基片处理方法、存储介质和基片处理系统技术方案

本发明专利技术提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明专利技术的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法、存储介质和基片处理系统
本专利技术涉及基片处理方法、存储介质和基片处理系统。
技术介绍
在作为基片的半导体晶片(以下称为晶片)等的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造步骤中，执行利用药液等清洗液除去晶片表面的微小的尘埃、自然氧化膜等，利用液体对晶片表面进行处理的处理步骤。已知在这样的处理步骤中除去在晶片的表面残留的液体时，使用超临界状态的处理流体的方法。例如在专利文献1中公开了利用超临界流体从基片之上溶解有机溶剂后使晶片干燥的基片处理装置。在专利文献1的基片处理装置中，在处理装置内利用药液等清洗液进行晶片的表面的清洗。作为处理液的有机溶剂积存在清洗后的晶片的表面。积存了有机溶剂的晶片从清洗装置运送至超临界处理装置，在超临界处理装置内使用超临界状态的处理流体进行晶片的干燥处理。通过像这样在晶片的表面积存有机溶剂，防止清洗后的晶片的表面在超临界处理装置内干燥处理之前就进行干燥，防止产生颗粒。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-12538号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，当清洗后的晶片的表面上的有机溶剂的液体积存量过少时，在超临界处理装置内进行干燥处理之前存在有机溶剂气化的可能性。另一方面，当液体积存量过多时，在超临界处理装置内的干燥处理后，可能在晶片产生颗粒。因此，要求清洗后的晶片的表面上的有机溶剂以所需的量高精度地积存。本专利技术鉴于该点而完成的，其提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法、存储介质和基片处理系统。用于解决课题的技术方案本专利技术的一实施方式提供一种基片处理方法，其包括：一边使基片以第一转速旋转一边向上述基片的表面供给处理液，形成覆盖上述基片的表面的上述处理液的液膜的液膜形成步骤；在上述液膜形成步骤之后，使上述基片的转速成为上述第一转速以下的转速，并且停止向上述基片供给上述处理液的供给停止步骤；和在上述供给停止步骤之后，使上述基片的转速成为比上述第一转速大的第二转速，减少形成上述液膜的上述处理液的液量的液量调整步骤。此外，本专利技术的另一实施方式提供一种记录有程序的存储介质，由用于控制基片处理系统的动作的计算机执行上述程序时，上述计算机控制上述基片处理系统执行上述基片处理方法。此外，本专利技术的又一实施方式提供一种基片处理系统，其包括：将基片保持为水平的保持部；使上述保持部旋转的旋转驱动部；向由上述保持部保持的上述基片供给处理液的处理液供给部；和控制部，上述控制部控制上述旋转驱动部和上述处理液供给部，使得进行下述步骤：一边使上述基片以第一转速旋转一边向上述基片的表面供给上述处理液，形成覆盖上述基片的表面的上述处理液的液膜的液膜形成步骤；在上述液膜形成步骤之后，使上述基片的转速成为上述第一转速以下的转速，并且停止向上述基片供给上述处理液的供给停止步骤；和在上述供给停止步骤之后，使上述基片的转速成为比上述第一转速大的第二转速，减少形成上述液膜的上述处理液的液量的液量调整步骤。专利技术效果根据本专利技术，能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度。附图说明图1是第一实施方式的基片处理系统的横截平面图。图2是图1所示的基片处理系统中设置的清洗装置的纵截面图。图3是表示图1的清洗装置的IPA供给系统的图。图4是超临界处理装置的处理容器的外观立体图。图5是表示图4所示的处理容器的一例的截面图。图6中图6的(a)是表示图5所示的处理容器的维护用开口的周围的截面图，图6的(b)是表示图6的(a)的第二盖部件的容器主体侧的面的图。图7是第一实施方式的超临界处理装置的系统图。图8中图8的(a)是在第一实施方式的基片处理方法中，用于说明第二冲洗步骤的图，图8的(b)是用于说明IPA液膜形成步骤的图，图8的(c)是用于说明供给停止步骤的图，图8的(d)是用于说明液量调整步骤的图。图9是表示在图8的基片处理方法中基片的转速的推移的图。图10中图10的(a)～(d)是用于说明IPA的干燥机制的图，是将晶片所具有的作为凹部的图案概要表示的放大截面图。图11是用于说明超临界处理装置的处理容器的维护方法的截面图。图12中图12的(a)是表示图5所示的处理容器的维护用开口的周围的截面图的变形例，图12的(b)是图12的(a)的第二盖部件的横截面图。图13中图13的(a)是用于说明在第二实施方式的基片处理方法中，IPA液体积存步骤的图，图13的(b)是用于说明第二液量调整步骤的图。图14是表示在图13的基片处理方法中基片的转速的推移的图。附图标记说明1基片处理系统2清洗装置3超临界处理装置4控制部20电机23晶片保持机构27冲洗液喷嘴28IPA喷嘴32IPA供给部301处理容器W晶片Wa周缘部。具体实施方式(第一实施方式)以下，参照附图说明本专利技术的基片处理方法、存储介质和基片处理系统的一实施方式。另外，本说明书的附图中所示的结构，为了图示和容易理解，包括尺寸和比例等与实物不同的部分。[基片处理系统的结构]如图1所示，基片处理系统1包括：对晶片W供给清洗液而进行清洗处理的多个清洗装置2(图1所示的例子中有2台清洗装置2)；和使在清洗处理后的晶片W残留的干燥防止用的处理液(本实施方式中作为有机溶剂的一例的IPA：异丙醇)与超临界状态的处理流体(本实施方式中为CO2：二氧化碳)接触而将其除去的多个超临界处理装置3(图1所示的例子中有2台超临界处理装置3)。在该基片处理系统1中，在载置部11载置FOUP100，收纳在该FOUP100的晶片W经由送入送出部12和交接部13交接至清洗处理部14和超临界处理部15。在清洗处理部14和超临界处理部15中，晶片W首先被送入在清洗处理部14设置的清洗装置2而接受清洗处理，之后，被送入在超临界处理部15设置的超临界处理装置3而接受从晶片W上除去IPA的干燥处理。图1中，附图标记“121”表示在FOUP100与交接部13之间运送晶片W的第一运送机构，附图标记“131”表示暂时载置在送入送出部12与清洗处理部14和超临界处理部15之间运送的晶片W的起到作为缓冲部的功能的交接棚架。在交接部13的开口部连接有晶片运送通路162，沿晶片运送通路162设置有清洗处理部14和超临界处理部15。在清洗处理部14，夹着该晶片运送通路162各配置有一台清洗装置2，设置有合计2台的清洗装置2。另一方面，在超临界处理部15，进行从晶片W除去IPA的干燥处理的超临界处理装置3，夹着晶片运送通路162各配置有1台，设置有合计2台的超临界处理装置3。在晶片运送通路162配置有第二运送机构161，第二运送机构161设置成在晶片运送通路162内可移动。载置于交接棚架131的晶片W由第二运送机构161接收，第二运送机构161将晶片W送入清洗装置2和超临界处理装置3。另外，清洗装置2和超临界处理装置3的数量和配置方式没有特别限定，根据每单位时间的晶片W的处理片数和各清洗装置2和各超临界处理装置3的处理时间等，适当数量的清洗装置2和超临界处理装置3以适当的方式配置。如图2所示，清洗装置2构成为例如通过旋转清洗一片一片地清洗晶片W的单片式的装置。即，如图2的纵截面图所示，在配置于形成处理空间的外腔室21内的晶片保持机构23(保持部)，晶片W被大致水平地保持。通过利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：一边使基片以第一转速旋转一边向所述基片的表面供给处理液，形成覆盖所述基片的表面的所述处理液的液膜的液膜形成步骤；在所述液膜形成步骤之后，使所述基片的转速成为所述第一转速以下的转速，并且停止向所述基片供给所述处理液的供给停止步骤；和在所述供给停止步骤之后，使所述基片的转速成为比所述第一转速大的第二转速，减少形成所述液膜的所述处理液的液量的液量调整步骤。

【技术特征摘要】
2017.08.09 JP 2017-154574;2018.05.16 JP 2018-094901.一种基片处理方法，其特征在于，包括：一边使基片以第一转速旋转一边向所述基片的表面供给处理液，形成覆盖所述基片的表面的所述处理液的液膜的液膜形成步骤；在所述液膜形成步骤之后，使所述基片的转速成为所述第一转速以下的转速，并且停止向所述基片供给所述处理液的供给停止步骤；和在所述供给停止步骤之后，使所述基片的转速成为比所述第一转速大的第二转速，减少形成所述液膜的所述处理液的液量的液量调整步骤。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在所述供给停止步骤中，停止所述基片的旋转。3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：在所述供给停止步骤中，在使所述基片的旋转停止之后，停止所述处理液的供给。4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：在所述供给停止步骤中，使所述基片以所述第一转速以下的转速旋转。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在所述液量调整步骤中，在从使所述基片的转速增大起经过规定时间后停止所述基片的旋转。6.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：还包括一边使所述基片旋转一边向所述基片的周缘部供给所述处理液的周缘供给步骤。7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：所述周缘供给步骤在所述液量调整步骤之后进行。8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于还包括：在所述周缘供给步骤之后还包括第二液量调整步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：束野宪人，五师源太郎，增住拓朗，清濑浩巳，福井祥吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP