本实用新型提供一种能够精度较高地向模块的预定的位置输送基板的基板输送装置。构成一种装置，该装置具备：基板保持部(25)，其保持基板，为了从一个模块向另一个模块输送该基板而沿着横向移动自由；第1检测部(3)，其用于在基板保持部(25)从一...

本实用新型提供一种涂布膜去除装置。以往，在利用去除液将晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时在涂布膜端部产生凸起(隆起)。本实用新型的涂布膜去除装置在从去除液喷嘴向通过旋转卡盘而旋转的晶圆的周缘部喷出去除液来去除涂布膜的周缘部的不需要的膜...

提供一种基板处理装置。以往，存在在基板的上表面的清洗中所使用的刷的变形而导致基板的下表面被污染的问题。本实用新型的基板处理装置具备：基板保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；处理液供给机构，其对基板的上表面供给处理液；以及刷，在利用所述...

本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲...

本发明提供一种在成膜原料罐的更换后，能够容易以稳定的状态供给原料气体的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，所述气体供给装置包括：与所述原料容器的上游侧连接的、控制所述载气的...

提供一种基板处理装置。在利用超临界状态的处理流体的干燥方法中，抑制形成于晶圆上表面的图案破坏。实施方式所涉及的基板处理装置用于进行干燥处理，该干燥处理为使由于液体而上表面湿润的状态的基板与超临界状态的处理流体接触来使基板干燥的处理，该基...

本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机...

本发明提供一种气体导入机构及热处理装置，能够防止气体在歧管与喷射器的连接部分泄漏。一实施方式的气体导入机构具有：纵长的处理容器；喷射器，其沿着所述处理容器的内周壁的纵向方向设置，并且被设为至少在所述处理容器的下部与所述内周壁之间具有间隔...

提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所...

本发明提供一种能够精度较高地向模块的预定的位置输送基板的基板输送装置、基板输送方法以及存储介质。构成一种装置，该装置具备：基板保持部(25)，其保持基板，为了从一个模块向另一个模块输送该基板而沿着横向移动自由；第1检测部(3)，其用于在...

一种更精确地控制处理槽内的处理液的沸腾状态的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34A)，其贮存处于沸腾状态的处理液，并且通过将基板(8)浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；浓度传感器(55B)，其检测处理液中包含的药液成分的...

本发明的目的在于提供一种使有机膜各向异性地堆积于被处理体上所形成的凹部的图案的上部的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法具有：第一工序，向腔室的内部供给包含含碳气体和非活性气体的第一气体；第二工序，施加等离子体生成用的高频电力，由供...

本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口...

本发明的目的在于提供一种以规定的堆积物填埋被处理体的凹部的成膜方法和等离子体处理装置。所述成膜方法具有：将腔室的内部保持为规定的压力，将被处理体设置于冷却为‑20℃以下的极低温的台上的工序；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气...

本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：处理容器；高频电源，其向所述处理容器供给高频电力，来在所述处理容器的内部形成等离子体；规定的连接部，其设置于所述高频电源与所述处理容器之间；以及负载变动稳定化电路，其通过所述连接部而与所述处理容器...

本发明提供一种不降低处理能力而能够使研磨用晶片与探针适当地抵接的晶片检查装置。研磨用板(35)的厚度(t1)、研磨用晶片(34)的厚度(t2)和自弹性框架(24)的主体(28)的下表面至探针卡(21)的各探针(27)的下端为止的突出量(...

本发明提供一种如下的技术：能够抑制对基板进行等离子体处理时暴露在等离子体中的硅或者金属的氧化膜的特性的劣化，且能够提高在等离子体处理中能够设定的处理条件的自由度。进行如下工序：等离子体处理工序，使用将由卤化物构成的处理气体等离子体化而得...

作为团簇生成气体，使用基于能量K与指标C之积Φ的值选择的气体，其中，上述能量K是由下式(1)给出的从团簇喷嘴喷出时的团簇生成气体的单分子或单原子的能量，上述指标C是由下式(2)给出的表示气体的团簇化容易程度的指标，

【技术问题】本发明提供一种能够高精度地检测在流路部流动的微小的异物的技术。【技术方案】本发明的异物检测装置包括：供流体流动的流路部；激光照射部，其以光路与上述流路部中的流体的流动方向交叉的方式设置，用于对该流路部内照射来自激光光源的激光...

本发明提供一种在该液体处理装置中能够对处理方案的液体飞溅的风险进行评价的技术，该液体处理装置对基片供给处理液体并且使基片旋转来对基片进行液体处理。在显影装置中，预先在第一存储部(93)制作了风险数据，该风险数据针对晶片(W)的转速和在晶...