【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件等电子器件的制造中,使用等离子体处理装置对被处理体进行等离子体处理。等离子体处理包括利用处理气体的等离子体进行的蚀刻、成膜等各种处理。等离子体处理中使用的等离子体处理装置,包括划分出等离子体处理空间的处理容器。在该处理容器的侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路。另外,保护处理容器的侧壁内表面的遮护部件(depositshield,沉积物遮护件),沿该侧壁内表面设置。为了被处理体的搬入搬出,在该遮护部件上形成有与输送通路相对的开口。而且,能够开闭遮护部件的开口的可升降的闸门,设置于侧壁内表面与遮护部件之间。闸门在关闭遮护部件的开口时仅与遮护部件的接触部接触。接触部是具有导电性的合金。这样的等离子体处理装置例如记载在日本特开2015-95543号公报(专利文献1)中。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-95543号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题专利文献1中记载的等离子体处理装置,通过用合金形成闸门与遮护部件的接触部,使闸门与遮护部件的电连接变得稳定。这样的电稳定 ...
【技术保护点】
1.一种用于对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置,其特征在于,包括:具有侧壁的处理容器,该侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路;设置于所述处理容器内的载置台;以包围所述载置台的方式沿所述侧壁的内表面设置的遮护部件,其形成有面对所述输送通路的开口;所述遮护部件的开口用的可升降的闸门;使所述闸门升降的第1驱动部;和使所述闸门相对于所述遮护部件在前后方向移动的第2驱动部。
【技术特征摘要】
2017.06.23 JP 2017-1228771.一种用于对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置,其特征在于,包括:具有侧壁的处理容器,该侧壁形成有被处理体的搬入搬出用的输送通路;设置于所述处理容器内的载置台;以包围所述载置台的方式沿所述侧壁的内表面设置的遮护部件,其形成有面对所述输送通路的开口;所述遮护部件的开口用的可升降的闸门;使所述闸门升降的第1驱动部;和使所述闸门相对于所述遮护部件在前后方向移动的第2驱动部。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:所述第2驱动部具有将所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:砂金优,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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