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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
金属污染防止方法和成膜装置制造方法及图纸
本发明涉及金属污染防止方法和成膜装置,能够防止在清洁成膜装置时发生的金属污染。金属污染防止方法,在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行,该金属污染防止方法包括:温度变更步骤,将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜...
清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置制造方法及图纸
本发明的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置。在去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法中具有以下工序...
基板处理装置、基板处理方法和存储介质制造方法及图纸
本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质。防止经由基板处理部处理完毕的基板在被收纳于承载件内之后被该承载件内中包括的异物污染。所述装置具备:台,其用于载置内部收纳有基板的承载件;基板处理部,其用于对所述基板进行处理;基板搬送机构,...
蚀刻方法以及记录介质技术
一种蚀刻方法以及记录介质,不对非蚀刻对象的部分进行蚀刻,并且以高生产率充分地对氧化硅膜进行蚀刻。本蚀刻方法包括:第一变质工序,向热氧化膜的表面供给含有碱性气体和包含卤族元素的气体的混合气体,使氧化硅膜与混合气体发生化学反应,从而使热氧化...
成膜装置、成膜方法以及存储介质制造方法及图纸
本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质。能够在纵型的反应容器内对被棚架状地保持的多个基板进行成膜处理时分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。具备:成膜气体喷出部,设置在反应容器内的基板的保持区域的后方,用于喷出所述成膜气体;排气口...
基板处理装置的控制装置和基板处理显示方法制造方法及图纸
本发明提供一种基板处理装置的控制装置和基板处理显示方法。目的在于在按照系统制程执行基板的处理之前容易地掌握处理室内的处理的时序。基于系统制程来执行基板的处理的基板处理装置具有:创建部,其当接收到基板处理制程和多个调节处理制程的输入时,创...
半导体装置的制造方法和真空处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种半导体装置的制造方法和真空处理装置。提供一种能够在形成于基板的膜形成微细的图案、谋求半导体装置的微细化的技术。进行如下工序:向基板的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1膜(12)的工序;接下来对所述第1膜...
涂敷处理装置和杯体制造方法及图纸
本发明在以旋转式在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理装置中,防止涂敷液被设置于杯体内的气流控制板弹返而飞散到晶片的表面上。抗蚀剂涂敷装置包括收纳旋转卡盘(121)并从底部排气的杯体,该杯体包括:与保持于旋转卡盘(121)的晶片(W)相比位于顶部...
气体供给构件和气体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种气体供给构件和气体处理装置。提供一种能够防止从由直线流路分支而形成的气体喷出口喷出的气体含有异物的技术。以具备如下构件的方式构成气体供给构件(41):直线流路(45),其形成为直线状,从其一端供给气体;所述直线流路(45)...
基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸
实施方式所涉及的基板处理装置具备贮存容器、基板处理部、回收路径、废弃路径、供给路径、切换部和切换控制部。回收路径使供给到基板处理部的混合液返回到贮存容器。废弃路径将所供给的混合液废弃到贮存容器以外的场所。切换部使所供给的混合液的流入目的...
纵式热处理装置和纵式热处理装置的运转方法制造方法及图纸
提供一种纵式热处理装置和纵式热处理装置的运转方法。在利用基板搬送机构将被从反应容器搬出的基板保持器具保持的热处理后的基板取出时,实现生产率的提高。在将多个晶圆以棚架状保持于作为基板保持器具的晶圆舟来搬入反应容器内进行热处理的纵式热处理装...
基板处理装置制造方法及图纸
本发明涉及能够控制面间均匀性的基板处理装置。基板处理装置具备:内管,其设置为能够容纳多张基板,并且具有第一开口部;外管,其包围所述内管;可动壁,其被设置为能够在所述内管内、或者所述内管与所述外管之间移动,并且具有第二开口部;气体供给单元...
氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统制造方法及图纸
本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板...
半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及真空处理装置。在使用掩模来对基板进行离子注入、在离子注入后去除掩模时防止对基板的损伤,进行如下工序:向基板(W)的表面供给聚合用的原料而形成由具有脲键的聚合物构成的第1掩模用的膜(21...
高频发生器和等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供了一种输出的高频的功率和相位的控制的精度高的高频发生器。在一个实施方式的高频发生器中,通过由矢量乘法器进行的IQ调制和由放大器进行的放大而生成的高频被输出部输出。定向耦合器输出包含行波的一部分的第一高频和包含反射波的一部分的第...
成膜装置制造方法及图纸
本发明涉及成膜装置。提供一种能够将在旋转台的上方侧形成的第一处理区域的气氛与第二处理区域的气氛有效地分离的成膜装置。成膜处理装置设置在真空容器内,对旋转的旋转台上载置的基板供给处理气体来进行成膜处理。在旋转台的上方设置有被分离区域相互分...
工件加工装置、工件加工方法和计算机存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种工件加工装置、工件加工方法和计算机存储介质,在对工件进行规定的加工的工件加工装置中,适当修正工件台相对于加工机的相对位置。液滴排出装置包括:载置工件(W)的工件台(20);向载置在工件台(20)的工件(W)排出液滴的液滴排...
液滴排出装置、液滴排出方法和计算机存储介质制造方法及图纸
本发明提供一种液滴排出装置、液滴排出方法、程序和计算机存储介质,在对工件排出功能液的液滴进行描绘的液滴排出装置中,适当修正工件台相对于液滴排出头的相对位置。液滴排出装置包括:载置工件(W)的工件台(20);向载置在工件台(20)的工件(...
液滴排出装置、液滴排出方法、程序和计算机存储介质制造方法及图纸
本发明涉及液滴排出装置、液滴排出方法、程序和计算机存储介质。在向工件排出功能液的液滴来进行描绘的液滴排出装置中,提高从液滴排出头向工件的液滴的着液精度。控制部(150)在使由液滴排出头(34)排出的液滴着液在形成于基准工件(Wf)的上表...
液滴排出装置、液滴排出方法、程序和计算机存储介质制造方法及图纸
本发明提供液滴排出装置、液滴排出方法、程序和计算机存储介质。在向工件排出功能液的液滴来进行描绘的液滴排出装置中,使从液滴排出头向工件去的液滴的着液精度提高。液滴排出装置(1)包括:载置工件(W)的工作台(40);向载置于工作台(40)的...
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