蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种抑制通过蚀刻而形成的槽的关键尺寸的扩大的蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括搬送工序、改性工序、去除工序以及蚀刻工序。在搬送工序中，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内并载置在载置台上。在改性工序中，利用被供给到腔室内的包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体的等离子体，对被处理体的表面进行改性。在去除工序中，向载置台施加第一电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体将形成于未被掩膜覆盖的第一有机膜的表面的改性层去除。在蚀刻工序中，向载置台施加比第一电力低的第二电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体对已被去除的改性层的下层的第一有机膜进行蚀刻。

Etching method and device

The invention provides an etching method and an etching device for suppressing the expansion of the key dimensions of the grooves formed by etching. The etching method includes conveying process, modification process, removal process and etching process. In the conveying process, the processed body with laminated basement membrane, first organic film and mask is moved into the chamber and mounted on the platform. In the modification process, the surface of the treated body was modified by plasma supplied to the chamber containing the first gas of carbon, hydrogen and fluorine. In the removal process, a high frequency bias voltage of the first power is applied to the carrier stage, and the modified layer formed on the surface of the first organic film which is not covered by the mask is removed by the plasma of the second gas generated in the chamber. In the etching process, the carrier stage is subjected to a high frequency bias of the second power lower than the first power, and the first organic film of the lower layer of the modified layer is etched by the plasma of the second gas generated in the chamber.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和蚀刻装置
本专利技术的各个方面和实施方式涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置。
技术介绍
已知一种将以规定图案形成在有机膜上的掩盖膜作为掩膜，利用等离子体对在基底膜上设置有有机膜的被处理体进行蚀刻的技术。但是，在使用等离子体的蚀刻中，等离子体对掩膜也带来损伤，因此导致掩膜的图案的尺寸发生变化。由此，通过掩膜而形成于有机膜的槽的关键尺寸(CriticalDimension：关键尺寸)扩大。为了避免该情况，已知一种利用H2气体、CH3F气体的等离子体使掩膜固化的技术。专利文献1：日本特开2016-92102号公报专利文献2：日本特开2014-7281号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题另外，当利用CH3F气体的等离子体对被处理体进行处理时，未被掩膜覆盖的有机膜的表面也固化了。因此，使掩膜固化的处理有时会导致有机膜的蚀刻速率下降，从而转变为不进行蚀刻、即所谓的蚀刻停止。为了增加蚀刻速率，也考虑增加用于引入离子等的高频偏压的电力。但是，若只是单纯地增加蚀刻速率，则有机膜与基底膜的选择比下降。因此，尤其对于有机膜的厚度局部不同的被处理体，难以在抑制对基底膜带来的损伤的同时蚀刻有机膜。用于解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：搬入工序，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内，并且载置在腔室内的载置台上；第一供给工序，向所述腔室内供给包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体；改性工序，在所述腔室内生成所述第一气体的等离子体，对所述掩膜和未被所述掩膜覆盖的所述第一有机膜的表面进行改性；第二供给工序，向所述腔室内供给用于对所述第一有机膜进行蚀刻的第二气体；去除工序，向所述载置台施加第一电力的高频偏压，并且在所述腔室内生成第二气体的等离子体，由此将形成于未被所述掩膜覆盖的所述第一有机膜的表面的改性层去除；以及蚀刻工序，向所述载置台施加比所述第一电力低的第二电力的高频偏压，并...

【技术特征摘要】
2017.08.30 JP 2017-1654131.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：搬入工序，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内，并且载置在腔室内的载置台上；第一供给工序，向所述腔室内供给包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体；改性工序，在所述腔室内生成所述第一气体的等离子体，对所述掩膜和未被所述掩膜覆盖的所述第一有机膜的表面进行改性；第二供给工序，向所述腔室内供给用于对所述第一有机膜进行蚀刻的第二气体；去除工序，向所述载置台施加第一电力的高频偏压，并且在所述腔室内生成第二气体的等离子体，由此将形成于未被所述掩膜覆盖的所述第一有机膜的表面的改性层去除；以及蚀刻工序，向所述载置台施加比所述第一电力低的第二电力的高频偏压，并且在所述腔室内生成第二气体的等离子体，由此对已被去除的所述改性层的下层的所述第一有机膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述掩膜为第二有机膜。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，在所述去除工序中向载置台施加的高频偏压的电力为100W以上。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第一气体中包含氢氟烃气体。5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，所述氢氟烃气体由化学式CxHyFz表示，价数y比价数z大，其中，x、y以及z为自然数。6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述氢氟烃气体包含CH3F和CH2F2中的至少任一种气体。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，所述第二气体包含氮元素和氢元...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水祐介，北村彰规，高桥正彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP