基板处理装置、基板处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质，改善掩膜图案的表面的粗糙并抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化。所述装置具备：载置台(24)，其在处理容器(21)内载置表面形成有图案掩膜(12)的基板(W)；减压机构(32)，其对所述处理容器(21)内进行减压；光照射机构(42)，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力之后向所述基板(W)照射真空紫外光来改善所述图案掩膜(12)的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器(21)内从10000Pa以上的压力减压到1Pa的期间中由所述减压机构(32)进行减压的该处理容器(21)内的减压速度为250Pa/秒以下。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法和存储介质
本专利技术涉及一种改善形成于基板的表面的图案掩膜的粗糙的技术。
技术介绍
在半导体元件的制造工艺中，在半导体晶圆(以下记载为“晶圆”)等基板的表面形成抗蚀膜并且进行曝光之后，进行显影处理，由此在晶圆表面形成抗蚀图案。然后，以该抗蚀图案作为图案掩膜来进行抗蚀膜的下层膜的蚀刻，从而在该下层膜形成图案。然而，有时在抗蚀图案的表面存在有粗糙、即凹凸。该抗蚀图案的粗糙有时会在蚀刻时对下层膜的图案的形状带来不良影响，因此有时进行改善该粗糙的处理。在专利文献1中，在臭氧浓度比规定的浓度低的气氛下照射200nm以下的波长的射线，由此能够抑制抗蚀图案的表面的粗糙。但是，具有如下风险：为了形成这样的气氛而对基板的周围抽真空，因此图案的轮廓形状与期望的轮廓形状产生偏差，导致抗蚀图案不能够起到作为图案掩膜的作用，关于详情在后进行叙述。专利文献1：日本特开2001-127037号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是基于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够改善掩膜图案的表面的粗糙并且能够抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化的技术。用于解决问题的方案本专利技术的基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：载置台，其在处理容器内载置表面形成有图案掩膜的基板；减压机构，其对所述处理容器内进行减压；光照射机构，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力后，向所述基板照射真空紫外光来改善所述图案掩膜的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器内从10000Pa减压到1Pa的期间中由所述减压机构进行减压的该处理容器内的减压速度的平均速度为250Pa/秒以下。

【技术特征摘要】
2017.07.19 JP 2017-1401001.一种基板处理装置，其特征在于，具备：载置台，其在处理容器内载置表面形成有图案掩膜的基板；减压机构，其对所述处理容器内进行减压；光照射机构，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力后，向所述基板照射真空紫外光来改善所述图案掩膜的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器内从10000Pa减压到1Pa的期间中由所述减压机构进行减压的该处理容器内的减压速度的平均速度为250Pa/秒以下。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，从所述光照射部照射出的光中包括波长比160nm小的光。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述光照射机构由氘灯构成。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理容器内从10000Pa减压到1Pa的时间为60秒以下。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，设置有升压气体供给机构，在所述处理容器内的压力达到1Pa以下的压力后，所述升压气体供给机构向所述处理容器内供给升压...

【专利技术属性】
技术研发人员：井关智弘，田中启一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP