本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。课题在于实现金属层选择比和掩模选择比的兼顾。技术方案为：一种等离子体处理装置，对配置有多层膜的处理容器内供给至少含有氟碳系气体或氢氟碳系气体、氧气、氮气和CO的处理气体，在供给了处理气体的处...

本发明提供一种在该基片上层叠地形成多个图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理系统。对于层叠在基片上的两层以上的图案的相关性，基于上层图案的EPE、下层图案的EPE和两层图案的套刻精度，来计算作为该两层图案间的错位量的IPFE。在计...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其能够抑制晶片的周缘部的图案倒线。实施方式的基片处理方法包括处理液供给工序、置换工序和干燥工序。处理液供给工序向保持为水平的基片上供给处理液。置换工序向基片上供给表面张力比处理液低的溶剂来将已被供给...

本发明提供一种等离子体处理装置，其第一载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形...

本发明的目的在于提供一种能够形成按照基板的表面形状保形的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保...

本公开涉及向钨膜上形成氧化硅膜的方法、装置以及存储介质。在使用氧自由基那样的氧活性种来在钨膜上形成氧化硅膜的情况下，抑制钨膜的氧化。向钨膜上形成氧化硅膜的方法包括：第一工序，设为将具有表面形成了自然氧化膜的钨膜的被处理体配置在减压下的处...

本公开涉及硅膜的形成方法、形成装置以及存储介质。提供一种能够针对不同的基底来减小膜厚差并形成硅膜的硅膜的形成方法以及形成装置。包括以下工序：准备具有凹部的被处理基板，在该凹部多个不同的基底露出；一边将被处理基板加热至规定的温度，一边将适...

本发明涉及基板背面研磨构件的修整装置和修整方法。在对用于对基板的背面进行研磨的研磨构件进行清洗、修整时，不使清洗液、残渣向周围飞散。修整装置(200)具有槽构件(203)，该槽构件(203)能够从上方收容研磨垫(131)，并具有顶板部(...

本发明提供能够适当地蚀刻硼掺杂硅的基板处理方法。具有由SiB形成的SiB层(40)的晶圆W暴露于氟气及氨气中，对由载物台(12)载置的晶圆W进行加热。

本发明在提供抑制工艺的复杂化且可进行选择性的图案成膜的技术的一实施方式中，提供处理晶片(W)的方法(MT)，晶片(W)包含金属部(61)、绝缘部(62)及主表面(6)，在主表面(6)侧露出有金属部(61)的表面(61a)及绝缘部(62)...

一种用于临界尺寸控制的方法，其中接纳具有下伏层和形成在下伏层上的图案化层的衬底，图案化层包括辐射敏感材料以及具有第一临界尺寸的变化的高度的图案。该方法还包括：在图案化层之上施加外涂层，外涂层包含光剂，光剂选自于光敏剂生成剂化合物、光敏剂...

一种用于临界尺寸控制的方法，其中接纳具有下伏层和在下伏层上的辐射敏感材料层的衬底。辐射敏感材料通过图案化掩模被曝光于UV光谱中的第一光波长，并且被第一次显影。辐射敏感材料被泛曝光于与第一光波长不同的第二光波长，并且被第二次显影以形成图案...

本公开提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。热处理装置(20)具备：处理室(31)，其收纳作为处理对象的晶圆(W)；热处理部(50)，其被设置在处理室内，用于支承并加热晶圆，具有至少在该晶圆的周向上...

本发明提供一种基片的温度控制的响应性优越，能够减少冷却装置的耗费电力的基片处理装置。一个方式中的基片处理装置包括腔室主体、载置台、冷却装置和局部回路。载置台设置于腔室主体的内部空间。在载置台内设置有制冷剂流路。冷却装置设置于腔室主体的外...

本发明提供一种气体处理装置，其具备：载置部，其设置于真空气氛的处理室，用于载置基板；气体供给部，其位于载置部的上方侧且构成处理室的顶部，并形成有用于将所述处理气体以喷淋状供给的多个气体供给口；气体供给路径形成部，其具备从气体供给部的上方...

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质，改善掩膜图案的表面的粗糙并抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化。所述装置具备：载置台(24)，其在处理容器(21)内载置表面形成有图案掩膜(12)的基板(W)；减压机构(32)，其对所述处理容器...

本发明提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置...

本发明检测制冷剂的泄漏。本发明一技术方案的处理装置包括：用于提供腔室的腔室主体；载置台，其支承载置于该载置台上的被处理体，在该载置台内部形成有制冷剂用的第一流路和与该第一流路连通的空间；第一配管，其具有第一端部和第二端部，第一端部被插入...

本发明提供一种能够不形成核生成用的初始钨膜而以一个阶段成膜钨膜的钨膜的成膜方法和成膜装置。反复进行对被处理基板交替供给氯化钨气体和H2气体的循环，在所述被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。

本发明提供一种基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统。即使在不设置具有调节送出时的晶片的方向的功能的处理装置，也能够在小型的基片处理系统中短时间且低成本进行旋转式处理时的晶片的对位。本方法包括：由抗蚀剂涂敷装置实施EBR处理的旋转式处...