本发明提供使向腔室主体照射的离子的能量降低的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置包括腔室主体、载置台和高频电源部。腔室主体提供腔室。腔室主体与接地电位连接。载置台具有下部电极，设置在腔室内。高频电源部与下部电极电连接。高频电...

等离子体处理装置具备：支承构造体，其支承被加工物；以及第1驱动装置，其构成为，使支承构造体绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有：保持部，其包括静电卡盘；以及容器，其设置到保持部的下侧。容器具有：筒状的容器主体；底...

等离子体处理装置具备：腔室主体，其提供腔室；支承构造体，其在腔室主体内支承被加工物；以及第1驱动装置，其构成为，使支承构造体在腔室主体内绕沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线旋转。支承构造体具有：保持部，其包括保持被加工物的静电卡盘，...

基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)，其对两张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构(14)，其对处理部(11a、11b)独立地供给气体；以及共同的排气机构(15)，其对处理部(11a、11b)内的气体统一进行排气，在使用该...

在一个实施方式的成膜装置中，旋转台与旋转轴连接。旋转台收容于基座的内部空间中。旋转台在相对于旋转轴的中心轴线沿周向排列的多个载置区域中保持被加工物，并且使该被加工物绕中心轴线旋转。在基座内从旋转台的外侧起形成沿着与中心轴线正交的一个方向...

提供了一种修整在集成方案中的无机抗蚀剂的方法，所述方法包括：将基底设置在处理室中，所述基底具有无机抗蚀剂层和下层，所述下层包括氧化物层、硅氮化物层和基础层的，所述无机抗蚀剂层具有无机结构图案；进行无机抗蚀剂修整工艺以选择性除去所述基底上...

描述了用于PS‑CAR光致抗蚀剂模拟的方法和系统。在一个实施方案中，方法包括校准用于模拟使用辐射敏感材料的光刻工艺的至少一个工艺参数的初始条件。在这样的实施方案中，辐射敏感材料包括：第一光波长活化阈值，其控制在辐射敏感材料中酸的产生直至...

描述了用于PS‑CAR光致抗蚀剂模拟的方法和系统。在一个实施方案中，方法包括通过模拟确定使用辐射敏感材料的光刻工艺的至少一个工艺参数。在这样的实施方案中，辐射敏感材料包括：第一光波长活化阈值，其控制在辐射敏感材料中产生酸至第一酸浓度并控...

本发明提供一种基片检测装置，其能够在安装环境下检测被封装的半导体器件的电气性能。探针装置(10)包括测试盒(14)、探针卡(15)和封装检测卡(26)，在封装检测卡(26)能够安装封装器件(30)，测试盒(14)的测试板(22)和封装检...

描述了抑制胶体二氧化硅沉积物在磷酸中处理的表面上生长的技术。在一个实施方案中，所公开的技术包括使用胶体二氧化硅生长抑制剂作为用于氮化硅蚀刻的磷酸溶液中的添加剂。在一些实施方案中，所述添加剂可以具有可以含有强阴离子基团的化学品。提供了这样...

本发明的目的在于提供一种检测基板收纳容器的内部的污染状态的基板收纳容器、控制装置和异常探测方法。所述基板收纳容器用于收纳基板，在所述基板收纳容器的内部具有能够检测污染状态的监测器，来检测所述基板收纳容器的内部的污染状态。

本发明提供一种能够将多个喷镀枪的间隔配置为狭窄的间隔的等离子体喷镀头、等离子体喷镀装置及等离子体喷镀方法。一个实施方式的等离子体喷镀头利用等离子体来使喷镀材料的粉末熔融，并且利用熔融后的粉末在对象物进行成膜，所述等离子体喷镀头具有喷镀枪...

本实用新型涉及基板加热装置，提供一种在将晶圆载置于加热板来进行加热的加热装置中抑制加热板的热对设置于加热装置的驱动系统的影响的技术。构成为由晶圆搬送机构将被加热板加热处理过的晶圆搬送到冷却板，在从加热板的下方侧起到冷却板的下方侧为止连续...

本公开涉及基板交接方法以及基板处理装置。对载置台上载置的基板的中心位置的位置偏移进行适当地校正。通过使以突出缩回自如的方式设置于载置台的多个销突出来接收基板，在基板被多个销支承的状态下检测基板的规定部分的位置，利用检测结果估计基板的中心...

本实用新型涉及一种基板处理装置。如果作业人员在基板处理装置内部填充有非活性气体而氧浓度低于规定值的情况下进入基板处理装置内部，则有窒息的危险。基板处理装置具备：对基板进行热处理且具有开口部的处理容器；与处理容器经由开口部连通的装载室，该...

本发明提供一种用于使涂敷在基片(W)的表面的有机材料膜中的溶剂在减压状态下干燥的减压干燥装置。减压干燥装置(1)包括：收纳基片的腔室(10)；和将腔室(10)内的空间与对腔室(10)内进行排气的排气装置(P)连接的多个排气管(30)，多...

本发明涉及基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质。当使用低表面张力的处理液时，防止来自喷嘴的处理液供给停止后的液体下落，定量地控制开闭阀关闭期间的处理液流量，并且减小处理液的消耗量。控制部(4)在从将处理液以第一流量从喷嘴(40)向基...

本发明的目的在于提高FPD的品质。在搬入工序中，设置有多个包括第一Ti膜、Al膜和第二Ti膜的电极层形成于半导体层上的多个元件的被处理基片被搬入腔体内。在供给工序中，向腔体内供给第一处理气体。在第一蚀刻工序中，利用第一处理气体的等离子体...

本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括：在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理，使经过热处理的部分氧化的步骤；和利用水或者含...

本发明的目的在于改善等离子体工艺的均匀性。本发明的等离子体处理装置，对载置于处理容器内的载置台的基片进行等离子体处理，包括：金属窗，其与上述载置台相对地形成于上述处理容器，具有多个导电性的部分窗部；绝缘物的隔开部件，其设置在上述部分窗部...