等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置有多个加热器。多个加热器经由多个供电线而与加热器控制器电连接。在多个供电线上分别设置有多个滤波器。多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件之类的电子元件的制造中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室主体、载置台以及高频电源。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。载置台设置在腔室内，构成为对被载置在该载置台上的被加工物进行保持。载置台包括下部电极和静电卡盘。下部电极与高频电源连接。在等离子体处理装置中执行的等离子体处理中，需要调整被加工物的面内的温度分布。为了调整被加工物的面内的温度分布，在载置台设置多个加热器。多个加热器各自经由多个供电线而与加热器控制器连接。从高频电源向载置台的下部电极供给高频。被供给到下部电极的高频会流入多个供电线。因而，在多个供电线上分别设置将高频切断或使高频衰减的多个滤波器。如专利文献1所记载的那样，多个滤波器配置于腔室主体的外侧。因而，多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。专利文献1：日本特开2014-99585号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线分别相对于地电位产生寄生电容。其结果是，多个供电线上的滤波器的针对高频的阻抗下降。多个供电线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，具备：腔室主体，其提供腔室；载置台，其构成为在所述腔室内支承被加工物，所述载置台具有下部电极和设置在所述下部电极上的静电卡盘，所述静电卡盘具有设置于其内部的多个加热器以及与该多个加热器电连接的多个端子；高频电源，其配置于所述腔室主体的外侧，产生向所述下部电极供给的高频；导体管，其将所述高频电源与所述下部电极电连接，从所述下部电极侧延伸到所述腔室主体的外侧；多个供电线，所述多个供电线设置为将来自加热器控制器的电力向所述多个加热器供给；以及多个滤波器，所述多个滤波器各自的一部分构成所述多个供电线，并且构成为防止高频从所述多个加热器向所述加热器控制器流入，所述多个滤波器设置...

【技术特征摘要】
2017.07.19 JP 2017-1399201.一种等离子体处理装置，具备：腔室主体，其提供腔室；载置台，其构成为在所述腔室内支承被加工物，所述载置台具有下部电极和设置在所述下部电极上的静电卡盘，所述静电卡盘具有设置于其内部的多个加热器以及与该多个加热器电连接的多个端子；高频电源，其配置于所述腔室主体的外侧，产生向所述下部电极供给的高频；导体管，其将所述高频电源与所述下部电极电连接，从所述下部电极侧延伸到所述腔室主体的外侧；多个供电线，所述多个供电线设置为将来自加热器控制器的电力向所述多个加热器供给；以及多个滤波器，所述多个滤波器各自的一部分构成所述多个供电线，并且构成为防止高频从所述多个加热器向所述加热器控制器流入，所述多个滤波器设置于所述腔室主体的外侧，其中，所述多个供电线包括将所述多个端子与所述多个滤波器分别连接的多个配线，所述多个配线穿过所述导体管的内孔而延伸到所述腔室主体的外侧。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥西直彦，永岛望，高桥智之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP