本发明提供一种闸阀装置和基板处理系统，目的在于抑制基板的搬入搬出口的变形。闸阀装置与形成于在减压环境下对基板实施规定的处理的处理容器的侧壁的基板的搬入搬出口连接，包括：壁部，其形成有与搬入搬出口连通的开口部；和楔部件，其被插入位于开口上...

本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器...

公开了一种润湿用于处理半导体制造中使用的液体溶剂的筒式过滤器的方法。在该方法中，将具有空隙空间的筒式过滤器连接至吹扫气体源，其中空隙空间包含来自用于制造筒式过滤器的制造工艺的残留气体。使吹扫气体流过筒式过滤器以至少部分地置换来自用于制造...

本发明涉及成膜方法和成膜装置，能够确保高生产性且得到高覆盖性的膜，并且能够供给具有规定的功能的添加气体。将被处理基板配置于处理容器内，使以下步骤实施规定个循环：经由第一载气流路和第二载气流路总是向处理容器内供给载气，经由原料气体流路向处...

提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同...

本发明涉及接合装置以及接合方法。目的是减少在接合后的基板所产生的局部变形。实施方式所涉及的接合装置具备第一保持部、第二保持部、冲击器、移动部以及温度调节部。第一保持部从上方吸附保持第一基板。第二保持部从下方吸附保持第二基板。冲击器从上方...

提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。形成钨膜的方法包括以下工序：在基板上形成第一钨膜的工序；以及在第一钨膜上形成第二钨膜的工序。在形成第一钨膜的工序中，将含有钨的原料气体和乙硼烷气体交替地同第一载气一起供给到基板。在形成第二钨膜...

本发明提供一种基板处理装置。用含卤气体对基板(G)的金属膜进行等离子体蚀刻的基板处理装置(1)具有设置在处理容器(2)内的呈环状的气流引导部件(40)，在其内周部分具有在基板载置台(3)的周缘的上方沿该基板载置台(3)的周向配置的用于将...

本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降。等离子处理装置(10)具有第1载置台(2)、第2载置台(7)以及升降机构(120)。第1载置台(2)载置成为等离子处理的对象的晶圆(W)。第2载...

本申请涉及衬底背面纹理，其描述的实施方案涉及用于减小光刻变形的方法和设备。可以将半导体衬底的背面纹理化。接着可以对具有经纹理化的背面的半导体衬底进行光刻工艺。为了改善变形均匀性，并且可能地，提高套刻性能，可以将接触卡盘销的半导体衬底的背...

本文的技术包括对基底进行图案化的方法、比如用于后段制程(BEOL)金属化处理的对基底进行图案化的方法。本文的技术能够实现完全自对准的通孔和线。本文的处理包括使用选择性沉积、保护性膜和组合蚀刻掩模来对基底进行精确地图案化。在具有未被覆盖的...

本发明提供一种使用液体进行的芯片部件相对于基板的校准的方法。在一个实施方式中，向基板供给液体，接下来，在液体上配置芯片部件。基板具有包括具有在一个方向延伸得较长的矩形形状的搭载区域的第一面。芯片部件的第二面具有与搭载区域的形状大致一致的...

提供了一种使用集成方案来使基板上的层图案化的方法，该方法包括：布置具有结构图案层、中性层以及底层的基板，结构图案层包括第一材料和第二材料；使用第一工艺气体混合物来执行第一处理工艺以形成第一图案，第一工艺气体包括CxHyFz和氩气的混合物...

本发明的等离子体处理装置和控制方法的目的在于，监视等离子体生成空间中的多个区域各自的等离子体点火的状态。提供一种等离子体处理装置，具有将从微波输出部输出的微波向处理容器的内部辐射的微波辐射机构，其中，所述微波辐射机构具有：天线，其用于辐...

本发明提供一种抑制基板的位置偏移的销控制方法和基板处理装置。在销控制方法中，对支承基板并被多个驱动部分别上下地驱动的多个销的高度位置分别进行测定，使用所测定出的多个销的高度位置来从多个销中选择作为速度控制的基准的基准销，针对选择出的基准...

提供一种探测流路开闭部的异常的处理装置、异常探测方法以及存储介质。实施方式的一种方式所涉及的处理装置具备腔室、喷嘴、流量测量部、流路开闭部以及控制部。腔室用于收容被处理体。喷嘴设置于腔室内，用于向被处理体供给处理液。流量测量部用于测量向...

本发明提供高精度地调整排出嘴与基片的间隙的基片处理装置。液体处理单元(U1)包括：保持晶片(W)的保持部(23)；从前端部(41)对保持于保持部(23)的晶片(W)排出涂敷液的喷嘴(40)；使喷嘴(40)移动到晶片(W)的上方的驱动部(...

本发明涉及基板加热装置，提供一种在将晶圆载置于加热板来进行加热的加热装置中抑制加热板的热对设置于加热装置的驱动系统的影响的技术。构成为由晶圆搬送机构将被加热板加热处理过的晶圆搬送到冷却板，在从加热板的下方侧起到冷却板的下方侧为止连续配置...

本发明提供一种能够良好地进行立体图案的形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中，提供被处理体的蚀刻方法。被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面...

本发明提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中提供了对被处理体的蚀刻方法，被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的...