，并且各加热控制区域被相独立地进...

一种能够对基片涂敷含有光学材料的涂敷液的涂敷处理装置，其包括：用于保持基片的保持部；对保持于保持部的基片排出涂敷液的涂敷嘴；和使保持部与涂敷嘴在正交方向相对地移动的移动机构，能够以任意的角度恰当且高效地对基片涂敷涂敷液。

本发明提供一种能够抑制装置的大型化并且确认基板的周缘部的状态的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备盒载置部、处理单元、搬送区域以及摄像单元。盒载置部载置用于收容多个基板的盒。处理单元对从盒取出的基板的周缘部进行清洗或蚀刻。搬送...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用...

本发明提供一种对被处理体进行处理的方法。提供一种抑制绝缘膜的介电常数和尺寸偏差并使布线和通孔微细化的技术。在一个实施方式所涉及的对被处理体进行处理的方法中，被处理体具备具有布线的布线层、设置于布线层上的防扩散膜、设置于防扩散膜上的绝缘膜...

本发明提供一种在将处理液供给到基片进行处理的液处理装置中，抑制颗粒向基片的附着的技术。上述液处理装置构成为，在从各喷嘴部(5、6、7)对保持为水平的晶片(W)供给处理流体进行处理时，由设置有用于使各喷嘴部(5、6、7)移动的开口部(16...

本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形...

本发明提供一种减压干燥装置，其进行基板上的溶剂的减压干燥处理和来自溶剂捕集部的溶剂的脱离处理两者，用简单的装置结构缩短上述减压干燥处理的时间和上述脱离处理的时间并均匀地干燥基板。减压干燥装置(1)包括：腔室(10)，其在底板(13)设置...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，用于防止在使基板的下表面干燥时处于干燥区域的外侧的液膜碎裂而产生液滴，并且防止微粒附着于卡盘构件及其周边的基板的下表面。基板处理方法包括：液处理工序，一边使基板旋转一边对基板的下表面...