热处理装置、热处理方法以及存储介质制造方法及图纸

本公开提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。热处理装置(20)具备：处理室(31)，其收纳作为处理对象的晶圆(W)；热处理部(50)，其被设置在处理室内，用于支承并加热晶圆，具有至少在该晶圆的周向上排列的多个热处理区域(51)；供气口(35)，其向处理室内导入气体；排气口(34)，其从处理室内排出气体；多个流速传感器(71)，其在热处理部所支承的晶圆的周向排列，用于检测气流的流速；以及控制部(100)，其基于与由多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对多个热处理区域的温度进行调节。

Heat treatment equipment, heat treatment method and storage medium

The present disclosure provides an effective heat treatment device, a heat treatment method and a storage medium for improving film thickness uniformity during film formation. The heat treatment device (20) has: a processing chamber (31), which receives wafers (W) as processing objects, a heat treatment unit (50), which is set in the processing chamber to support and heat the wafers, and a plurality of heat treatment zones (51) arranged at least in the circumference of the wafer, a gas supply port (35), which introduces gas into the processing chamber, an exhaust port (34), which discharges gas from the processing chamber, and a plurality of flow velocities. The sensor (71) is arranged in the circumferential direction of the wafer supported by the heat treatment unit to detect the flow rate of the gas stream, and the control unit (100) controls the heat treatment unit based on the temperature distribution corresponding to the flow rate of the gas stream detected by a plurality of flow sensors to adjust the temperature of the heat treatment area.

【技术实现步骤摘要】
热处理装置、热处理方法以及存储介质
本公开涉及热处理装置、热处理方法以及存储介质。
技术介绍
专利文献1公开了一种热处理装置，具备：载置部，其被设置在处理容器内，用于载置基板；加热部，其用于对载置于载置部的基板进行加热；供气口，其以沿着基板的外周的方式设置，用于向处理容器内供气，设置在基板的外周的侧方的位置；以及排气口，其用于从处理容器内排气，设置在基板的中央部的上方。专利文献1：日本特开2016-115919号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开的目的在于，提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。用于解决问题的方案本公开的一方面涉及的热处理装置具备：处理室，其收纳作为处理对象的基板；热处理部，其设置在处理室内，用于支承基板并对基板进行加热或冷却，该热处理部具有在该基板的周向上排列的多个热处理区域；供气口，其向处理室内导入气体；排气口，其从处理室内排出气体；多个流速传感器，其以在热处理部所支承的基板的周向上排列的方式配置，用于检测气流的流速；以及控制部，其基于与由多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对多个热处理区域的温度进行调节。在处理室内，在气流的流速高的部位处与低的部位处之间，热处理进行的程度会产生差异，因此存在热处理后的膜厚的均匀性降低的情况。因此，期望提高气流的流速的均匀性，但是气流分布还受处理室外的诸多条件的影响而难以控制。与之相对，在本热处理装置中，代替对气流分布的控制，通过基于与气流的流速相应的温度分布来对多个热处理区域的温度进行调节，抑制因气流的流速分布引起的膜厚的均匀性降低。与气流的流速分布相比较而言，温度分布能够容易地控制，因而如果构成为基于与气流的流速相应的温度分布来对多个热处理区域的温度进行调节，则能够容易地抑制因气流的流速分布引起的膜厚的均匀性降低。另外，利用多个流速传感器实时地检测气流的流速分布，并能够与之相应地调节温度分布，因而在由于外因而气流的流速随时间变化的情况下，也能够针对于此适当地调节温度分布，能够抑制流速变化的影响。此外，多个热处理区域以及多个流速传感器均配置为在基板的周向上排列。该配置适合于抑制在基板的周向上的流速分布的影响。气流的流速的差异有在基板的周向上的位置不同的部位之间容易产生的倾向。因此，根据适合于抑制基板的周向上的流速分布的影响的结构，能够更加可靠地抑制流速分布的影响。因而，本热处理装置对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性是有效的。也可以是，作为处理对象的基板是被涂布了处理液的基板，控制部构成为根据处理液的种类来改变由多个流速传感器检测的气流的流速与温度分布之间的关系。在该情况下，通过根据处理液的种类来适当地设定气流的流速分布与温度分布之间的关系，能够更加可靠地抑制因气流的流速分布引起的膜厚的均匀性降低。也可以是，在基板的周向，多个流速传感器以与多个热处理区域分别对应的方式配置。在该情况下，由于直接导出各热处理区域上的气流的流速，因此能够容易地导出多个热处理区域的温度设定值。也可以是，多个流速传感器设置在比热处理部所支承的基板靠外侧的位置。在该情况下，基板上的气流不会因流速传感器被扰乱，能够检测气流的流速。也可以是，处理室的内表面包括与热处理部所支承的基板的表面相向的上表面以及包围该基板的周面；排气口设置在上表面的中央部；供气口以沿着周面来包围基板的方式设置。在该情况下，在基板的周向上的位置不同的部位之间容易产生气流的流速的差异的倾向变得更显著，因而多个热处理区域以及多个流速传感器在基板的周向上排列的配置更加有效地发挥作用。本公开的其它方面所涉及的热处理方法包括：将作为处理对象的基板搬入处理室内；将基板载置于处理室内的热处理部上；基于与在基板的周向上排列的多个部位处的气流的流速相应的温度分布来控制热处理部以对基板进行加热或者冷却。也可以是，作为处理对象的基板是被涂布了处理液的基板，根据处理液的种类来改变多个部位处的气流的流速与温度分布之间的关系。本公开的另一方面所涉及的计算机可读取的存储介质存储有程序，所述程序用于使装置执行所述热处理方法。专利技术的效果根据本公开，能够提供对于提高覆膜形成时的膜厚均匀性有效的热处理装置、热处理方法以及存储介质。附图说明图1是示出基板液处理系统的概略结构的立体图。图2是示出涂布显影装置的概略结构的剖面图。图3是示出热处理单元的概略结构的示意图。图4是例示热处理区域以及流速传感器的配置的示意图。图5是示出系数数据库的存储内容的表。图6是例示控制部的硬件结构的框图。图7是示出热处理过程的流程图。图8是示出热处理执行中的晶圆的状态的示意图。图9是示出热处理单元的变形例的示意图。图10是示出热处理单元的其它变形例的示意图。图11是示出热处理单元的另一其它变形例的示意图。附图标记说明20：热处理装置；50：热处理部；71、71A、71B、71C、71D：流速传感器；31：处理室；35：供气口；34：排气口；32：上表面；33：周面；51、51A、51B、51C、51D、51E、51F、51H、51I：热处理区域；100：控制部。具体实施方式〔基板处理系统〕基板处理系统1是对基板实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光、以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基板例如是半导体晶圆W。感光性覆膜例如是抗蚀膜。基板处理系统1具备涂布显影装置2和曝光装置3。曝光装置3对在晶圆W(基板)上形成的抗蚀膜(感光性覆膜)进行曝光处理。具体来讲，通过液浸曝光等方法来对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。涂布显影装置2在曝光装置3进行曝光处理之前进行在晶圆W(基板)的表面形成抗蚀膜的处理，在曝光处理之后进行抗蚀膜的显影处理。〔基板处理装置〕以下，作为基板处理装置的一例，说明涂布显影装置2的结构。如图1和图2所示，涂布显影装置2具备承载件模块4、处理模块5、接口模块6以及控制部100。承载件模块4用于向涂布显影装置2内导入晶圆W以及从涂布显影装置2内导出晶圆W。例如承载件模块4能够支承晶圆W用的多个承载件C，并且内置有交接臂A1。承载件C例如收纳圆形的多张晶圆W。交接臂A1从承载件C取出晶圆W并交到处理模块5，从处理模块5接受晶圆W并返还到承载件C内。处理模块5具有多个处理组件11、12、13、14。处理组件11、12、13内置有涂布单元U1、热处理单元U2以及用于将晶圆W搬送到这些单元的搬送臂A3。处理组件11利用涂布单元U1和热处理单元U2来在晶圆W的表面上形成下层膜。处理组件11的涂布单元U1将下层膜形成用的处理液涂布到晶圆W上。处理组件11的热处理单元U2进行伴随下层膜的形成的各种热处理。处理组件12利用涂布单元U1和热处理单元U2来在下层膜上形成抗蚀膜。处理组件12的涂布单元U1将抗蚀膜形成用的处理液涂布到下层膜上。处理组件12的热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成的各种热处理。处理组件13利用涂布单元U1和热处理单元U2来在抗蚀膜上形成上层膜。处理组件13的涂布单元U1将上层膜形成用的液体涂布到抗蚀膜上。处理组件13的热处理单元U2进行伴随上层膜的形成的各种热处理。处理组件14内置有显影单元U3、热处理单元U4以及用于将晶圆W搬送到这些单元的搬送臂A3。处理组件14利用显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理装置，具备：处理室，其收纳作为处理对象的基板；热处理部，其用于在所述处理室内支承所述基板并对所述基板进行加热或冷却，该热处理部具有在该基板的周向上排列的多个热处理区域；供气口，其向所述处理室内导入气体；排气口，其从所述处理室内排出气体；多个流速传感器，其在所述热处理部所支承的所述基板的周向上排列，来检测气流的流速；以及控制部，其基于与由所述多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制所述热处理部以对所述多个热处理区域的温度进行调节。

【技术特征摘要】
2017.07.27 JP 2017-1457021.一种热处理装置，具备：处理室，其收纳作为处理对象的基板；热处理部，其用于在所述处理室内支承所述基板并对所述基板进行加热或冷却，该热处理部具有在该基板的周向上排列的多个热处理区域；供气口，其向所述处理室内导入气体；排气口，其从所述处理室内排出气体；多个流速传感器，其在所述热处理部所支承的所述基板的周向上排列，来检测气流的流速；以及控制部，其基于与由所述多个流速传感器检测的气流的流速相应的温度分布来控制所述热处理部以对所述多个热处理区域的温度进行调节。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述作为处理对象的基板是被涂布了处理液的基板，所述控制部构成为，根据所述处理液的种类来改变由所述多个流速传感器检测的气流的流速与所述温度分布之间的关系。3.根据权利要求1或者2所述的热处理装置，其特征在于，在所述基板的周向，所述多个流速传感器以与所述多个热处理区域分别对...

【专利技术属性】
技术研发人员：福留生将，森泰夫，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP