本发明专利技术提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，用于防止在使基板的下表面干燥时处于干燥区域的外侧的液膜碎裂而产生液滴，并且防止微粒附着于卡盘构件及其周边的基板的下表面。基板处理方法包括：液处理工序，一边使基板旋转一边对基板的下表面供给处理液来进行液处理；以及干燥工序，在该液处理工序之后，一边对基板的下表面供给非活性气体一边进行基板的干燥处理。在干燥工序中，在开始进行干燥处理后且在基板的下表面中央部存在液膜的状态下(时间点T2～T3)，以第一供给流量(FR2)供给非活性气体，在基板的下表面中央部不再存在液膜后(时间点T3～T4)，以比第一供给流量少的第二供给流量(FR3)供给非活性气体。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
本专利技术涉及一种用于在向基板的下表面供给处理液来进行液处理之后使基板的下表面干燥的技术。
技术介绍
在使用于半导体装置的制造的基板处理装置中，有时一边使半导体晶圆等基板以水平姿势绕铅垂轴线旋转一边向该基板的下表面供给冲洗液例如纯水来对该下表面进行冲洗处理。在进行这样的液处理的情况下，利用旋转卡盘(基板旋转保持机构)来保持基板，该旋转卡盘(基板旋转保持机构)具备圆盘状的基底构件以及设置于基底构件的周缘部且用于卡住基板的周缘部的多个卡盘构件。此外，“基板的下表面”为在进行处理时朝向下方的面，其能够是作为器件形成面的表面，也能够是作为非器件形成面的背面。在下表面的冲洗处理结束之后，通过使基板高速旋转来进行甩干干燥。为了使基板良好地干燥，优选的是，首先在基板的中心部形成小的圆形的干燥区域(干燥中心区域)，使该干燥区域的外周缘以同心圆状逐渐扩展开来。通过这样，即使在液体中存在微粒，微粒也与液体一起被赶到基板的外侧，因此能够防止在干燥的基板上残留有微粒。在进行甩干干燥时，为了促进干燥以及防止产生水痕，向基板的下表面侧供给低湿度且优选为低氧浓度的气体、例如氮气体(例如参照专利文献1)。氮气体的供给量会对干燥中心区域的形成和扩张带来影响，因此必须将该供给量控制在适当的范围内。在氮气体的供给量过大的情况下，干燥中心区域扩展的速度过快，有产生处于干燥中心区域的外侧的液膜的碎裂(产生从液膜分离出的液滴)的风险。当在碎裂产生的液滴中存在微粒时，在该液滴干燥后，该微粒再次附着于基板。另外，有时与针对上述的基板下表面的液处理并行地对基板的上表面进行液处理、例如刷洗处理或AS(雾化喷雾)清洗处理。在该情况下，由通过清洗处理而从基板表面被去除的物质构成的微粒与处理液一起流向基板的周缘部，最终飞散到基板的外侧。有包含该微粒的处理液漫延到基板的下表面且附着于卡盘构件及其周边的基板的下表面的风险。专利文献1：日本特开2015-231030号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供一种在使基板的下表面干燥时能够同时防止处于干燥区域的外侧的液膜碎裂而产生液滴以及微粒附着于卡盘构件及其周边的基板的下表面的技术。用于解决问题的方案根据本专利技术的一个实施方式，提供一种基板处理装置，其具备：基板保持构件，其保持基板的周缘部；旋转部，其具有设置有所述基板保持构件的板，通过使所述板旋转来使所述基板旋转；流体供给部，其配置于所述旋转部的中央，对被所述基板保持构件保持的所述基板的下表面供给处理液和非活性气体；以及控制部，其进行以下控制：一边使所述基板旋转一边对所述基板的下表面供给处理液来进行液处理，在进行所述液处理之后，一边对所述基板的下表面供给所述非活性气体一边进行所述基板的干燥处理，其中，所述控制部进行以下控制：在开始进行所述干燥处理后且在所述基板的下表面中央部存在液膜的状态下，以第一供给流量供给所述非活性气体，在所述下表面中央部不再存在液膜之后，以比所述第一供给流量少的第二供给流量供给所述非活性气体。根据本专利技术的其它实施方式，提供一种基板处理方法，用于使用基板处理装置对基板进行处理，所述基板处理装置具备：基板保持构件，其保持所述基板的周缘部；旋转部，其具有设置有所述基板保持构件的板，通过使所述板旋转来使所述基板旋转；以及流体供给部，其配置于所述旋转部的中央，对被所述基板保持构件保持的所述基板的下表面供给处理液和非活性气体，在基板处理方法中包括：液处理工序，一边使所述基板旋转一边对所述基板的下表面供给处理液来进行液处理；以及干燥工序，在所述液处理工序之后，一边对所述基板的下表面供给所述非活性气体一边进行所述基板的干燥处理，在该基板处理方法中，在开始进行所述干燥处理之后且在所述基板的下表面中央部存在液膜的状态下，以第一供给流量供给所述非活性气体，在所述下表面中央部不再存在液膜之后，以比所述第一供给流量少的第二供给流量供给所述非活性气体。根据本专利技术的另一其它实施方式，提供一种存储介质，其记录有程序，在由构成用于控制基板处理装置的动作的控制部的计算机执行该程序时，所述计算机控制所述基板处理装置来执行上述的基板处理方法。专利技术的效果根据上述本专利技术的实施方式，在比较厚的液膜覆盖基板的整个下表面的时期，以比较大流量供给非活性气体，由此能够吹掉附着于基板保持构件的微粒。另外，在基板的下表面中央不再存在液膜之后，以比较小流量供给非活性气体，由此能够使干燥区域扩展的速度不会过快，从而能够防止由于液碎裂而引起的微粒的产生。附图说明图1是表示本专利技术的基板处理装置的一个实施方式所涉及的基板处理系统的整体结构的概要俯视图。图2是图1的基板液处理系统中包括的处理单元的概要纵剖截面图。图3是将图2的处理单元的处理液的喷出口和干燥用气体的喷出口的附近放大地表示的截面图。图4是用于说明晶圆下表面的干燥的进展的图。图5是用于说明在干燥晶圆下表面时产生的缺陷的图。图6是说明氮气体的供给量的变化的曲线图。图7是说明改进后的基板保持构件的图，图7的(A)是表示改进后的基板保持构件的侧视图，图7的(B)是表示改进前的基板保持构件侧视图。图8是图7的(A)所示的改进后的基板保持构件的立体图。图9是表示图7的(A)所示的改进后的基板保持构件、被该基板保持构件保持的晶圆、以及刷子的位置关系的图。图10是表示具备可动的分隔板的基板保持旋转机构的实施方式的概要纵剖截面图。附图标记说明W：基板(半导体晶圆)；4：控制部(控制装置)；31a：板(基板)；31b：基板保持构件(保持构件)；31a、32、33：旋转部(底板、旋转轴、旋转马达)；43a、72、74、82：流体供给部；62：刷子；FR1：第三供给流量；FR2：第一供给流量；FR3：第二供给流量。具体实施方式下面，参照附图来说明本专利技术的实施方式。图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。在以下，为了使位置关系清楚，对相互正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张晶圆以水平状态收容。搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用基板保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具有用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用基板保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆W。处理单元16用于对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板保持构件，其保持基板的周缘部；旋转部，其具有设置有所述基板保持构件的板，通过使所述板旋转来使所述基板旋转；流体供给部，其配置于所述旋转部的中央，对被所述基板保持构件保持的所述基板的下表面供给处理液和非活性气体；以及控制部，其进行以下控制：一边使所述基板旋转一边对所述基板的下表面供给处理液来进行液处理，在进行所述液处理之后，一边对所述基板的下表面供给所述非活性气体一边进行所述基板的干燥处理，其中，所述控制部进行以下控制：在开始进行所述干燥处理后且在所述基板的下表面中央部存在液膜的状态下，以第一供给流量供给所述非活性气体，在所述下表面中央部不再存在液膜之后，以比所述第一供给流量少的第二供给流量供给所述非活性气体。
【技术特征摘要】
2017.08.07 JP 2017-1526121.一种基板处理装置，其特征在于，具备：基板保持构件，其保持基板的周缘部；旋转部，其具有设置有所述基板保持构件的板，通过使所述板旋转来使所述基板旋转；流体供给部，其配置于所述旋转部的中央，对被所述基板保持构件保持的所述基板的下表面供给处理液和非活性气体；以及控制部，其进行以下控制：一边使所述基板旋转一边对所述基板的下表面供给处理液来进行液处理，在进行所述液处理之后，一边对所述基板的下表面供给所述非活性气体一边进行所述基板的干燥处理，其中，所述控制部进行以下控制：在开始进行所述干燥处理后且在所述基板的下表面中央部存在液膜的状态下，以第一供给流量供给所述非活性气体，在所述下表面中央部不再存在液膜之后，以比所述第一供给流量少的第二供给流量供给所述非活性气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述干燥处理中的所述第一供给流量为吹走附着于所述基板保持构件的处理液的流量。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部在所述液处理中进行控制，以使所述流体供给部以第三供给流量供给非活性气体，所述干燥处理中的所述第二供给流量为比所述第三供给流量小的流量。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还具备刷子，所述刷子用于对被所述基板保持部保持的所述基板的上表面实施刷洗，所述控制部在对所述基板的下表面进行所述液处理时进行控制，以使用所述刷子对所述基板的上表面进...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫原理，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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