基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法制造方法及图纸

本公开涉及基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。能够在一个处理容器内对被处理基板以高生产率连续地进行温度不同的多个工序。基板处理装置具有：处理容器；处理气体供给机构，其向处理容器内供给处理气体；基板载置台，其载置被处理基板；制冷剂流路，其设置于基板载置台的主体；制冷剂抽取机构，其从制冷剂流路抽取制冷剂；加热器，其被印刷在静电卡盘的背面；温度控制部，其使制冷剂流通于制冷剂流路中，将被处理基板温度调整为第一温度，利用加热器进行加热并且利用制冷剂抽取机构抽取制冷剂流路的制冷剂，将被处理基板温度调整为比第一温度高的第二温度，连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。

Substrate Processing Device, Substrate Mounting Mechanism and Substrate Processing Method

The present disclosure relates to a substrate processing device, a substrate mounting mechanism and a substrate processing method. It is capable of continuously operating at different temperatures on the treated substrate in a processing container with high productivity. The base plate processing device has: a processing container; a processing gas supply mechanism, which supplies the processing gas to the processing container; a base plate mounting platform, which is mounted on the treated base plate; a refrigerant flow path, which is mounted on the main body of the base plate mounting platform; a refrigerant extraction mechanism, which extracts refrigerants from the refrigerant flow path; a heater, which is printed on the back of the electrostatic chuck; and a temperature control device, which has a refrigerant flow path. To make refrigerant flow in refrigerant flow path, the temperature of the treated substrate is adjusted to the first temperature. The refrigerant of the refrigerant flow path is heated by a heater and extracted by a refrigerant extraction mechanism. The temperature of the treated substrate is adjusted to the second temperature higher than the first temperature. The first temperature-based treatment and the second temperature-based treatment are carried out continuously.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法
本专利技术涉及一种基板处理装置、基板载置机构和基板处理方法。
技术介绍
例如，作为也能够去除存在于鳍式FET的源极和漏极部分等复杂的构造部分的硅的自然氧化膜的处理，讨论一种COR(ChemicalOxideRemoval：化学氧化物去除)处理。例如在专利文献1、2等中记载有COR处理，所述COR处理为如下一种技术：通过例如在约30℃时使氟化氢(HF)气体和氨(NH3)气体吸附于氧化硅膜(SiO2膜)并且使它们与氧化硅膜发生反应而生成氟硅酸铵((NH4)2SiF6；AFS)的工序、以及例如在约90℃的温度下利用加热使该AFS升华的工序来蚀刻氧化硅膜。以往，当想要在一个腔室(处理容器)内进行这样的不同的温度的工序时，使温度变化需要花费时间，因此一般在不同的腔室中进行。但是，伴随半导体制造工艺的复杂化，要求由一个腔室进行多个工序，从而需要一种能够由一个腔室以高生产率进行这样的不同的温度的工序的装置。在专利文献3～5中记载有能够高速地对基板温度进行升降温的装置，但均未想到要由一个腔室连续地进行温度不同的一系列的工序，难以应用于这样的用途。专利文献1：日本特开2005-39185号公报专利文献2：日本特开2008-160000号公报专利文献3：日本特开平7-183276号公报专利文献4：日本特开2008-192643号公报专利文献5：日本特开2011-77452号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，因此其课题在于提供一种能够在一个处理容器内以高生产率连续地对被处理基板进行温度不同的多个工序的技术。用于解决问题的方案为了解决上述课题，本专利技术的第一观点提供一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理容器，其内部能够保持为真空；处理气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；基板载置台，其具有用于在所述处理容器内载置被处理基板的载置面；调温介质流路，其设置于所述基板载置台，并且供用于对载置于所述基板载置台的被处理基板进行温度调整的调温介质流通；调温介质抽取机构，其从所述调温介质流路抽取调温介质；加热器，其设置于所述基板载置台的比所述调温介质流路靠近所述载置面的位置；以及温度控制部，其使调温介质流通于所述基板载置台的所述调温介质流路中，将被处理基板温度调整为第一温度，利用所述加热器进行加热并且利用所述调温介质抽取机构抽取所述调温介质流路的调温介质，将被处理基板温度调整为比所述第一温度高的所述第二温度，其中，对被处理基板连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。在上述第一观点中，能够设为如下的结构：所述基板载置台具有：主体，其由金属制成且形成有所述调温介质流路；静电卡盘，其设置于所述主体之上，并且具有所述载置面，所述静电卡盘是以在电介质中设置有电极的方式构成的，并且用于静电吸附所述被处理基板；以及缓冲件，其设置于所述静电卡盘与所述主体之间，所述加热器被印刷在所述静电卡盘的背面。所述静电卡盘的厚度优选为3mm～3.5mm。所述第一温度与所述第二温度的温度差优选为20℃～100℃。具备调温介质供给单元，该调温介质供给单元使调温介质流通于所述调温介质流路中，所述调温介质供给单元与向所述调温介质流路供给调温介质的调温介质供给路和从调温介质流路排出调温介质的调温介质排出路连接，所述调温介质供给路和所述调温介质排出路分别设置有开闭阀，所述调温介质抽取机构呈具有气缸、和插入于所述气缸内的活塞的注射器状，并且分别连接于所述调温介质供给路和所述调温介质排出路的比所述开闭阀靠所述调温介质流路侧的位置，通过在关闭所述开闭阀的状态下拉动所述活塞，来抽取所述调温介质流路内的调温介质。还可以具备喷淋头，所述喷淋头与所述基板载置台相向地设置，并且将处理气体以喷淋状导入到所述处理容器内。在该情况下，还具有：升降机构，其使所述基板载置台升降；以及升降销，其使被处理基板相对于所述载置面升降，所述温度控制部在将所述被处理基板温度调整为所述第二温度时，加热所述喷淋头，并且使所述升降机构上升或者使所述升降销升起，由此使被处理基板靠近所述喷淋头来辅助被处理基板的加热。能够设为还具有用于在所述处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构，所述第一温度下的处理包括由利用所述等离子体生成机构生成的等离子体进行的处理。能够设为所述第一温度下的处理包括供给化学气体来进行的化学处理，所述第二温度下的处理包括去除由所述化学处理生成的反应生成物的处理。本专利技术的第二观点提供一种基板处理装置，用于在具有形成了规定图案的绝缘膜、且具有在所述图案的底部的硅部分形成的含硅氧化膜的被处理基板中去除所述含硅氧化膜，所述基板处理装置的特征在于，具有：处理容器，其内部能够保持为真空；处理气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；基板载置台，其具有在所述处理容器内载置被处理基板的载置面；调温介质流路，其设置于所述基板载置台，并且供用于对载置于所述基板载置台的被处理基板进行温度调整的调温介质流通；调温介质抽取机构，其从所述调温介质流路抽取调温介质；加热器，其设置于所述基板载置台的比所述调温介质流路靠近所述载置面的位置；等离子体生成机构，其用于在所述处理容器内生成等离子体；温度控制部，其使调温介质流通于所述基板载置台的所述调温介质流路中来将被处理基板温度调整为第一温度，利用所述加热器进行加热并且利用所述调温介质抽取机构抽取所述调温介质流路的调温介质，将被处理基板温度调整为比所述第一温度高的所述第二温度；以及控制部，其控制所述基板处理装置中的处理，所述控制部进行控制，以执行以下工序：第一工序，通过基于等离子体进行的离子性的各向异性等离子体蚀刻，去除形成于所述图案的底部的所述含硅氧化膜，所述等离子体是从所述气体供给机构供给的碳系气体被所述等离子体生成机构生成的；第二工序，通过基于从所述气体供给机构供给的化学气体进行的化学蚀刻，去除对所述被处理基板进行所述各向异性等离子体蚀刻后的所述含硅氧化膜的残存部分；以及第三工序，去除在所述化学蚀刻后生成的反应生成物的，所述温度控制部在所述第一工序和所述第二工序时将所述被处理基板温度调整为所述第一温度，在所述第三工序时将所述被处理基板温度调整为所述第二温度。本专利技术的第三观点提供一种基板载置机构，用于在对被处理基板进行处理的处理容器内载置被处理基板并且对被处理基板进行温度调整，所述基板载置机构的特征在于，具有：基板载置台，其具有在所述处理容器内载置被处理基板的载置面；调温介质流路，其设置于所述基板载置台，并且供用于对载置于所述基板载置台的被处理基板进行温度调整的调温介质流通；调温介质抽取机构，其从所述调温介质流路抽取调温介质；加热器，其设置于所述基板载置台的比所述调温介质流路靠近所述载置面的位置；以及温度控制部，其使调温介质流通于所述基板载置台的所述调温介质流路中来将被处理基板温度调整为第一温度，利用所述加热器进行加热并且利用所述调温介质抽取机构抽取所述调温介质流路的调温介质，将被处理基板温度调整为比所述第一温度高的所述第二温度。本专利技术的第四观点提供一种基板处理方法，利用基板处理装置在具有形成了所述图案的绝缘膜、且具有在所述图案的底部的硅部分形成的含硅氧化膜的被处理基板中去除所述含硅氧化膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理容器，其内部能够保持为真空；处理气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；基板载置台，其具有用于在所述处理容器内载置被处理基板的载置面；调温介质流路，其设置于所述基板载置台，并且供用于对载置于所述基板载置台的被处理基板进行温度调整的调温介质流通；调温介质抽取机构，其从所述调温介质流路抽取调温介质；加热器，其设置于所述基板载置台的比所述调温介质流路靠近所述载置面的位置；以及温度控制部，其使调温介质流通于所述基板载置台的所述调温介质流路中来将被处理基板温度调整为第一温度，利用所述加热器进行加热并且利用所述调温介质抽取机构抽取所述调温介质流路的调温介质，将被处理基板温度调整为比所述第一温度高的第二温度，其中，对被处理基板连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。

【技术特征摘要】
2017.06.16 JP 2017-1189771.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理容器，其内部能够保持为真空；处理气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；基板载置台，其具有用于在所述处理容器内载置被处理基板的载置面；调温介质流路，其设置于所述基板载置台，并且供用于对载置于所述基板载置台的被处理基板进行温度调整的调温介质流通；调温介质抽取机构，其从所述调温介质流路抽取调温介质；加热器，其设置于所述基板载置台的比所述调温介质流路靠近所述载置面的位置；以及温度控制部，其使调温介质流通于所述基板载置台的所述调温介质流路中来将被处理基板温度调整为第一温度，利用所述加热器进行加热并且利用所述调温介质抽取机构抽取所述调温介质流路的调温介质，将被处理基板温度调整为比所述第一温度高的第二温度，其中，对被处理基板连续地进行基于第一温度的处理和基于第二温度的处理。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板载置台具有：主体，其由金属制成且形成有所述调温介质流路；静电卡盘，其设置于所述主体之上，并且具有所述载置面，所述静电卡盘是以在电介质中设置电极的方式构成的，并且用于静电吸附所述被处理基板；以及缓冲件，其设置于所述静电卡盘与所述主体之间，所述加热器被印刷在所述静电卡盘的背面。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述静电卡盘的厚度为3mm～3.5mm。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一温度与所述第二温度的温度差为20℃～100℃。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具备调温介质供给单元，该调温介质供给单元使调温介质流通于所述调温介质流路中，所述调温介质供给单元与向所述调温介质流路供给调温介质的调温介质供给路和从调温介质流路排出调温介质的调温介质排出路连接，在所述调温介质供给路和所述调温介质排出路分别设置有开闭阀，所述调温介质抽取机构呈具有气缸和插入于所述气缸内的活塞的注射器状，所述调温介质抽取机构分别连接于所述调温介质供给路和所述调温介质排出路的比所述开闭阀靠所述调温介质流路侧的位置，通过在关闭所述开闭阀的状态下拉动所述活塞，来抽取所述调温介质流路内的调温介质。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具备喷淋头，所述喷淋头与所述基板载置台相向地设置，所述喷淋头将处理气体以喷淋状导入到所述处理容器内。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：升降机构，其使所述基板载置台升降；以及升降销，其使被处理基板相对于所述载置面升降，所述温度控制部在将所述被处理基板温度调整为所述第二温度时，加热所述喷淋头，并且使所述升降机构上升或者使所述升降销升起，由此使被处理基板靠近所述喷淋头来辅助对被处理基板的加热。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有用于在所述处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构，所述第一温度下的处理包括基于由所述等离子体生成机构生成的等离子体进行的处理。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一温度下的处理包括供给化学气体来进行的化学处理，所述第二温度下的处理包括去除通过所述化学处理生成的反应生成物的处理。10.一种基板处理装置，用于在具有形成了规定的图案的绝缘膜、且具有在所述图案的底部的硅部分形成的含硅氧化膜的被处理基板中去除所述含硅氧化膜，所述基板处理装置的特征在于，具有：处理容器，其内部能够保持为真空；处理气体供给机构，其向所述处理容器内供给处理气体；基板载置台，其具有在所述处理容器内载置被处理基板的载置面；调温介质流路，其设置于所述基板载置台，并且供用于对载置于所述基板载置台的被处理基板进行温度调整的调温介质流通；调温介质抽取机构，其从所述调温介质流路抽取调温介质；加热器，其设置于所述基板载置台的比所述调温介质流路靠近所述载置面的位置；等离子体生成机构，其用于在所述处理容器内生成等离子体；温度控制部，其使调温介质流通于所述基板载置台的所述调温介质流路中来将被处理基板温度调整为第一温度，利用所述加热器进行加热并且利用所述调温介质抽取机构抽取所述调温介质流路的调温介质，将被处理基板温度调整为比所述第一温度高的第二温度；以及控制部，其控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：津田荣之辅，村上诚志，釜石贵之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP