本发明提供一种带清洁喷嘴的盖体、热处理装置以及热处理装置用盖体的清洁方法。该带清洁喷嘴的盖体能够将附着、堆积到盖体上表面的颗粒去除，能够进行精度比以往的精度高的颗粒管理。通过提供一种带清洁喷嘴的盖体来解决上述问题，该带清洁喷嘴的盖体的特...

本发明提供一种热处理装置、热处理装置的管理方法以及存储介质。当在热板上载置晶圆来进行热处理时，对热处理装置运转时发生的异常采取恰当的应对。从紧挨着将晶圆载置到热板(3)上之前起以规定的采样间隔采集热板(3)的温度的检测值、对热板(3)进...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。该基板处理装置具备：第一加载端口(2A、2B)和第二加载端口(2C、2D)，所述第一加载端口(2A、2B)和第二加载端口(2C、2D)以分别载置用于容纳基板的搬送容器的方式分别设置于...

本公开涉及基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。能够在一个处理容器内对被处理基板以高生产率连续地进行温度不同的多个工序。基板处理装置具有：处理容器；处理气体供给机构，其向处理容器内供给处理气体；基板载置台，其载置被处理基板；制冷剂流...

本发明提供一种在通过规定图案使表面形成有凹凸的基板上形成涂敷膜的成膜方法和成膜系统，该成膜方法是在通过规定图案使表面形成有凹凸的晶片(W)上涂敷抗蚀液，形成抗蚀膜的方法，其包括：在晶片的表面上涂敷涂敷液，形成表面上的抗蚀膜的凹凸的深度(...

本发明提供对于以高膜厚均一性在基板表面形成液膜有效的涂布处理方法、涂布处理装置以及存储介质。涂布处理过程包括：以在晶圆表面的中心部形成抗蚀液的积液的条件向晶圆表面供给抗蚀液；一边以第一转速使晶圆旋转，一边向晶圆表面供给稀释液并使稀释液的...

本发明提供一种天线及等离子体处理装置。本发明的天线具备电介质窗及设置于电介质窗的一个面的缝隙板，该天线中，将缝隙板上各缝隙(S)的宽度方向的中央位置并且长度方向的中央位置作为基准位置(g)时，各缝隙(S)的基准位置(g)位于以重心(G0...

本发明提供一种在向晶片供给抗蚀剂液并且使晶片旋转进行处理时，将晶片的气氛排气，将从晶片甩落的处理液排液的液处理装置中，除去附着在液处理装置内的固体成分的技术。在向旋转的晶片(W)供给抗蚀剂液进行处理的抗蚀剂涂敷装置中，在罩体(2)的内部...

本发明在将多个基板排列载置于下部电极来进行等离子体处理时，抑制下部电极的异常放电的发生。在将多个例如2个基板(G)排列载置的下部电极(4)中，在沿基板的四边顺时针或逆时针环绕的环绕路线上看时，将构成环部(6)的带状部件(61～67)配置...

本发明提供一种能够获得均匀的等离子体空间的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：处理容器、载置台、遮护部件、开口用的可升降的闸门、第1驱动部和第2驱动部。处理容器具有侧壁，在该侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路。载置台设置在处理...

本发明提供一种检查气体供给系统的方法。本发明的一实施方式中，在基板处理装置的腔室连接有气体供给管路。在气体供给管路连接有气化器。在气体供给管路与气化器并列地经由二级阀连接有流量控制器。在流量控制器的一级侧设置有一级阀。一实施方式的方法包...

本发明提供一种检查气体供给系统的方法。一实施方式中，在基板处理装置的腔室经由气体供给管路及气体导入口连接有气化器。在气体供给管路连接有排气装置。基板处理装置具备获取气体供给管路的压力的测定值的压力传感器。一实施方式的方法包括：从气化器经...

本发明提供一种减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫的等离子体处理装置。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)～120(4))。空芯线圈(104(1))具有固定的口径和固定的线圈长度。外导...

本发明提供在腔室内的构件的表面更均匀地形成致密的保护膜的等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法包括供给工序和成膜工序。在供给工序中，向腔室内供给混合气体，所述混合气体包含：含有硅元素和卤元素的化合物气体、含氧气体、以及包含...

本公开涉及对膜进行蚀刻的方法，能够减少在校准流量控制器后被依次处理的被加工物之间的膜的蚀刻的结果之差。在一个实施方式的方法中，根据正在向腔室供给第一气体时的腔室的压力上升率来校准第一气体用的流量控制器。接着，向腔室供给第二气体。接着，向...

本发明提供一种等离子体处理装置，其将从至少两个高频电源分别向上部电极和/或下部电极供给与等离子体相关的高频电力，可靠地检测反射波的变动，将异常放电发生防患于未然。阈值设定部(123)在来自第二高频电源部(75)的高频的供给稳定后，在时刻...

本发明提供一种能够校正向基板入射的离子的入射方向的倾斜并且能够抑制基板与聚焦环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理装置中，使来自第一高频电源和第二高频电源中的至少一方的高频电源的高频的供给周期性地...

本文的技术包括形成单层或多层芯轴，然后形成沿芯轴的侧壁延伸的一条或更多条材料线。芯轴材料的相对薄的部分以芯轴为基础延伸至彼此并在侧壁间隔物和其他填充材料下面延伸，从而在下层上形成芯轴材料的膜，这提供了图案化工艺中的蚀刻选择性的优点。因此...

本文中公开的技术提供了进行图案化以用于创建高分辨率特征并且还用于在亚分辨率特征的间距上进行切割的方法。技术包括：形成双层或多层芯轴，然后形成沿芯轴的侧壁延伸的一条或更多条材料线。不同的材料可以具有不同的抗蚀刻性，以能够选择性地蚀刻材料中...

本发明的目的是提供一种以高选择比对氮化硅区域进行蚀刻的方法。在该蚀刻方法中，将包括氮化硅区域和具有与氮化硅区域不同的组成的含硅区域的被处理体收纳在处理容器内，有选择地对氮化硅区域进行蚀刻。在第一步骤中，在处理容器内通过生成包含氢氟烃气体...