本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的...

本发明提供一种具有能够配置在小的空间中的多个线圈的滤波器装置和等离子体处理装置。滤波器装置具备多个线圈和多个电容器。多个线圈构成多个线圈组。多个线圈组各自包括两个以上的线圈。在多个线圈组的各个线圈组中，两个以上的线圈设置为：各个线圈的卷...

提供一种等离子体处理装置和控制方法，目的在于监视等离子体的分布。该等离子体处理装置具有：多个气体供给喷嘴，其设置于处理容器的壁面，朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体；N个微波导入模块，其沿所述处理容器的顶板的周向配置，将用于生成等离子...

提供了一种用于确定和利用干法蚀刻工艺的PHT(PHT)的工艺完成的方法，所述方法包括：在处理室中提供基底，所述基底具有膜层和下层，所述膜层具有一个或更多个区域；进行干法蚀刻工艺以去除所述膜层或所述膜层的区域，所述干法蚀刻工艺产生副产物层...

在对形成于晶圆的表面的SiO2膜蚀刻到到达下层之前的中途阶段时，对粗糙度进行改善。在对形成于晶圆(W)的表面的SiO2膜(1)蚀刻到到达下层之前的中途阶段时，对SiO2膜(1)的表面照射氧自由基(102)来进行亲水化之后，利用NH3气体...

本文中公开的技术提供了用于准确地增加特征部密度以创建高分辨率特征部并且还在亚分辨率特征部的间距上进行切割的方法和制造结构。技术包括使用具有不同蚀刻特性的多种材料来选择性地蚀刻特征部并在指定的位置创建切口或块。多线层由提供不同蚀刻特性的三...

本文的技术提供了用于沉积旋涂金属材料的方法以创建在沉积物中没有空隙的金属硬掩模(MHM)结构。这包括有效旋涂沉积TiOx、ZrOx、SnOx、HFOx、TaOx等。这样的材料可有助于提供材料蚀刻耐性的差异以进行差异化。通过使旋涂金属硬掩...

本发明提供一种基片处理装置。该基片处理装置的液处理单元(U1)包括：保持晶片(W)的旋转卡盘(61)；使旋转卡盘(61)旋转的旋转驱动部(64)；对由旋转驱动部(64)的驱动而旋转的旋转卡盘(61)所保持的晶片(W)供给涂敷液的涂敷液供...

本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制：控制第一保护处理部，使之在晶圆的周缘部形成...

本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向...

本发明提供一种能够维持基片的处理能力并减小基片处理装置的设置面积基片处理装置。本发明的基片处理装置，其包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与上述基片处理部连接的、在大气气氛下运送上述基片的基片运送部；和配置在上述基片处理部与上述基片...

本发明提供一种基板搬送装置和基板搬送方法。在向各种处理装置搬送基板的搬送装置中，维持壳体内的气氛的清洁度。大气压搬送装置具有：晶圆搬送机构，其保持并搬送晶圆；壳体，其收纳晶圆搬送机构；气体供给部，其向壳体内供给非活性气体；气体循环部，其...

本发明提供一种小型的处理系统，其包括对晶片等的多个被处理体一并进行规定的处理的多反应器式的真空处理室，能够以高生产率对被处理体进行处理。本发明的处理系统(1)中，多反应器式的真空处理室(101～104)沿着规定的方向设置，输送设备3)分...

提供一种称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质。本发明提供一种高精度地定量供给要用于基板液处理装置中的处理液的基板液处理装置(A1)，所述基板液处理装置(A1)具备：贮存管(61)，其贮存处理液；导入配管(62)，其向贮存管(6...

本发明涉及立式热处理装置，在将棚架状地保持晶圆的基板保持器具搬入反应容器内并且在真空环境下对基板进行热处理时，抑制微粒附着于基板。在将多个晶圆以棚架状地保持于作为基板保持器具的晶舟后搬入反应容器内，并且在真空环境下进行热处理，从被设为在...

本发明提供一种能够在使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上时更有效地进行绝缘膜的选择性沉积的选择性沉积方法。所述选择性沉积方法使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上，所述选择性沉积方法具有：准备具有绝缘膜和导电膜露出的基...

本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗Ge的技术。以对包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行了激励的状态向具有锗部分的被处理基板供给该蚀刻气体来蚀刻锗部分。作为锗部分，能够列举锗...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在向被载置于处理容器内的晶圆供给气体时能够调整气体的浓度的面内分布。在向被载置于处理容器(20)内的晶圆(W)供给气体来进行处理的等离子体处理装置中，通过分隔部(5)将处理容器(20)内划分为激...

本发明提供一种对显影的显影方法、显影装置和存储介质，其进行以下步骤：在停止从在显影液喷嘴(31)的相对面(32)向下方开口的排出口(33)排出显影液的状态下，使显影液喷嘴(31)相对于基片(W)的表面上升，利用该显影液的表面张力，将排出...

本发明涉及静电电容测量用的测量器，能够对由环境引起的静电电容的测量值的变动进行修正。测量器具备基底基板、第一传感器、一个以上的第二传感器、以及电路基板。第一传感器具有沿着基底基板的边缘设置的第一电极。一个以上的第二传感器提供一个以上的第...