本发明提供一种等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中...

本发明提供一种等离子体处理方法，使用一个等离子体处理装置，执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括：在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤；和在腔室内对基片实施第2等离子体...

本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台，其可设定的温度的范围宽广，并且，能够细微地控制基片的面内温度分布。一个实施方式的载置台包括静电吸盘。静电吸盘具有基座和吸盘主体。吸盘主体设置在基座上，利用静电引力保持基片。吸盘主体具有多个第1加...

本发明涉及成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够利用侧流方式或横流方式的批量式的立式成膜装置来控制被处理体上的反应活性种的浓度分布的成膜技术。配置被收纳在能够保持真空的处理容器内的多个被处理体，从设置在多个被处理体的侧方的规定的位...

本发明涉及基板处理装置以及基板保持部的制造方法，能够高效地进行伴随紫外线处理的基板处理。所述基板处理装置具有：第一保持部，其保持被处理基板(W)；第二保持部，其与第一保持部相向配置，并对支承基板(S)进行静电吸附来保持支承基板(S)；以...

本发明提供一种在真空气氛下输送基片的真空输送组件。真空输送组件(4)具有在装载互锁组件(3)与对基片进行真空处理的多个处理组件(6)之间输送基片(W)的基片输送机构(51)，还具有：内部形成真空气氛的箱体(41)；和接合件安装部(44)...

本发明涉及氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够在通过ALD法针对多个被处理基板形成氮化硅膜时降低所形成的氮化硅膜的应力的技术。在通过ALD法针对多个被处理体统一形成氮化硅膜时，在各循环中，在使成膜原料吸附的步骤与氮化的...

本实用新型提供一种基板处理装置。以往，在利用气化器的处理工艺中，设置气体探测仪来监测是否发生了气体的泄露，该技术存在改进的余地。本实用新型的基板处理装置具备：处理室，其收纳基板，在该处理室中对基板进行处理；气化部，在气化部将处理液气化来...

一实施方式中，晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)、防反射膜(AL)及掩膜(MK1)，一实施方式的方法MT具备如下工序：在收容有该晶片(W)的等离子体处理装置(10)的处理容器(12)内，通过在处理容器(12)内产生的等离子体...

一实施方式中晶片(W)具备被蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4)，一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3)，并对每个原子层除去被蚀刻层(EL)来对被蚀刻层(EL)进行蚀刻，该序列(SQ3)包括：工序(ST9...

提供了在氮化硅蚀刻步骤期间除去胶态二氧化硅沉积物在高纵横比结构的表面上的生长的技术。使用高选择性过蚀刻步骤以除去沉积的胶态二氧化硅。所公开的技术包括使用磷酸从具有形成在具有高纵横比的窄间隙或沟槽结构中的氮化硅的结构中除去氮化硅，在所述结...

本发明提供一种能够留下基片的凹部内的覆膜，精度良好地蚀刻凹部外的覆膜的基片液处理方法(基片液处理装置、存储介质)。在使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理的基片液处理方法中，其中，上述覆膜覆盖凹部的内部和凹...

实施方式的基片清洗装置为一种利用刷子清洗基片的基片清洗装置，包括基片保持部、臂和供给部。基片保持部将基片以能够使该基片旋转地方式保持。臂经由轴将刷子以能够使该刷子旋转的方式支承。供给部对基片供给处理液。另外，刷子包括主体部、清洗体和液接...

提供一种用于对衬底中的结构图案进行关键尺寸(CD)修整的方法，该方法包括：在图案化系统的处理室中提供衬底，该衬底包括第一结构图案和下层，下层包括硅抗反射涂层(SiARC)或硅氮氧化物(SiON)层、光学平坦化层和目标图案化层；执行可选的...

描述了用于选择性硅抗反射涂层(SiARC)去除的方法和系统。方法的实施方式包括在处理室中设置基板，基板包括：抗蚀剂层、SiARC层、图案转移层和底层。这样的方法还可以包括执行图案转移处理，图案转移处理被配置成去除抗蚀剂层并且在基板上创建...

提供一种异常探测系统，所述异常探测系统具有：第一控制器，其控制基板处理装置；以及第二控制器，其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制，所述异常探测系统探测所述设备的异常，其中，所述第二控制器具有存储部，所述存储部...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括：腔室(40)，其被保...

本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理...

本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子...

本发明提供一种微波等离子体处理装置，其包括：配置在处理容器的顶部，将用于从气体生成等离子体的微波导入到该处理容器的内部的微波导入组件；和形成在上述处理容器的顶部，将气体导入到等离子体处理空间的多个供气孔，上述多个供气孔分别具有空腔部，上...