基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供高精度地调整排出嘴与基片的间隙的基片处理装置。液体处理单元(U1)包括：保持晶片(W)的保持部(23)；从前端部(41)对保持于保持部(23)的晶片(W)排出涂敷液的喷嘴(40)；使喷嘴(40)移动到晶片(W)的上方的驱动部(30)；和检测由驱动部(30)移动的喷嘴(40)的前端部(41)的状态的喷嘴传感器(60)。

Substrate processing device and substrate processing method

The invention provides a substrate processing device for adjusting the clearance between the discharge nozzle and the substrate with high accuracy. The liquid processing unit (U1) comprises a holding part (23) of a holding wafer (W); a nozzle (40) that discharges coating liquid from the front end (41) to the wafer (W) held in the holding part (23); a nozzle sensor (60) that moves the nozzle (40) to the driving part (30) above the wafer (W); and a nozzle sensor (60) that detects the state of the front end (41) of the nozzle (40) moved by the driving part (30). .

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
在专利文献1中，公开了在基片的表面将涂敷液以螺旋状涂敷(进行螺旋涂敷)的基片处理装置。在螺旋涂敷中，在基片的旋转中，在旋转轴与基片的周缘之间，沿基片的表面在规定的方向使排出嘴移动，同时将涂敷液从排出嘴排出。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-010796号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题此处，在螺旋涂敷中，排出嘴与基片的间隙的形成膜厚大致一致。这样，螺旋涂敷中，排出嘴与基片的间隙直接对形成膜厚造成影响，因此需要对该间隙高精度地进行调整。本专利技术鉴于上述问题而提出，其目的在于高精度地调整排出嘴与基片的间隙。用于解决课题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置包括：保持基片的保持部；对保持于保持部的基片从前端部排出涂敷液的至少一个液体接触型的排出嘴；使排出嘴在基片的上方移动的驱动部；和检测驱动部移动的排出嘴的前端部的状态的第一传感器。本专利技术的一个方式的基片处理装置中，由驱动部移动的排出嘴的前端部的状态由第一传感器检测。由此，例如，能够取得与排出嘴的间隔距离、排出嘴的前端部的水平度、或固接于前端部的涂敷液的状态等的信息，使用这些信息，能够适当地设定涂敷液排出时的排出嘴与基片的间隙。如上所述，根据本专利技术的一个方式的基片处理装置，能够高精度地调整排出嘴与基片的间隙。第一传感器可以配置在由驱动部移动的排出嘴的移动路径的下方。利用驱动部移动的排出嘴从基片的上方(即从排出嘴的下部即前端部)排出涂敷液，通过第一传感器配置在排出嘴的移动路径的下方，能够用第一传感器很好地检测排出嘴的前端部的状态。即，能够更高精度地调整排出嘴与基片的间隙。驱动部可以使排出嘴移动，使得能够由第一传感器检测前端部的多个部位的状态。难以使排出嘴的前端部完全平坦，在前端部的区域间可能产生例如数十μm程度的凹凸。由此，通过利用扫描动作由第一传感器检测前端部的多个部位的状态，能够考虑上述凹凸地设定排出嘴与基片的间隙。上述基片处理装置可以具有多个所述排出嘴，驱动部从多个排出嘴中选择至少1个排出嘴，使选择出的该排出嘴经第一传感器的检测范围向基片的上方移动。由此，能够例如对每个涂敷液准备排出嘴，针对各排出嘴设定排出嘴与基片的间隙。上述基片处理装置可以还具有检测从基片起的间隔距离的第二传感器，驱动部具有保持排出嘴和第二传感器的臂部，由臂部使排出嘴和第二传感器移动。由此，能够利用与排出嘴一起被臂部保持的第二传感器，检测与基片的间隔距离。即，能够适当地确定排出嘴与基片的间隔距离，更高精度地调整排出嘴与基片的间隙。上述基片处理装置可以还具有控制部，驱动部使第二传感器经第一传感器的检测范围向基片的上方移动，控制部执行下述处理：从第一传感器和第二传感器的至少任一者取得第一传感器与第二传感器的间隔距离即传感器间隔距离；从第一传感器取得第一传感器与排出嘴的间隔距离即喷嘴间隔距离；和基于传感器间隔距离和喷嘴间隔距离，导出第二传感器与排出嘴的安装位置之差。这样，通过导出第二传感器与排出嘴的安装位置之差即安装差，能够基于上述第二传感器的检测结果，高精度地确定排出嘴与基片的间隔距离。由此，能够更高精度地调整排出嘴与基片的间隙。控制部可以还执行下述处理：从第二传感器取得从基片起的间隔距离；控制驱动部，使得基片与排出嘴的间隔距离成为规定的排出嘴高度，基片与排出嘴的间隔距离是基于从第二传感器取得的从基片起的间隔距离和安装位置之差导出的。由此，能够考虑上述安装差地适当地调整排出嘴与基片的间隙，使排出嘴成为规定的排出嘴高度。上述基片处理装置还具有用清洗液清洗排出嘴的清洗部，控制部可以还执行下述处理：根据由第一传感器检测出的前端部的状态，控制清洗部以清洗排出嘴。由此，例如，在由于固接于前端部的涂敷液而对排出嘴与基片的间隙造成影响时，能够进行清洗部的清洗。由此，能够更高精度地调整排出嘴与基片的间隙，能够适当地抑制由前端部的污染引起的形成膜厚的变化等。清洗部可以还包括：供给清洗液的清洗液供给部；和在清洗液的供给后，除去在排出嘴的前端部附着的清洗液的清洗液除去部。在清洗液和涂敷液混合的情况下，当混合液固化时喷嘴的前端部污染，可能对形成膜厚造成影响。由此，通过在清洗后除去前端部的清洗液，能够抑制清洗液和涂敷液的混合，将前端部保持为干净的状态，能够适当地抑制形成膜厚的变化。本专利技术的一个方式的基片处理方法包括：使从前端部对基片排出涂敷液的液体接触型的排出嘴向基片的上方移动的步骤；由第一传感器检测向基片移动的排出嘴的前端部的状态的步骤；和基于检测结果，设定排出嘴的相对于基片的排出高度即排出嘴高度的步骤。上述基片处理方法可以还包括：从第一传感器和第二传感器的至少任一者取得检测从基片起的间隔距离的第二传感器与第一传感器的间隔距离即传感器间隔距离的步骤；从第一传感器取得第一传感器与排出嘴的间隔距离即喷嘴间隔距离的步骤；和基于传感器间隔距离和喷嘴间隔距离，导出第二传感器与排出嘴的安装位置之差的步骤。上述基片处理方法可以还包括：从第二传感器取得从基片起的间隔距离的步骤；和基于从第二传感器取得的从基片起的间隔距离和安装位置之差，导出排出嘴高度的步骤。上述基片处理方法可以还包括：根据由第一传感器检测出的前端部的状态，控制清洗部以清洗排出嘴的步骤。本专利技术的一个方式的存储介质是存储有用于使装置执行上述基片处理方法的程序的计算机可读取的存储介质。专利技术效果根据本专利技术，能够高精度地调整排出嘴与基片的间隙。附图说明图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概略结构的立体图。图2是沿图1中的II-II线的截面图。图3是沿图2中的III-III线的截面图。图4是第一实施方式的液体处理单元的示意图。图5是控制器的硬件结构图。图6是说明晶片传感器和喷嘴的安装差的导出的图。图7是说明晶片传感器和喷嘴的安装差的导出的图。图8是说明晶片传感器和喷嘴的安装差的导出的图。图9是说明晶片传感器和喷嘴的安装差的导出的图。图10是说明喷嘴的高度调整的图。图11是说明喷嘴的高度调整的图。图12是说明喷嘴的高度调整的图。图13是液体处理顺序的流程图。图14是说明事前动作和螺旋涂敷动作的一系列流程的图。图15是安装差导出处理顺序的流程图。图16是喷嘴高度调整处理顺序的流程图。图17是说明第二实施方式的基片处理系统所解决的课题的图。图18是说明第二实施方式的基片处理系统所解决的课题的图。图19是说明第二实施方式的基片处理系统所解决的课题的图。图20是说明第二实施方式的基片处理系统所解决的课题的图。图21是说明第二实施方式的基片处理系统所解决的课题的图。图22是说明第二实施方式的基片处理系统所解决的课题的图。图23是表示利用空气吹风进行喷嘴干燥的图示的图。图24是清洗部的示意图。图25是吹风部的示意图。图26是清洗处理顺序的流程图。图27是变形例的清洗部的示意图。图28是变形例的清洗部的示意图。附图标记说明2……涂敷、显影装置(基片处理装置)23……保持部30……驱动部40……喷嘴(排出嘴)41……前端部50……晶片传感器(第二传感器)60……喷嘴传感器(第一传感器)70、70A、70B、70C……清洗部72A……清洗液供给部73A……吹风部(清洗液除去部)73本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片的保持部；从前端部对保持于所述保持部的所述基片排出涂敷液的至少1个液体接触型的排出嘴；使所述排出嘴移动至所述基片的上方的驱动部；和检测由所述驱动部移动的所述排出嘴的所述前端部的状态的第一传感器。

【技术特征摘要】
2017.04.24 JP 2017-0853621.一种基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片的保持部；从前端部对保持于所述保持部的所述基片排出涂敷液的至少1个液体接触型的排出嘴；使所述排出嘴移动至所述基片的上方的驱动部；和检测由所述驱动部移动的所述排出嘴的所述前端部的状态的第一传感器。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一传感器配置在由所述驱动部移动的所述排出嘴的移动路径的下方。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述驱动部使所述排出嘴移动，以使得能够由所述第一传感器检测所述前端部的多个部位的状态。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：具有多个所述排出嘴，所述驱动部从所述多个排出嘴中选择至少1个所述排出嘴，使选择出的该排出嘴经所述第一传感器的检测范围向所述基片的上方移动。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：还具有检测从基片起的间隔距离的第二传感器，所述驱动部具有保持所述排出嘴和所述第二传感器的臂部，由所述臂部使所述排出嘴和所述第二传感器移动。6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：还具有控制部，所述驱动部使所述第二传感器经所述第一传感器的检测范围向所述基片的上方移动，所述控制部执行下述处理：从所述第一传感器和所述第二传感器的至少任一者取得所述第一传感器与所述第二传感器的间隔距离即传感器间隔距离；从所述第一传感器取得所述第一传感器与所述排出嘴的间隔距离即喷嘴间隔距离；和基于所述传感器间隔距离和所述喷嘴间隔距离，导出所述第二传感器与所述排出嘴的安装位置之差。7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部还执行下述处理：从所述第二传感器取得从所述基片起的间隔距离；控制所述驱动部，使得所述基片与所述排出嘴的间隔距离成为规定的排出...

【专利技术属性】
技术研发人员：川原幸三，饭田成昭，下川大辅，大村和久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP