氮化硅膜的成膜方法和成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种能够形成按照基板的表面形状保形的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保形地吸附于所述基板的表面那样的吸附阻碍区域的工序；使含有硅和氯的原料气体吸附于形成有所述吸附阻碍区域的所述基板的表面的工序；以及向吸附有所述原料气体的所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使氮化硅膜堆积的工序。

Film Forming Method and Device of Silicon Nitride Film

The object of the present invention is to provide a method and a device for forming a silicon nitride film conforming to the surface shape of the substrate. The invention relates to a method for forming silicon nitride film, which is a method for forming silicon nitride film on the surface of a substrate. The method has the following procedures: adsorbing chlorine free radicals on the surface of a substrate, forming an adsorbing hindrance area for gas containing chlorine to conformally adsorb on the surface of the substrate; and adsorbing raw gas containing silicon and chlorine to form the adsorbing hindrance area. The process of blocking the surface of the substrate in the area; and the process of depositing the silicon nitride film by supplying plasma-activated nitride gas to the surface of the substrate adsorbed with the raw gas.

【技术实现步骤摘要】
氮化硅膜的成膜方法和成膜装置
本专利技术涉及氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。
技术介绍
以往以来，公知有一种氮化膜的形成方法，在该氮化膜的形成方法中，对在表面形成有微细凹部的被处理基板反复进行如下工序而在微细凹部内形成氮化膜：吸附工序，在该吸附工序中，使含有构成要成膜的氮化膜的元素和氯的成膜原料气体吸附于该被处理基板；氮化工序，在该氮化工序中，利用氮化活性种使所吸附的成膜原料气体氮化，在该氮化膜的形成方法中，在氮化工序中，生成NH＊活性种和N＊活性种作为氮化活性种，通过对它们的浓度进行控制，在微细凹部内使成膜原料气体所吸附的区域变化(例如参照专利文献1)。在该氮化膜的形成方法中，在成膜阶段之前，以NH＊活性种为主体来进行氮化工序，进行形成保形的氮化膜的初始成膜阶段，之后，在氮化工序中，使N＊活性种的浓度从N＊活性种的浓度较高的状态起连续地减少，进行从微细凹部的底部使氮化膜成长的成膜阶段。由此，从沟槽底部使氮化膜自下而上成长，之后以NH＊活性种较高的状态控制成保形的成长，能够不会形成空隙、接缝地将氮化膜埋入微细沟槽内部。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-92098号公报专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保形地吸附于所述基板的表面那样的吸附阻碍区域的形成吸附阻碍区域的工序；使含有硅和氯的原料气体吸附于形成有所述吸附阻碍区域的所述基板的表面的使原料气体吸附的工序；以及向吸附有所述原料气体的所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使氮化硅膜堆积的工序。

【技术特征摘要】
2017.08.09 JP 2017-1547411.一种氮化硅膜的成膜方法，其是在基板的表面上成膜氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法，其具有如下工序：使氯自由基吸附于基板的表面、形成供含有氯的气体保形地吸附于所述基板的表面那样的吸附阻碍区域的形成吸附阻碍区域的工序；使含有硅和氯的原料气体吸附于形成有所述吸附阻碍区域的所述基板的表面的使原料气体吸附的工序；以及向吸附有所述原料气体的所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使氮化硅膜堆积的工序。2.根据权利要求1所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，进行所述形成吸附阻碍区域的工序的时间比进行所述使原料气体吸附的工序以及所述使氮化硅膜堆积的工序的时间长。3.根据权利要求1或2所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，所述氯自由基使用远程等离子体装置来生成。4.根据权利要求1或2所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，活性化后的所述氮化气体被感应耦合型等离子体活性化。5.根据权利要求1或2所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，在所述基板形成有凹凸图案，所述吸附阻碍区域以所述原料气体按照所述凹凸图案的形状保形地吸附的方式形成。6.根据权利要求5所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，所述凹凸图案包括沟槽或导通孔，所述吸附阻碍区域以所述原料气体在所述沟槽或导通孔的深度方向上保形地吸附的方式形成。7.根据权利要求1或2所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，将所述形成吸附阻碍区域的工序、所述使原料气体吸附的工序以及所述使氮化硅膜堆积的工序设为1周期，该1周期反复进行多次。8.根据权利要求7所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，在所述形成吸附阻碍区域的工序与所述使原料气体吸附的工序之间、以及在所述使原料气体吸附的工序与所述使氮化硅膜堆积的工序之间还具有向所述基板的表面供给吹扫气体的工序。9.根据权利要求8所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，在第1次所述形成吸附阻碍区域的工序之前还具有向所述基板的表面供给被等离子体活性化后的氮化气体而使所述基板的表面氮化的工序。10.根据权利要求8或9所述的氮化硅膜的成膜方法，其中，所述基板沿着设置于处理室内的旋转台的表面上的周向载置，能够向所述旋转台供给所述氯自由基的氯自由基吸附区域、能够向所述旋转台供给所述吹扫气体的第1吹扫区域、能够向所述旋转台供给所述原料气体的原料气体吸附区域、能够向所述旋转台供给所述吹扫气体的第2吹扫区域、能够向所述旋转台供给活性化后的所述氮化气体的氮化区域沿着所述旋转台的所述周向设置于所述旋转台的上方，以在所述氯自由基吸附区域供给所述氯自由基、在所述第1吹扫区域和所述第2吹扫区域供给所述吹扫气体、在所述原料气体吸附区域不供给所述原料气体、在所述氮化区域不供给活性化后的所述氮化气体的状态实施使所述旋转台旋转第1预定次数而形成所述吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，高桥豊，久保万身，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP